存储器编程方法、存储器控制电路单元及其存储装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种存储器编程方法、存储器控制电路单元及其存储装置，用于编程的可复写式非易失性存储器的实体抹除单元。本方法包括使用第一编程参数组将第一数据串编程至第一实体编程单元，其中第一实体编程单元是由此实体抹除单元的第一位线串与实体抹除单元的第一字线层交错处上的存储单元所构成。此外，本方法还包括在将第一数据串完整地编程至第一实体编程单元的所有存储单元之后，使用第二编程参数组将第一数据串再次编程至第一实体编程单元的所有存储单元。

Memory programming method, memory control circuit unit and storage device thereof

The invention relates to a memory programming method, a memory control circuit unit and a storage device, which is used for programming an entity erasing unit of a rewritable nonvolatile memory. The method includes programming the first data string to the first entity programming unit using the first programming parameter group, in which the first entity programming unit is formed by the storage unit of the first line string of the entity erasing unit and the first line layer interlacing of the entity erasing unit. In addition, the method also includes reprogramming the first data string again to all storage units of the first entity programming unit after the first data string is fully programmed to all the storage units of the first entity programming unit, and the first data string is reprogrammed with the second programming parameter group.

【技术实现步骤摘要】
存储器编程方法、存储器控制电路单元及其存储装置
本专利技术涉及一种存储器编程方法，尤其涉及一种用于可复写式非易失性存储器模块的存储器编程方法及使用此方法的存储器控制电路单元与存储器存储装置。
技术介绍
数码相机、移动电话与MP3播放器在这几年来的成长十分迅速，使得消费者对存储介质的需求也急速增加。由于可复写式非易失性存储器模块(例如，闪存存储器)具有数据非易失性、省电、体积小，以及无机械结构等特性，所以非常适合内建于上述所举例的各种便携式多媒体装置中。一般来说，控制电路会通过对字线(或字线层)施加电压，并且通过位线对可复写式非易失性存储器模块中所选择的存储单元进行编程(programming)，以存储数据。目前对于市场大容量的存储需求，目前已发展出一个存储单元存储3个数据比特的可复写式非易失性存储器模块。然而，随着制程技术的越来越精细，要在存储3个数据比特的存储单元中正确地识别出临界电压分布也更为困难。因此，如何确保编程至可复写式非易失性存储器模块的数据的可靠度，是此领域技术人员所致力的欲解决的课题。
技术实现思路
