一种提高晶圆界面悬挂键键合的方法技术

本发明专利技术提供了一种提高晶圆界面悬挂键键合的方法，应用于键合工艺的晶圆，其中，晶圆具有一键合界面，键合界面的硅原子具有悬挂键；提供一第一反应腔体，用以放置晶圆；包括以下步骤：步骤S1、向第一反应腔体中通入氧气；步骤S2、对通入的反应气体进行解离以在键合界面形成一层氧离子层；步骤S3、于氧离子层上依次沉积一介电层以及一保护层以形成一复合结构；步骤S4、通过退火工艺对复合结构进行处理，使位于介电层与键合界面之间的氧原子与悬挂键键合。其技术方案的有效果在于，效的提高了晶圆界面上悬挂键的键合程度，减少因为悬挂键的键合程度对器件的性能造成不利影响。

【技术实现步骤摘要】
一种提高晶圆界面悬挂键键合的方法
本专利技术涉及半导体制备
，尤其涉及一种提高晶圆界面悬挂键键合的方法。
技术介绍
在晶圆的制造过程中，如图1所示，在晶圆的键合界面上每个Si原子的周围都有四对共价键，而键合界面处的硅原子上方没有其它硅原子，此时就构成了一些不饱和的“悬挂键”，提高这些选悬挂键的键合程度则有利于提高器件的性能，现有的键合悬挂键的方法，主要是在键合界面进行后续的沉积氧化物介质层时，将氧化物介质层中所存在的少量氧原子与键合界面上的悬挂键进行键合，但是这种方式存在键合程度较低，影响最终器件的噪点性能的问题。
技术实现思路
针对现有技术中键合界面上的悬挂键键合存在的上述问题，现提供一种旨在有效提高晶圆界面上悬挂键的键合程度，减少因为悬挂键的键合程度低对器件的性能造成不利影响的方法。具体技术方案如下：一种提高晶圆界面悬挂键键合的方法，应用于键合工艺的晶圆，其中，所述晶圆具有一键合界面，所述键合界面的硅原子具有悬挂键，提供一第一反应腔体；包括以下步骤：步骤S1、向所述第一反应腔体中通入氧气气体；步骤S2、对通入的所述反应气体进行解离以在所述键合界面形成一层氧离子层；步骤S3、于氧本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种提高晶圆界面悬挂键键合的方法，应用于键合工艺的晶圆，其特征在于，所述晶圆具有一键合界面，所述键合界面的硅原子具有悬挂键；提供一第一反应腔体，用以放置所述晶圆；包括以下步骤：步骤S1、向所述第一反应腔体中通入氧气；步骤S2、对通入的所述氧气进行解离以在所述键合界面形成一层氧离子层；步骤S3、于所述氧离子层上依次沉积一介电层以及一保护层以形成一复合结构；步骤S4、通过退火工艺对所述复合结构进行处理，使位于所述介电层与所述键合界面之间的所述离子层中的氧原子与所述悬挂键键合。

【技术特征摘要】
1.一种提高晶圆界面悬挂键键合的方法，应用于键合工艺的晶圆，其特征在于，所述晶圆具有一键合界面，所述键合界面的硅原子具有悬挂键；提供一第一反应腔体，用以放置所述晶圆；包括以下步骤：步骤S1、向所述第一反应腔体中通入氧气；步骤S2、对通入的所述氧气进行解离以在所述键合界面形成一层氧离子层；步骤S3、于所述氧离子层上依次沉积一介电层以及一保护层以形成一复合结构；步骤S4、通过退火工艺对所述复合结构进行处理，使位于所述介电层与所述键合界面之间的所述离子层中的氧原子与所述悬挂键键合。2.根据权利要求1所述的提高晶圆界面悬挂键键合的方法，其特征在于，通过物理气相沉积工艺于所述氧离子层上沉积形成所述介电层。3.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：王喜龙，
申请(专利权)人：武汉新芯集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42