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本发明涉及一种改善深沟槽隔离焦深工艺窗口的方法，包括以下步骤：提供一半导体衬底，所述半导体衬底上表面依次覆盖有氧化层、第一抗反射层和第一光阻层；对所述第一光阻层进行曝光；刻蚀；去除所述第一光阻层、所述第一抗反射层和所述氧化层，形成第二抗反射...
该专利属于武汉新芯集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉新芯集成电路制造有限公司授权不得商用。

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