四原色LED芯片的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种四原色LED芯片的制备方法，包括：步骤a、制备蓝光结构；步骤b、在所述蓝光结构上制备红光灯芯槽；步骤c、在所述红光灯芯槽内制备红光材料形成红光结构；步骤d、在所述蓝光结构上且在所述红光结构之间制备绿光灯芯槽；步骤e、在所述绿光灯芯槽内制备绿光材料形成绿光结构；步骤f、划片并制作电极。本发明专利技术实施例，该四原色LED芯片制备方法将四色发光材料集成到单一芯片上，制备工艺简单，制作成本较低，且制备出的四原色LED芯片发光效率高、集成度高体积小。

【技术实现步骤摘要】
四原色LED芯片的制备方法
本专利技术属于LED芯片
，具体涉及一种四原色LED芯片的制备方法。
技术介绍
LED发光芯片，主要功能是把电能转化为光能，芯片的主要材料为单晶硅,是液晶显示屏的主要组成部件。四色技术推翻了彩色电视诞生以来所采用的红、绿、蓝三原色组合来表现色彩的显示方式，所谓四色技术，就是指在传统液晶面板的RGB(红、绿、蓝)三原色基础上新增加了一个颜色——黄色。通过四色面板技术和电视机回路技术的组合，实现了高画面质量图像的广色域化和高精细化，还有助于大幅降低能源消耗，四原色技术的问世，使普通三原色很难精确描绘的颜色得以准确表现，这是电视机半个世纪历史的革新。但现有的四原色LED芯片通过采用将红色、绿色、蓝色、黄色芯片封装成一个单独的器件使其发出白色的光，采用封装工艺制备的器件会带来体积较大，集成度差，可靠性差等一系列问题，因此如何研制一种高集成度且发光效率高的四原色LED芯片是目前研究的热点问题。
技术实现思路
为了解决现有技术中存在的上述问题，本专利技术提供了一种四原色LED芯片。本专利技术要解决的技术问题通过以下技术方案实现：本专利技术实施例提供了一种四原色LED本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种四原色LED芯片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤a、制备蓝光结构；步骤b、在所述蓝光结构上制备红光灯芯槽；步骤c、在所述红光灯芯槽内制备红光材料形成红光结构；步骤d、在所述蓝光结构上且在所述红光结构之间制备绿光灯芯槽；步骤e、在所述绿光灯芯槽内制备绿光材料形成绿光结构；步骤f、划片并制作电极。

【技术特征摘要】
1.一种四原色LED芯片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤a、制备蓝光结构；步骤b、在所述蓝光结构上制备红光灯芯槽；步骤c、在所述红光灯芯槽内制备红光材料形成红光结构；步骤d、在所述蓝光结构上且在所述红光结构之间制备绿光灯芯槽；步骤e、在所述绿光灯芯槽内制备绿光材料形成绿光结构；步骤f、划片并制作电极。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤a包括：步骤a1、选取衬底；步骤a2、在所述衬底上依次生长蓝光CaN缓冲层、蓝光GaN稳定层、蓝光n型GaN层；步骤a3、在所述蓝光n型GaN层上制备蓝光发光结构；步骤a4、在所述蓝光发光结构上依次生长蓝光p型AlGaN阻挡层、蓝光p型GaN层形成所述蓝光结构。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述衬底的材料为蓝宝石或者SiC。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，步骤b包括：步骤b1、在所述蓝光结构上生长第一SiO2层；步骤b2、采用湿法刻蚀工艺，刻蚀所述第一SiO2层形成红光灯芯窗口；步骤b3、采用干法刻蚀工艺，刻蚀所述红光灯芯窗口内材料直到所述蓝光CaN缓冲层内以形成红光灯芯凹槽；步骤b4、去除所述第一SiO2层；步骤b5、在所述红光灯芯凹槽红光灯芯凹槽内淀积第二SiO2层；步骤b6、刻蚀所述第二SiO2层形成所述红光灯芯槽。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，步骤c包括：在所述红光灯芯槽内依次生长红光GaN缓冲层、n型GaAs缓冲层、n型GaAs稳定层、红光发光结构...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹晓雪，
申请(专利权)人：西安智盛锐芯半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西,61