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本发明公开了一种静电保护用LEMDS_SCR器件，包括深埋氧层、P型陷区、衬底和N型漂移区，所述衬底位于所述深埋氧层的上方，所述P型陷区和N型漂移区位于所述衬底的表面，所述N型漂移区远离P型陷区的一侧具有P+掺杂区和N+掺杂区，所述P+掺杂...
该专利属于深圳震有科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳震有科技股份有限公司授权不得商用。

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