标准单元制造技术
【技术实现步骤摘要】
标准单元相关申请的交叉参考本申请主张在2016年10月17日在韩国知识产权局提出申请的韩国专利申请第10-2016-0134544号的权利以及在2017年8月11日在美国专利及商标局提出申请的美国专利申请第15/674,931号的权利，所述韩国专利申请及美国专利申请的公开内容全文并入本案供参考。
本专利技术概念涉及一种集成电路，且更具体来说涉及一种包括标准单元(standardcell)的集成电路及/或一种根据所述集成电路制造的半导体元件。
技术介绍
随着半导体加工技术的发展，已迅速地对集成电路的尺寸进行按比例缩小，且近来，集成电路中所包括的标准单元的高度已减小。在包括交叉耦合结构的集成电路中，期望提供一种过程风险模式(processriskpattern)被消除且不违犯设计约束的布局。
技术实现思路
本专利技术的至少一个实施例涉及一种标准单元。在一个实施例中，所述标准单元包括：第一有源区及第二有源区，在所述第一有源区与所述第二有源区之间界定中间区；以及第一栅极线、第二栅极线及第三栅极线，与所述第一有源区及所述第二有源区交叉且与所述中间区交叉。所述第一栅极线在所述中间...
【技术保护点】
一种标准单元，其特征在于，包括：第一有源区及第二有源区，在所述第一有源区与所述第二有源区之间界定中间区；以及第一栅极线、第二栅极线及第三栅极线，与所述第一有源区及所述第二有源区交叉且与所述中间区交叉，所述第一栅极线在所述中间区中被第一间隙绝缘层划分成上部第一栅极线及下部第一栅极线，所述第二栅极线未被划分，且所述第三栅极线在所述中间区中被第二间隙绝缘层划分成上部第三栅极线及下部第三栅极线。
【技术特征摘要】
2016.10.17 KR 10-2016-0134544;2017.08.11 US 15/6741.一种标准单元，其特征在于，包括：第一有源区及第二有源区，在所述第一有源区与所述第二有源区之间界定中间区；以及第一栅极线、第二栅极线及第三栅极线，与所述第一有源区及所述第二有源区交叉且与所述中间区交叉，所述第一栅极线在所述中间区中被第一间隙绝缘层划分成上部第一栅极线及下部第一栅极线，所述第二栅极线未被划分，且所述第三栅极线在所述中间区中被第二间隙绝缘层划分成上部第三栅极线及下部第三栅极线。2.根据权利要求1所述的标准单元，其特征在于，所述第一有源区及所述第二有源区沿第一方向延伸且沿第二方向平行地排列，且所述第二方向垂直于所述第一方向。3.根据权利要求2所述的标准单元，其特征在于，所述第一栅极线、所述第二栅极线及所述第三栅极线沿所述第二方向延伸且沿所述第一方向平行地排列。4.根据权利要求3所述的标准单元，其特征在于，所述第一间隙绝缘层比所述第一有源区更靠近所述第二有源区，且所述第二间隙绝缘层比所述第二有源区更靠近所述第一有源区。5.根据权利要求4所述的标准单元，其特征在于，进一步包括：第一层间绝缘层，位于所述第一栅极线、所述第二栅极线及所述第三栅极线之上。6.根据权利要求5所述的标准单元，其特征在于，所述第一层间绝缘层的部分形成所述第一间隙绝缘层及所述第二间隙绝缘层。7.根据权利要求5所述的标准单元，其特征在于，所述第一间隙绝缘层与所述第一层间绝缘层分别是单独的层，且所述第二间隙绝缘层与所述第一层间绝缘层分别是单独的层。8.根据权利要求4所述的标准单元，其特征在于，所述第一栅极线、所述第二栅极线及所述第三栅极线根据节距沿所述第一方向排列，所述第一间隙绝缘层具有的宽度小于所述节距的两倍且大于所述第一栅极线的宽度，且所述第二间隙绝缘层具有的宽度小于所述节距的两倍且大于所述第三栅极线的宽度。9.根据权利要求8所述的标准单元，其特征在于，所述第一间隙绝缘层的所述宽度等于所述节距，且所述第二间隙绝缘层的所述宽度等于所述节距。10.根据权利要求8所述的标准单元，其特征在于，所述第一间隙绝缘层的所述宽度等于所述第二间隙绝缘层的所述宽度。11.根据权利要求8所述的标准单元，其特征在于，所述第一间隙绝缘层的所述宽度不等于所述第二间隙绝缘层的所述宽度。12.根据权利要求3所述的标准单元，其特征在于，进一步包括：多个第一鳍，在所述第一有源区中沿所述第一方向延伸且沿所述第二方向平行地排列；多个第二鳍，在所述第二有源区中沿所述第一方向延伸且沿所述第二方向排列，且其中所述第一栅极线、所述第二栅极线及所述第三...
【专利技术属性】
技术研发人员：李昇映，郑钟勋，姜明昊，都桢湖，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR
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