本专利技术提供一种存储器编程方法、存储器控制电路单元与存储器存储装置，其能够有效地提升存储数据的可靠度。本专利技术的一范例实施例提出一种存储器编程方法，用于可复写式非易失性存储器的实体抹除单元。此可复写式非易失性存储器的实体抹除单元包括多个字线层与多个位线串，此些位线串之中的每一个位线串沿第一方向彼此分离开来排列，此些位线串之中的每一个位线串包括多条位线，此些位线沿第二方向延伸且沿第三方向彼此分离开来排列，此些字线层沿第二方向堆叠且此些字线层之间彼此分离开来，并且每一字线层与每一位线的交错处具有存储单元，此些位线串之中的任一个位线串与此些字线层之中的任一个字线层交错处上的存储单元构成至少一实体编程单元。此存储器编程方法包括使用第一编程参数组将第一数据串编程至实体抹除单元的至少一第一实体编程单元，其中第一实体编程单元是由此些位线串之中的第一位线串与此些字线层之中的第一字线层交错处上的存储单元所构成。此存储器编程方法还包括，在将第一数据串完整地编程至第一实体编程单元的所有存储单元之后，使用第二编程参数组将第一数据串再次编程至第一实体编程单元的所有存储单元。在本专利技术的一范例实施例中，上述在将第一数据串完整地编程至第一实体编程单元之后，使用第二编程参数组将第一数据串再次编程至第一实体编程单元的步骤包括：在将第一数据串完整地编程至第一实体编程单元之后，立即使用第二编程参数组将第一数据串再次编程至第一实体编程单元。在本专利技术的一范例实施例中，上述在将第一数据串完整地编程至第一实体编程单元之后，使用第二编程参数组将第一数据串再次编程至第一实体编程单元的步骤包括：在将第一数据串完整地编程至第一实体编程单元之后，从第一实体编程单元中读取第一数据串，对从第一实体编程单元中读取的第一数据串执行错误检查与校正操作并且判断发生在从第一实体编程单元中读取的第一数据串上的错误比特的数目是否大于预先定义值；以及仅当发生在从第一实体编程单元中读取的第一数据串上的错误比特的数目大于预先定义值时，执行上述使用第二编程参数组将第一数据串再次编程至第一实体编程单元的步骤。在本专利技术的一范例实施例中，上述第一编程参数组包括第一写入电压组、第一写入电压脉冲时间和第一验证电压组且第二编程参数组包括第二写入电压组、第二写入电压脉冲时间和第二验证电压组，其中第一写入电压组不同于第二写入电压组。在本专利技术的一范例实施例中，上述第一编程参数组包括第一写入电压组、第一写入电压脉冲时间和第一验证电压组且第二编程参数组包括第二写入电压组、第二写入电压脉冲时间和第二验证电压组，其中第一验证电压组不同于第二验证电压组。在本专利技术的一范例实施例中，上述第二编程参数组相同于上述第一编程参数组。在本专利技术的一范例实施例中，在将第一数据串完整地编程至第一实体编程单元的所有存储单元之后，第一实体编程单元的存储单元可被正常地读取，并且从第一实体编程单元的存储单元中读取的数据相同于第一数据串。本专利技术的一范例实施例提出一种用于可复写式非易失性存储器模块的存储器控制电路单元。此可复写式非易失性存储器模块包括一个实体抹除单元，此实体抹除单元包括多个字线层与多个位线串，此些位线串之中的每一个位线串沿第一方向彼此分离开来排列，此些位线串之中的每一个位线串包括多条位线，此些位线沿第二方向延伸且沿第三方向彼此分离开来排列，此些字线层沿第二方向堆叠且此些字线层之间彼此分离开来，并且每一字线层与每一位线的交错处具有存储单元，此些位线串之中的任一个位线串与此些字线层之中的任一个字线层交错处上的存储单元构成至少一实体编程单元。此存储器控制电路单元包括：主机接口、存储器接口和存储器管理电路。存储器管理电路电性连接至主机接口与存储器接口。主机接口用以电性连接至主机系统，并且存储器接口用以电性连接至可复写式非易失性存储器模块。存储器管理电路用以下达一第一指令序列以使用第一编程参数组将第一数据串编程至实体抹除单元的至少一第一实体编程单元，其中第一实体编程单元是由此些位线串之中的第一位线串与此些字线层之中的第一字线层交错处上的存储单元所构成。在将第一数据串完整地编程至第一实体编程单元的所有存储单元之后，存储器管理电路下达一第二指令序列以使用第二编程参数组将第一数据串再次编程至第一实体编程单元的所有存储单元。