晶圆键合方法及其键合装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种晶圆键合方法及其键合装置，所述键合方法包括：提供氮化镓晶圆与碳化硅晶圆；在所述氮化镓晶圆与碳化硅晶圆上均形成无定型碳化硅；将所述氮化镓晶圆与碳化硅晶圆形成有所述无定型碳化硅的一面进行键合，并且在键合过程中进行微波退火；所述氮化镓晶圆与碳化硅晶圆上的无定型碳化硅通过微波退火转换为结晶碳化硅，从而使氮化镓晶圆与碳化硅晶圆完成键合，提高了键合的效率，从而提高了氮化镓基半导体器件的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
晶圆键合方法及其键合装置
本专利技术涉及半导体制造领域，特别涉及一种晶圆键合方法及其键合装置。
技术介绍
氮化镓(GaN)基半导体具有优良的材料性质，诸如，大的能隙、高的热稳定性及化学稳定性、高的电子饱和速度等等。此外，使用氮化镓基半导体的电子器件具有各种优点，诸如，高击穿电场、高的最大电流密度、在高温下稳定的工作特性等等。由于这样的材料性质，氮化镓基半导体不仅可以应用于光学器件，而且可以应用于高频且高功率的电子器件以及高功率器件。由于很难获得质量良好的氮化镓单晶衬底，目前氮化镓材料外延生产工艺中，具有与氮化镓晶格失配和热失配较小且价格经济的蓝宝石占了主导地位。但是由于蓝宝石的导热性能差，使得氮化镓基器件的散热问题比较严重，尤其是大电流密度注入下，高的产热量使器件温度升高从而严重影响器件性能。虽然，碳化硅(SiC)衬底可以用来代替蓝宝石衬底以改善散热特性，但是碳化硅衬底相对昂贵，由此制造氮化镓基半导体器件的总成本增大。为了改善这种情况，利用键合和研磨技术将氮化镓基外延结构转移到导热性好的衬底上，是实现大电流密度注入下氮化镓基半导体器件的关键。一般情况下，将形成有氮化镓外延层的晶圆与由多晶碳化硅制备的晶圆进行键合，然后进行退火，抛光，即可得到采用多晶碳化硅做为衬底的氮化镓外延层，该方法可以有效的降低成本，又可以利用碳化硅材料良好的导热性。但是，由于键合时晶圆的热膨胀系数差距较大，导致键合后两个晶圆之间存在较大应力，从而降低了键合成品率，导致氮化镓基半导体器件的成品率减低。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种晶圆键合方法及其键合装置，提高键合成品率，提高氮化镓基半导体器件的可靠性。本专利技术的技术方案是一种晶圆键合方法，包括以下步骤：提供氮化镓晶圆与碳化硅晶圆；在所述氮化镓晶圆与碳化硅晶圆上均形成无定型碳化硅；将所述氮化镓晶圆与碳化硅晶圆形成有所述无定型碳化硅的一面进行键合，并且在键合过程中进行微波退火进一步的，在所述晶圆键合方法中，所述氮化镓晶圆包括单晶硅衬底，以及形成在所述单晶硅衬底上的氮化镓层。进一步的，在所述晶圆键合方法中，所述碳化硅晶圆包括碳化硅层，所述碳化硅层为多晶碳化硅。进一步的，在所述晶圆键合方法中，在所述碳化硅晶圆上形成有重掺杂的无定型碳化硅。进一步的，在所述晶圆键合方法中，键合之后还包括：对所述单晶硅衬底进行研磨，至所述氮化镓层。本专利技术还提供一种晶圆键合装置，包括：承载台、加压台以及微波提供装置；所述承载台用于承载晶圆；所述加压台位于承载台的上方，能够相对于所述承载台上下移动，用于提供压力，完成晶圆的键合；所述微波提供装置用于提供微波；所述加压台上设置有多个通孔，所述微波提供装置通过所述通孔向所述晶圆提供微波。进一步的，在所述晶圆键合装置中，所述通孔在所述加压台上均匀设置。进一步的，在所述晶圆键合装置中，还包括辅助加热装置，设置于所述承载台的下方。进一步的，在所述晶圆键合装置中，所述辅助加热装置包括多个相互平行的灯管，均匀设置于所述承载台的下方。进一步的，在所述晶圆键合装置中，所述承载台与加压台的材质均为陶瓷。与现有技术相比，本专利技术提供的晶圆键合方法及其键合装置，在氮化镓晶圆与碳化硅晶圆上均形成无定型碳化硅，将所述氮化镓晶圆与碳化硅晶圆形成有所述无定型碳化硅的一面进行键合，在键合过程中进行微波退火，氮化镓晶圆与碳化硅晶圆上的无定型碳化硅通过微波退火转换为结晶碳化硅，从而使氮化镓晶圆与碳化硅晶圆完成键合，提高了键合的效率，从而提高了氮化镓基半导体器件的可靠性。附图说明图1为本专利技术一实施例所提供的晶圆键合方法的流程示意图。图2～6为本专利技术一实施例所提供的晶圆键合方法的各步骤结构示意图。图7为本专利技术一实施例所提供的晶圆键合装置的结构示意图。具体实施方式为使本专利技术的内容更加清楚易懂，以下结合说明书附图，对本专利技术的内容做进一步说明。当然本专利技术并不局限于该具体实施例，本领域的技术人员所熟知的一般替换也涵盖在本专利技术的保护范围内。