一种晶圆片抛光后的养护装置及养护工艺制造方法及图纸

本发明专利技术涉及晶圆片制造技术领域，尤其涉及一种晶圆片抛光后的养护装置，包括喷淋台、喷淋槽和喷头，其中，所述喷淋台上开设有多个所述喷淋槽，所述喷淋槽用于放置抛盘，所述抛盘的直径为D；多组所述喷头一一对应设置于多个所述喷淋槽的正上方，所述喷头出水时的圆心角为α；所述喷头的高度L1大于等于0.5D*cot0.5α，每组喷头中相邻喷头之间的间距L2小于等于0.25D。本发明专利技术按照此公式设计，能够保证喷头喷出的保湿剂可以全部有效覆盖抛盘以保证喷淋效果。

A wafer curing device and maintenance process after polishing

The invention relates to the technical field of wafer fabrication, in particular to a curing device after polishing a wafer, including a spray table, a spray tank and a sprinkler. The spray sink is provided with a plurality of sprinklers on the spray table, and the spray tank is used for placing a tray, the diameter of the discs is D, and a number of set of sprinklers are set one by one. At the top of a plurality of sprinklers, the center angle of the sprinkler is alpha; the height of the nozzle is more than equal to 0.5D*cot0.5 a, and the distance between the adjacent sprinklers in each group of sprinklers is less than L2 less than equal to 0.25D. The invention is designed according to the formula to ensure that the humectant sprayed out of the sprinkler can effectively cover the throwing dish to ensure the spray effect.

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆片抛光后的养护装置及养护工艺
本专利技术涉及晶圆片制造
，尤其涉及一种晶圆片抛光后的养护装置及养护工艺。
技术介绍
化学机械抛光工艺(ChemicalMechanicalPlanarization，CMP)是用化学腐蚀和机械力对加工过程中的晶圆片或其它衬底材料进行平滑处理。包括化学过程和物理过程，其中，化学过程是研磨液中的化学品和晶圆片表面发生化学反应，生成比较容易去除的物质；物理过程是研磨液中的磨粒和晶圆片表面材料发生机械物理摩擦，去除化学反应生成的物质。经CMP工艺处理后必然会造成晶圆片的表面缺陷，一般包括擦伤、残留物和表面污染，所以，在CMP工艺后必须对晶圆片进行有效的清洗来实现CMP的工艺优点，而清洗工艺能够有效清洗晶圆片表面缺陷的前提是CMP工艺处理后的晶圆片表面必需始终保持湿润不干状态，否则会清洗不干净，导致产品不合格。因此，亟需一种在晶圆片抛光后能够在晶圆片表面形成一层水性保护膜的养护装置及养护工艺，确保晶圆片在清洗时能清洗干净。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种晶圆片抛光后的养护装置及养护工艺，以解决现有技术中存在的晶圆片抛光后清洗不干净的技术问题本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶圆片抛光后的养护装置，包括喷淋台(1)、喷淋槽(2)和喷头(4)，其中，所述喷淋台(1)上开设有多个所述喷淋槽(2)，所述喷淋槽(2)用于放置抛盘(3)，所述抛盘(3)的直径为D；多组所述喷头(4)一一对应设置于多个所述喷淋槽(2)的正上方，所述喷头(4)出水时的圆心角为α；其特征在于，所述喷头(4)的高度L1大于等于0.5D*cot0.5α，每组喷头(4)中相邻喷头(4)之间的间距L2小于等于0.25D。

【技术特征摘要】
1.一种晶圆片抛光后的养护装置，包括喷淋台(1)、喷淋槽(2)和喷头(4)，其中，所述喷淋台(1)上开设有多个所述喷淋槽(2)，所述喷淋槽(2)用于放置抛盘(3)，所述抛盘(3)的直径为D；多组所述喷头(4)一一对应设置于多个所述喷淋槽(2)的正上方，所述喷头(4)出水时的圆心角为α；其特征在于，所述喷头(4)的高度L1大于等于0.5D*cot0.5α，每组喷头(4)中相邻喷头(4)之间的间距L2小于等于0.25D。2.根据权利要求1所述的晶圆片抛光后的养护装置，其特征在于，每组所述喷头(4)的中心点与对应的所述喷淋槽(2)的中心线共线。3.根据权利要求1所述的晶圆片抛光后的养护装置，其特征在于，每组所述喷头(4)包括至少两个喷头(4)。4.根据权利要求1所述的晶圆片抛光后的养护装置，其特征在于，所述喷淋槽(2)上方设置有喷淋管路(5)，多组所述喷头(4)均匀间隔设置于所述喷淋管路(5)上，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙强，柏友荣，沈思情，宋洪伟，陈猛，
申请(专利权)人：上海超硅半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31