在本专利技术的一范例实施例中，在将第一数据串完整地编程至第一实体编程单元之后，使用第二编程参数组将第一数据串再次编程至第一实体编程单元的运作中，存储器管理电路在将第一数据串完整地编程至第一实体编程单元之后，立即使用第二编程参数组将第一数据串再次编程至第一实体编程单元。在本专利技术的一范例实施例中，在将第一数据串完整地编程至第一实体编程单元之后，使用第二编程参数组将第一数据串再次编程至第一实体编程单元的运作中，在将第一数据串完整地编程至第一实体编程单元之后，存储器管理电路从第一实体编程单元中读取第一数据串，对从第一实体编程单元中读取的第一数据串执行错误检查与校正操作并且判断发生在从第一实体编程单元中读取的第一数据串上的错误比特的数目是否大于预先定义值。并且，仅当发生在从第一实体编程单元中读取的第一数据串上的错误比特的数目大于预先定义值时，存储器管理电路执行上述使用第二编程参数组将第一数据串再次编程至第一实体编程单元的运作。本专利技术的一范例实施例提出一种存储器存储装置，其包括用以电性连接至主机系统的连接接口单元、可复写式非易失性存储器模块与电性连接至连接接口单元与可复写式非易失性存储器模块的上述存储器控制电路单元。此存储器控制电路单元包括：主机接口、存储器接口和存储器管理电路。主机接口用以电性连接至主机系统，存储器接口用以电性连接至可复写式非易失性存储器模块，且存储器管理电路电性连接至主机接口与存储器接口。基于上述，本专利技术范例实施例的存储器编程方法、存储器控制电路单元与存储器存储装置能够有效地提升存储数据的可靠度，避免数据遗失。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。附图说明图1是根据第一范例实施例所示出的主机系统、存储器存储装置及输入/输出(I/O)装置的示意图。图2是根据另一范本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储器编程方法，用于可复写式非易失性存储器的至少一实体抹除单元，其中所述至少一实体抹除单元包括多个字线层与多个位线串，所述多个位线串之中的每一个位线串沿第一方向彼此分离开来排列，所述多个位线串之中的每一个位线串包括多条位线，所述多个位线沿第二方向延伸且沿第三方向彼此分离开来排列，所述多个字线层沿所述第二方向堆叠且所述多个字线层之间彼此分离开来，并且每一字线层与每一位线的交错处具有存储单元，所述多个位线串之中的任一个位线串与所述多个字线层之中的任一个字线层交错处上的存储单元构成至少一实体编程单元，所述存储器编程方法包括：使用第一编程参数组将第一数据串编程至所述实体抹除单元的至少一第一实体编程单元，其中所述至少一第一实体编程单元是由所述多个位线串之中的第一位线串与所述多个字线层之中的第一字线层交错处上的存储单元所构成；以及在将所述第一数据串完整地编程至所述至少一第一实体编程单元的所有存储单元之后，使用第二编程参数组将所述第一数据串再次编程至所述至少一第一实体编程单元的所有存储单元。

【技术特征摘要】
1.一种存储器编程方法，用于可复写式非易失性存储器的至少一实体抹除单元，其中所述至少一实体抹除单元包括多个字线层与多个位线串，所述多个位线串之中的每一个位线串沿第一方向彼此分离开来排列，所述多个位线串之中的每一个位线串包括多条位线，所述多个位线沿第二方向延伸且沿第三方向彼此分离开来排列，所述多个字线层沿所述第二方向堆叠且所述多个字线层之间彼此分离开来，并且每一字线层与每一位线的交错处具有存储单元，所述多个位线串之中的任一个位线串与所述多个字线层之中的任一个字线层交错处上的存储单元构成至少一实体编程单元，所述存储器编程方法包括：使用第一编程参数组将第一数据串编程至所述实体抹除单元的至少一第一实体编程单元，其中所述至少一第一实体编程单元是由所述多个位线串之中的第一位线串与所述多个字线层之中的第一字线层交错处上的存储单元所构成；以及在将所述第一数据串完整地编程至所述至少一第一实体编程单元的所有存储单元之后，使用第二编程参数组将所述第一数据串再次编程至所述至少一第一实体编程单元的所有存储单元。2.根据权利要求1所述的存储器编程方法，其中在将所述第一数据串完整地编程至所述至少一第一实体编程单元之后，使用所述第二编程参数组将所述第一数据串再次编程至所述至少一第一实体编程单元的步骤包括：在将所述第一数据串完整地编程至所述至少一第一实体编程单元之后，立即使用所述第二编程参数组将所述第一数据串再次编程至所述至少一第一实体编程单元。