其次，本专利技术利用示意图进行了详细的表述，在详述本专利技术实例时，为了便于说明，示意图不依照一般比例局部放大，不应对此作为本专利技术的限定。本专利技术的核心思想是：在氮化镓晶圆与碳化硅晶圆上均形成无定型碳化硅，将所述氮化镓晶圆与碳化硅晶圆形成有所述无定型碳化硅的一面进行键合，在键合过程中进行微波退火，氮化镓晶圆与碳化硅晶圆上的无定型碳化硅通过微波退火转换为结晶碳化硅，从而使氮化镓晶圆与碳化硅晶圆完成键合，提高了键合的效率，从而提高了氮化镓基半导体器件的可靠性。图1为本专利技术一实施例所提供的晶圆键合方法的流程示意图，如图1所示，本专利技术提出一种晶圆键合方法，包括以下步骤：步骤S01：提供氮化镓晶圆与碳化硅晶圆；步骤S02：在所述氮化镓晶圆与碳化硅晶圆上均形成无定型碳化硅；步骤S03：将所述氮化镓晶圆与碳化硅晶圆形成有所述无定型碳化硅的一面进行键合，并且在键合过程中进行微波退火。图2～6为本专利技术一实施例提供的晶圆键合方法的各步骤结构示意图，请参考图1所示，并结合图2～图6，详细说明本专利技术提出的晶圆键合方法：在步骤S01中，提供氮化镓晶圆10与碳化硅晶圆20，如图2所示。本实施例中，所述氮化镓晶圆10包括单晶硅衬底11，以及形成在所述单晶硅衬底11上的氮化镓层12；所述碳化硅晶圆20包括碳化硅层，所述碳化硅层为多晶碳化硅。在步骤S02中，在所述氮化镓晶圆10与碳化硅晶圆20上均形成无定型碳化硅，如图3所示。在所述氮化镓晶圆10上形成无定型碳化硅13，在所述碳化硅晶圆20上形成无定型碳化硅21。优选的，可以在所述碳化硅晶圆20上形成重掺杂的无定型碳化硅21，也可以在所述氮化镓晶圆10上形成重掺杂的无定型碳化硅13。可以根据实际需求确定是否形成重掺杂的无定型碳化硅。在步骤S03中，将所述氮化镓晶圆10与碳化硅晶圆20形成有所述无定型碳化硅的一面进行键合，并且在键合过程中进行微波退火，如图5所示。首先将所述氮化镓晶圆10上形成有无定型碳化硅13的一面，与所述碳化硅晶圆20上形成无定型碳化硅21的一面进行对位，如图4所示，然后进行加压，并同时进行微波退火，完成所述氮化镓晶圆10与碳化硅晶圆20的键合，形成如图5所示的结构。所述氮化镓晶圆10与碳化硅晶圆20上的无定型碳化硅通过微波退火转换为结晶碳化硅，两个晶圆上的所述无定型碳化硅通过结晶相互结合，从而使得所述氮化镓晶圆10与碳化硅晶圆20相结合，由此避免了现有技术中两个晶圆键合时由于热膨胀系数差距较大而导致的问题，提高了键合的效率，从而提高了氮化镓基半导体器件的可靠性。之后还包括：对所述单晶硅衬底11进行研磨，至暴露出所述氮化镓层12，形成如图6所示的结构，最终形成以碳化硅20做为衬底的氮化镓外延层12。本专利技术提供的晶圆键合方法，在氮化镓晶圆与碳化硅晶圆上均形成无定型碳化硅，将所述氮化镓晶圆与碳化硅晶圆形成有所述无定型碳化硅的一面进行键合，在键合过程中进行微波退火，氮化镓晶圆与碳化硅晶圆上的无定型碳化硅通过微波退火转换为结晶碳化硅，从而使氮化镓晶圆与碳化硅晶圆完成键合，提高了键合的效率，从而提高了氮化镓基半导体器件的可靠性。相应的，本专利技术还提供一种晶圆键合装置，图7为本专利技术一实施例所提供的晶圆键合装置的结构示意图，如图7所示，本专利技术提出一种晶圆键合装置本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶圆键合方法，其特征在于，包括以下步骤：提供氮化镓晶圆与碳化硅晶圆；在所述氮化镓晶圆与碳化硅晶圆上均形成无定型碳化硅；将所述氮化镓晶圆与碳化硅晶圆形成有所述无定型碳化硅的一面进行键合，并且在键合过程中进行微波退火。

【技术特征摘要】
1.一种晶圆键合方法，其特征在于，包括以下步骤：提供氮化镓晶圆与碳化硅晶圆；在所述氮化镓晶圆与碳化硅晶圆上均形成无定型碳化硅；将所述氮化镓晶圆与碳化硅晶圆形成有所述无定型碳化硅的一面进行键合，并且在键合过程中进行微波退火。2.如权利要求1所述的晶圆键合方法，其特征在于，所述氮化镓晶圆包括单晶硅衬底，以及形成在所述单晶硅衬底上的氮化镓层。3.如权利要求2所述的晶圆键合方法，其特征在于，所述碳化硅晶圆包括碳化硅层，所述碳化硅层为多晶碳化硅。4.如权利要求3所述的晶圆键合方法，其特征在于，在所述碳化硅晶圆上形成有重掺杂的无定型碳化硅。5.如权利要求4所述的晶圆键合方法，其特征在于，键合之后还包括：对所述单晶硅衬底进行研磨，至暴露出所述氮化镓层。6.一种...

【专利技术属性】
技术研发人员：三重野文健，
申请(专利权)人：上海新昇半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31