一种静电保护用LEMDS_SCR器件制造技术

本发明专利技术公开了一种静电保护用LEMDS_SCR器件，包括深埋氧层、P型陷区、衬底和N型漂移区，所述衬底位于所述深埋氧层的上方，所述P型陷区和N型漂移区位于所述衬底的表面，所述N型漂移区远离P型陷区的一侧具有P+掺杂区和N+掺杂区，所述P+掺杂区和N+掺杂区的下方设置有一个嵌入的P+注入区，所述嵌入的P+注入区位于N型漂移区里面。本发明专利技术通过在P+掺杂区与N+掺杂区下掺杂嵌入的P+注入区，使得N+区域／P+注入区率先发生雪崩击穿，产生的大量非平衡载流子再进一步去触发N漂移区／P+衬底的反向PN结，从而使得寄生SCR加速开启，将瞬态的过冲电压钳位在一个安全的值，从而对内部核心电路的栅氧化层起到有效的保护作用。

【技术实现步骤摘要】
一种静电保护用LEMDS_SCR器件
本专利技术涉及微电子领域，特别涉及一种静电保护用LEMDS_SCR器件。
技术介绍
随着半导体卡紧日趋小型化、高密度和多功能，特别像便携式产品等对主板面积要求比较严格，很容易受到静电放电（Electro-Staticdischarge,ESD）的影响，在SOI工艺下的横向扩散金属氧化物半导体可控硅保护器件（Laterallydiffusedmetaloxidesemiconductor-Siliconcontrolledrectifier,LDMOS-SCR）广泛应用于LDMOS的ESD保护，在人体放电模式（Human-BodyModel,HBM）事件下能起到有效的ESD保护作用。但是在组件充电模式（Charged-DeviceModel,CDM）事件下LDMOS-SCR却不能起到有效的保护作用，这主要是因为CDM事件的特点是速度快、过充大，但是LDMOS-SCR其开启时间较长，在CDM事件到来时不能及时开启，导致电压过冲击穿栅氧化层从而造成内部核心电路的瘫痪。如图1所示，为了改善LDMOS的抗ESD性能，可以采用内嵌SCR的LDMOS结构(LD本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种静电保护用LEMDS_SCR器件，包括深埋氧层、P型陷区、衬底和N型漂移区，所述衬底位于所述深埋氧层的上方，所述P型陷区和N型漂移区位于所述衬底的表面，其特征在于，所述N型漂移区远离P型陷区的一侧具有P+掺杂区和N+掺杂区，所述P+掺杂区和N+掺杂区的下方设置有一个嵌入的P+注入区，所述嵌入的P+注入区位于N型漂移区里面。

【技术特征摘要】
1.一种静电保护用LEMDS_SCR器件，包括深埋氧层、P型陷区、衬底和N型漂移区，所述衬底位于所述深埋氧层的上方，所述P型陷区和N型漂移区位于所述衬底的表面，其特征在于，所述N型漂移区远离P型陷区的一侧具有P+掺杂区和N+掺杂区，所述P+掺杂区和N+掺杂区的下方设置有一个嵌入的P+注入区，所述嵌入的P+注入区位于N型漂移区里面。2.根据权利要求1所述的静电保护用LEMDS_SCR器件，其特征在于，所述P+掺杂区与所述N+掺杂区相邻，所述P+掺杂区相比N+掺杂区更靠近P型陷区。3.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：张立国，孟庆晓，傅博，
申请(专利权)人：深圳震有科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44