一种改善深沟槽隔离焦深工艺窗口的方法技术

本发明专利技术涉及一种改善深沟槽隔离焦深工艺窗口的方法，包括以下步骤：提供一半导体衬底，所述半导体衬底上表面依次覆盖有氧化层、第一抗反射层和第一光阻层；对所述第一光阻层进行曝光；刻蚀；去除所述第一光阻层、所述第一抗反射层和所述氧化层，形成第二抗反射层；形成第二光阻层；对所述第二光阻层进行曝光，形成初始工艺窗口；形成水溶性有机化合物层；对所述第二光阻层进行高温烘烤，形成最终工艺窗口；刻蚀；去除所述第二抗反射层、所述第二光阻层和所述水溶性有机化合物层；其中，所述初始工艺窗口的尺寸大于所述最终工艺窗口的尺寸。其优点在于，初始工艺窗口的尺寸大于最终工艺窗口尺寸，降低深宽比，满足可靠工艺生产要求。

【技术实现步骤摘要】
一种改善深沟槽隔离焦深工艺窗口的方法
本专利技术涉及微电子领域，尤其涉及一种改善深沟槽隔离焦深工艺窗口的方法。
技术介绍
CIS图像传感器因其固有的注入低功耗，低成本，体积小，可随机读取，集成度高等优点得到广泛应用。随着工艺的发展，现有的CIS图像传感器通过引入CDTI+DTI(深沟槽隔离)结构以获得更高的量子效率，通过多层次、高深度的光学格挡，从而减少光反射的损耗。但是这种结构需要比较严格的焦深工艺窗口(DOFwindow)。如图1a～1d所示，现有技术中的工艺流程为先进行CDTI曝光(图1a)，在CDTI结构的基础上进行抗反射层填充(图1b)，再进行DTI曝光(图1c)，最后形成CDTI+DTI结构(图1d)。在目前的CDTI结构中，向深沟槽中填充抗反射层的均一性较差。此外，在高深宽比的工艺条件下，焦深工艺窗口进一步减小，导致在进行后续工艺时，达不到可靠的工艺要求。因此，亟需一种能够在高深宽比条件下，改善焦深工艺窗口的制备工艺方法，以满足可靠工艺生产需求。而目前关于这种制备工艺方法还未见报道。
技术实现思路
本专利技术的目的是针对现有技术中的不足，提供一种改善深沟槽隔离焦深工艺窗口的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种改善深沟槽隔离焦深工艺窗口的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1、提供一半导体衬底，所述半导体衬底上表面依次覆盖有氧化层、第一抗反射层和第一光阻层；步骤S2、对所述第一光阻层进行光刻，以在所述第一光阻层露出需要刻蚀沟槽的位置；步骤S3、刻蚀所述第一抗反射层、所述氧化层和所述半导体衬底，以在所述半导体衬底中形成第一沟槽；步骤S4、去除所述第一光阻层、所述第一抗反射层和所述氧化层，形成第二抗反射层，使所述第二抗反射层覆盖在所述半导体衬底上表面以及填充所述第一沟槽；步骤S5、形成第二光阻层，使所述第二光阻层覆盖在所述第二抗反射层的上表面以及填充所述第二抗反射层的空隙；步骤S6、对所述第二光阻...

【技术特征摘要】
1.一种改善深沟槽隔离焦深工艺窗口的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1、提供一半导体衬底，所述半导体衬底上表面依次覆盖有氧化层、第一抗反射层和第一光阻层；步骤S2、对所述第一光阻层进行光刻，以在所述第一光阻层露出需要刻蚀沟槽的位置；步骤S3、刻蚀所述第一抗反射层、所述氧化层和所述半导体衬底，以在所述半导体衬底中形成第一沟槽；步骤S4、去除所述第一光阻层、所述第一抗反射层和所述氧化层，形成第二抗反射层，使所述第二抗反射层覆盖在所述半导体衬底上表面以及填充所述第一沟槽；步骤S5、形成第二光阻层，使所述第二光阻层覆盖在所述第二抗反射层的上表面以及填充所述第二抗反射层的空隙；步骤S6、对所述第二光阻层进行光刻，以形成初始工艺窗口；步骤S7、形成水溶性有机化合物层，使所述水溶性有机化合物层覆盖在所述第二光阻层的上表面以及填充所述初始工艺窗口；步骤S8、对覆盖有所述水溶性有机化合物层的所述第二光阻层进行高温烘烤，以形成最终工艺窗口；步骤S9、刻蚀所述第二抗反射层和所述半导体衬底，以在所述半导体衬底中形成第二沟槽；步骤S10、去除所述第二抗反射层、所述第二光阻层和所述水溶性有机化合物层；其中，...

【专利技术属性】
技术研发人员：熊易斯，
申请(专利权)人：武汉新芯集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42