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本发明提供了一种提高晶圆界面悬挂键键合的方法，应用于键合工艺的晶圆，其中，晶圆具有一键合界面，键合界面的硅原子具有悬挂键；提供一第一反应腔体，用以放置晶圆；包括以下步骤：步骤S1、向第一反应腔体中通入氧气；步骤S2、对通入的反应气体进行解离...该专利属于武汉新芯集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉新芯集成电路制造有限公司授权不得商用。
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本发明提供了一种提高晶圆界面悬挂键键合的方法，应用于键合工艺的晶圆，其中，晶圆具有一键合界面，键合界面的硅原子具有悬挂键；提供一第一反应腔体，用以放置晶圆；包括以下步骤：步骤S1、向第一反应腔体中通入氧气；步骤S2、对通入的反应气体进行解离...