一种白光有机发光二极管制造技术

本发明专利技术公开了一种白光有机发光二极管。其包括依次层叠的碳化硅衬底、氮化铝缓冲层、阴极层、有机层、阳极层、介质层和玻璃面板，阳极层的折射率大于玻璃面板的折射率，介质层的折射率大于有机层的折射率，有机层包括呈矩阵分布在阴极层上的隔离层以及设置在多个隔离层之间的发光层，发光层的表面向下凹陷形成曲面，发光层由多个氮化镓层和多个氮化镓铝层交错层叠而成，多个氮化镓层中的至少一个氮化镓层中插入有应力缓冲层，应力缓冲层的晶格常数大于氮化镓层和氮化镓铝层的晶格常数。本发明专利技术能够改善出射光的辉度不均匀现象。

【技术实现步骤摘要】
一种白光有机发光二极管
本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种白光有机发光二极管。
技术介绍
现行多数有机发光二极管一般由阴极层、发光层、阳极层和玻璃层依次层叠组成，电子和空穴分别从阴极和阳极注入，在发光层形成激子并激发发光层材料发光。然而，由于发光层的制造工艺大多为溶液涂覆后进行光刻形成，由于溶液涂覆时，液滴容易向边缘转移，进而造成发光层边缘厚度大于中间厚度，这种不均匀的厚度将引起出射光的辉度不均匀现象。
技术实现思路
本专利技术主要解决的技术问题是提供一种白光有机发光二极管，能够改善出射光的辉度不均匀现象。为解决上述技术问题，本专利技术采用的一个技术方案是：提供一种白光有机发光二极管，包括依次层叠的碳化硅衬底、氮化铝缓冲层、阴极层、有机层、阳极层、介质层和玻璃面板，所述阳极层的折射率大于所述玻璃面板的折射率，所述介质层的折射率大于所述有机层的折射率，所述有机层包括呈矩阵分布在所述阴极层上的隔离层以及设置在所述多个隔离层之间的发光层，所述发光层的表面向下凹陷形成曲面，所述发光层由多个氮化镓层和多个氮化镓铝层交错层叠而成，所述多个氮化镓层中的至少一个氮化镓层中插入有应力缓冲层，所述应力缓冲层的晶格常数大于所述氮化镓层和氮化镓铝层的晶格常数。优选的，所述应力缓冲层的材料为GaInAs。优选的，所述应力缓冲层的厚度为0.6nm。优选的，所述应力缓冲层与所述氮化镓层形成共格界面。优选的，所述氮化镓铝层中铝的组分为20-25％。优选的，所述隔离层的截面形状为等腰梯形。本专利技术的有益效果是：区别于现有技术的情况，本专利技术中的有机层具有呈矩阵分布的隔离层以及设置在多个隔离层之间的发光层，利用隔离层的阻挡作用使得使得由形成发光层的溶液不会向边缘转移，并且在发光层的至少一个氮化镓层中插入应力缓冲层，以增强量子阱的张应力作用，使得发光效率明显提升，从而能够改善出射光的辉度不均匀现象。附图说明图1是本专利技术实施例提供的白光有机发光二极管的结构示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。参阅图1，是本专利技术实施例提供的白光有机发光二极管的结构示意图。本实施例的白光有机发光二极管包括依次层叠的碳化硅衬底10、氮化铝缓冲层20、阴极层30、有机层40、阳极层50、介质层60和玻璃面板70。阳极层50的折射率大于玻璃面板70的折射率，介质层60的折射率大于发光层40的折射率。有机层40包括呈矩阵分布在阴极层30上的隔离层40以及设置在多个隔离层41之间的发光层42，发光层42的表面向下凹陷形成曲面。隔离层41的截面形状优选为等腰梯形，发光层42的表面向下凹陷形成曲面，曲面可以增加出射光角度范围。在本实施例中，电子从阴极层30注入，空穴从阳极层50注入，在发光层42形成激子并激发发光层42的材料发光，从发光层42激发的光穿过阳极层50，再通过介质层60从玻璃面板70出射。由于阳极层50的折射率大于玻璃面板70的折射率，介质层60的折射率大于发光层40的折射率，可以使得由发光层42所出射的光大部分能够入射至玻璃面板70。本实施例中的阴极层30可以采用氮化物材料制成，而阳极层50采用透明电极材料(例如为氧化铟锡)制成。发光层42作为有机电致发光来源，发光层42由多个氮化镓层421和多个氮化镓铝层422交错层叠而成，多个氮化镓层421中的至少一个氮化镓层421中插入有应力缓冲层423，应力缓冲层423的晶格常数大于氮化镓层421和氮化镓铝层422的晶格常数。也就是说，多个氮化镓层421和多个氮化镓铝层422构成多量子阱结构，通过晶格失配，可以增强量子阱的张应力作用，使得发光效率明显提升，进而提升出光效率。其中，氮化镓铝层422中铝的组分为20-25％。在本实施例中，为了缓解晶格失配造成的晶体缺陷问题，应力缓冲层423与氮化镓层421形成共格界面，应力缓冲层423的厚度优选为0.6nm。应力缓冲层423的材料优选为GaInAs。通过上述方式，本专利技术实施例的白光有机发光二极管通过在有机层上设置呈矩阵分布的隔离层以及设置在多个隔离层之间的发光层，利用隔离层的阻挡作用使得使得由形成发光层的溶液不会向边缘转移，并且在发光层的至少一个氮化镓层中插入应力缓冲层，以增强量子阱的张应力作用，使得发光效率明显提升，从而能够改善出射光的辉度不均匀现象。以上所述仅为本专利技术的实施例，并非因此限制本专利技术的专利范围，凡是利用本专利技术说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的
，均同理包括在本专利技术的专利保护范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种白光有机发光二极管，其特征在于，包括依次层叠的碳化硅衬底、氮化铝缓冲层、阴极层、有机层、阳极层、介质层和玻璃面板，所述阳极层的折射率大于所述玻璃面板的折射率，所述介质层的折射率大于所述有机层的折射率，所述有机层包括呈矩阵分布在所述阴极层上的隔离层以及设置在所述多个隔离层之间的发光层，所述发光层的表面向下凹陷形成曲面，所述发光层由多个氮化镓层和多个氮化镓铝层交错层叠而成，所述多个氮化镓层中的至少一个氮化镓层中插入有应力缓冲层，所述应力缓冲层的晶格常数大于所述氮化镓层和氮化镓铝层的晶格常数。

【技术特征摘要】
1.一种白光有机发光二极管，其特征在于，包括依次层叠的碳化硅衬底、氮化铝缓冲层、阴极层、有机层、阳极层、介质层和玻璃面板，所述阳极层的折射率大于所述玻璃面板的折射率，所述介质层的折射率大于所述有机层的折射率，所述有机层包括呈矩阵分布在所述阴极层上的隔离层以及设置在所述多个隔离层之间的发光层，所述发光层的表面向下凹陷形成曲面，所述发光层由多个氮化镓层和多个氮化镓铝层交错层叠而成，所述多个氮化镓层中的至少一个氮化镓层中插入有应力缓冲层，所述应力缓冲层的晶格常数大于所述氮化镓层和氮化镓...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗艳，
申请(专利权)人：四川九鼎智远知识产权运营有限公司，
类型：发明
国别省市：四川,51