3.根据权利要求1所述的存储器编程方法，其中在将所述第一数据串完整地编程至所述至少一第一实体编程单元之后，使用所述第二编程参数组将所述第一数据串再次编程至所述至少一第一实体编程单元的步骤包括：在将所述第一数据串完整地编程至所述至少一第一实体编程单元之后，从所述至少一第一实体编程单元中读取所述第一数据串；对从所述至少一第一实体编程单元中读取的所述第一数据串执行错误检查与校正操作并且判断发生在从所述至少一第一实体编程单元中读取的所述第一数据串上的错误比特的数目是否大于预先定义值；以及仅当发生在从所述至少一第一实体编程单元中读取的所述第一数据串上的错误比特的数目大于所述预先定义值时，执行上述使用所述第二编程参数组将所述第一数据串再次编程至所述至少一第一实体编程单元的步骤。4.根据权利要求1所述的存储器编程方法，其中所述第一编程参数组包括第一写入电压组、第一写入电压脉冲时间和第一验证电压组且所述第二编程参数组包括第二写入电压组、第二写入电压脉冲时间和第二验证电压组，其中所述第一写入电压组不同于所述第二写入电压组。5.根据权利要求1所述的存储器编程方法，其中所述第一编程参数组包括第一写入电压组、第一写入电压脉冲时间和第一验证电压组且所述第二编程参数组包括第二写入电压组、第二写入电压脉冲时间和第二验证电压组，其中所述第一验证电压组不同于所述第二验证电压组。6.根据权利要求1所述的存储器编程方法，其中所述第二编程参数组相同于所述第一编程参数组。7.根据权利要求1所述的存储器编程方法，其中在将所述第一数据串完整地编程至所述至少一第一实体编程单元的所有存储单元之后，所述至少一第一实体编程单元的存储单元可被正常地读取，并且从所述至少一第一实体编程单元的存储单元中读取的数据相同于所述第一数据串。8.一种存储器控制电路单元，用于存取可复写式非易失性存储器模块，所述存储器控制电路单元包括：主机接口，用以电性连接至主机系统；存储器接口，用以电性连接至所述可复写式非易失性存储器模块，其中所述可复写式非易失性存储器模块具有至少一实体抹除单元，所述至少一实体抹除单元包括多个字线层与多个位线串，所述多个位线串之中的每一个位线串沿第一方向彼此分离开来排列，所述多个位线串之中的每一个位线串包括多条位线，所述多个位线沿第二方向延伸且沿第三方向彼此分离开来排列，所述多个字线层沿所述第二方向堆叠且所述多个字线层之间彼此分离开来，并且每一字线层与每一位线的交错处具有存储单元，所述多个位线串之中的任一个位线串与所述多个字线层之中的任一个字线层交错处上的存储单元构成至少一实体编程单元；以及存储器管理电路，电性连接至所述主机接口与所述存储器接口，其中所述存储器管理电路用以下达第一指令序列，以使用第一编程参数组将第一数据串编程至所述实体抹除单元的至少一第一实体编程单元，其中所述至少一第一实体编程单元是由所述多个位线组之中的第一位线串与所述多个字线层之中的第一字线层交错处上的存储单元所构成，其中所述存储器管理电路更用以在将所述第一数据串完整地编程至所述至少一第一实体编程单元的所有存储单元之后，下达第二指令序列，以使用第二编程参数组将所述第一数据串再次编程至所述至少一第一实体编程单元的所有存储单元。9.根据权利要求8所述的存储器控制电路单元，其中在将所述第一数据串完整地编程至所述至少一第一实体编程单元之后，使用所述第二编程参数组将所述第一数据串再次编程至所述至少一第一实体编程单元的运作中，所述存储器管理电路在将所述第一数据串完整地编程至所述至少一第一实体编程单元之后，立即使用所述第二编程参数组将所述第一数据串再次编程至所述至少一第一实体编程单元。10.根据权利要求8所述的存储器控制电路单元，其中在将所述第一数据串完整地编程至所述至少一第一实体编程单元之后，使用所述第二编程参数组将所述第一数据串再次编程至所述至少一第...

【专利技术属性】
技术研发人员：林纬，许祐诚，陈思玮，
申请(专利权)人：群联电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71