晶圆键合方法及其键合装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种晶圆键合方法及其键合装置，所述键合方法包括：提供氮化镓晶圆与碳化硅晶圆；在所述氮化镓晶圆与碳化硅晶圆上均形成无定型碳化硅；将所述氮化镓晶圆与碳化硅晶圆形成有所述无定型碳化硅的一面进行键合，并且在键合过程中进行微波退火；所述氮化镓晶圆与碳化硅晶圆上的无定型碳化硅通过微波退火转换为结晶碳化硅，从而使氮化镓晶圆与碳化硅晶圆完成键合，提高了键合的效率，从而提高了氮化镓基半导体器件的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
晶圆键合方法及其键合装置
本专利技术涉及半导体制造领域，特别涉及一种晶圆键合方法及其键合装置。
技术介绍
氮化镓(GaN)基半导体具有优良的材料性质，诸如，大的能隙、高的热稳定性及化学稳定性、高的电子饱和速度等等。此外，使用氮化镓基半导体的电子器件具有各种优点，诸如，高击穿电场、高的最大电流密度、在高温下稳定的工作特性等等。由于这样的材料性质，氮化镓基半导体不仅可以应用于光学器件，而且可以应用于高频且高功率的电子器件以及高功率器件。由于很难获得质量良好的氮化镓单晶衬底，目前氮化镓材料外延生产工艺中，具有与氮化镓晶格失配和热失配较小且价格经济的蓝宝石占了主导地位。但是由于蓝宝石的导热性能差，使得氮化镓基器件的散热问题比较严重，尤其是大电流密度注入下，高的产热量使器件温度升高从而严重影响器件性能。虽然，碳化硅(SiC)衬底可以用来代替蓝宝石衬底以改善散热特性，但是碳化硅衬底相对昂贵，由此制造氮化镓基半导体器件的总成本增大。为了改善这种情况，利用键合和研磨技术将氮化镓基外延结构转移到导热性好的衬底上，是实现大电流密度注入下氮化镓基半导体器件的关键。一般情况下，将形成有氮化镓外延层的晶圆与由本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶圆键合方法，其特征在于，包括以下步骤：提供氮化镓晶圆与碳化硅晶圆；在所述氮化镓晶圆与碳化硅晶圆上均形成无定型碳化硅；将所述氮化镓晶圆与碳化硅晶圆形成有所述无定型碳化硅的一面进行键合，并且在键合过程中进行微波退火。

【技术特征摘要】
1.一种晶圆键合方法，其特征在于，包括以下步骤：提供氮化镓晶圆与碳化硅晶圆；在所述氮化镓晶圆与碳化硅晶圆上均形成无定型碳化硅；将所述氮化镓晶圆与碳化硅晶圆形成有所述无定型碳化硅的一面进行键合，并且在键合过程中进行微波退火。2.如权利要求1所述的晶圆键合方法，其特征在于，所述氮化镓晶圆包括单晶硅衬底，以及形成在所述单晶硅衬底上的氮化镓层。3.如权利要求2所述的晶圆键合方法，其特征在于，所述碳化硅晶圆包括碳化硅层，所述碳化硅层为多晶碳化硅。4.如权利要求3所述的晶圆键合方法，其特征在于，在所述碳化硅晶圆上形成有重掺杂的无定型碳化硅。5.如权利要求4所述的晶圆键合方法，其特征在于，键合之后还包括：对所述单晶硅衬底进行研磨，至暴露出所述氮化镓层。6.一种...

【专利技术属性】
技术研发人员：三重野文健，
申请(专利权)人：上海新昇半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31