具有多个发光叠层的发光装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种发光装置，其包含可射出具有第一主波长的第一光的一第一发光元件，其中第一发光元件具有包含第一数量的多重量子阱对的一第一多重量子阱结构；包含第二数量的多重量子阱对的一第二多重量子阱结构，位于第一多重量子阱结构之上；以及一穿遂层位于第一多重量子阱结构与第二多重量子阱结构之间；以及可射出具有第三主波长的第三光的一第二发光元件，其中第一数量不同于第二数量。

Light emitting device having a plurality of light-emitting stacks

The invention discloses a light emitting device, which comprises a first light emitting element can emit first light having a first wavelength, wherein the first light emitting element with a first number of MQWs on a first multiple quantum well structure; contains second number of MQWs on a more than 2 quantum well the structure, is located on the first multi quantum well structure; and a tunneling layer located between the first multiple quantum well structure and the more than 2 quantum well structure; and a second injection third with third main wavelength of the light emitting element, wherein the first number is different from the number second.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种发光装置，特别是涉及一种具有多个发光叠层的发光装置。
技术介绍
发光二极管（Light-emittingDiode；LED）是一种固态半导体元件，其至少包含一p-n接面（p-njunction），此p-n接面形成于p型与n型半导体层之间。当于p-n接面上施加一定程度的偏压时，p型半导体层中的空穴与n型半导体层中的电子会结合而释放出光。此光产生的区域一般又称为发光区（light-emittingregion）。LED的主要特征在于尺寸小、高演色性、可靠度高发光效率高、寿命长和反应快速，目前已经广泛地使用在光学显示装置、交通号志、数据储存装置、通讯装置、照明装置与医疗器材上。随着全彩LED的问世，LED已逐渐取代传统的照明设备，如荧光灯和白炽灯泡。在LED的制造成本中，基板的价格占据很大的比重，所以如何降低基板在LED中的使用量是引人关注的议题。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术提供一发光装置，包含可射出具有第一主波长的第一光的一第一发光元件，其中第一发光元件具有包含第一数量的多重量子阱对的一第一多重量子阱结构；包含第二数量的多重量子阱对的一第二多重量子阱结构，位于第一多重量子阱结构之上；以及一穿隧层位于第一多重量子阱结构与第二多重量子阱结构之间；以及可射出具有第三主波长的第三光的一第二发光元件，其中第一数量不同于第二数量。一发光元件，具有包含第一数量的多重量子阱对的一第一多重量子阱结构；包含第二数量的多重量子阱对的一第二多重量子阱结构，位于第一多重量子阱结构之上；以及一第一穿隧层位于第一多重量子阱结构与第二多重量子阱结构之间，其中第一数量不同于第二数量附图说明图1绘示本申请案一实施例的发光元件的剖面示意图；图2绘示本申请案另一实施例的发光元件的剖面示意图；图3绘示本申请案一实施例的发光装置的剖面示意图；图4绘示本申请案一实施例的光源产生装置的示意图；图5绘示本申请案一实施例的背光模块的示意图。符号说明1、2发光元件10基板11接触层12第一粘结层14、21第一发光叠层142第一半导体层144、212第一主动层146第二半导体层16、22第一穿隧层18、23第二发光叠层182第三半导体层184、232第二主动层186第四半导体层24第二穿隧层25第三发光叠层252第三主动层3第二发光元件4发光装置40载体5光源产生装置51光源52电源供应系统53控制元件6背光模块61光学元件具体实施方式本专利技术的实施例会被详细地描述，并且绘制于附图中，相同或类似的部分会以相同的号码在各附图以及说明出现。图1绘示一发光元件1具有一基板10；一第一粘结层12，形成于基板10之上；一第一发光叠层14，形成于第一粘结层12之上；一第一穿隧层16，形成于第一发光叠层14之上；一第二发光叠层18，形成于第一穿隧层16之上；以及一接触层11，形成于第二发光叠层18之上。第一发光叠层14具有一第一半导体层142、一第一主动层144以及一第二半导体层146形成于基板10与第一穿隧层16之间；第二发光叠层18具有一第三半导体层182、一第二主动层184以及一第四半导体层186形成于第一穿隧层16与接触层11之间。本实施例的第一发光元件1具有两层发光叠层位于基板10之上，相较于具有一层发光叠层位于基板上的一传统发光元件，优点之一是第一发光元件1所产生的流明约等于两个各自仅具有一主动层的传统发光元件的流明总和。此外，相较于各自具有基板的两个传统发光元件，因为第一发光元件1只使用一块基板，因此减少基板的使用量而降低制造成本。流明增加且成本降低，每块钱所产生的流明(流明/元)因而增加。第一发光元件1的输入功率也大于传统发光元件。因为第一发光元件1具有两层发光叠层且顺向电压增加，在输入与传统发光元件相同的操作电流下，第一发光元件1的输入功率增加，所以第一发光元件1所产生的流明增加。此外，因为串联电阻大于片电阻，所以提升电流扩散。第一发光叠层14经电流通过的面积增加，发光效率因此提升。此外，第一主动层144具有包含第一数量的多重量子阱对的第一多重量子阱结构，其中多重量子阱对包含一阱层与一阻障层，阻障层的能隙高于阱层的能隙。第二主动层184具有包含第二数量的多重量子阱对的第二多重量子阱结构，第一数量不同于第二数量。另一实施例中，第一数量可大于第二数量。当第一数量与第二数量的总合固定，此实施例的第一发光元件1的发光效率高于第一数量等于第二数量的另一传统双接面发光元件的发光效率。例如第一数量与第二数量的总合为10，此实施例的第一数量为7，第二数量为3，第一多重量子阱结构与第二多重量子阱结构所产生之光的流明与第一数量和第二数量皆为5的传统双接面发光元件所产生之光的流明相同。然而因为第一发光元件的第二数量小于第一数量，较少的多重量子阱对可吸收第一多重量子阱结构所发之光，所以第一发光元件1的发光效率大于传统双接面发光元件的发光效率。基板10可用以成长及/或支持位于其上的发光叠层，其材料可为绝缘材料或导电材料。绝缘材料包含但不限于蓝宝石（Sapphire）、钻石(Diamond)、玻璃(Glass)、石英(Quartz)、压克力(Acryl)或氮化铝(AlN)。导电材料包含但不限于铜(Cu)、铝(Al)、类钻碳薄膜(DiamondLikeCarbon；DLC)、碳化硅(SiC)、金属基复合材料(MetalMatrixComposite；MMC)、陶瓷基复合材料(CeramicMatrixComposite；CMC)、硅(Si)、磷化碘(IP)、砷化镓(GaAs)、锗(Ge)、磷化镓(GaP)、磷砷化镓(GaAsP)、硒化锌(ZnSe)、氧化锌(ZnO)、磷化铟(InP)、镓酸锂(LiGaO2)或铝酸锂(LiAlO2)。其中可用以成长发光叠层的材料例如为蓝宝石、砷化镓或碳化硅。当基板10用以成长发光叠层，第一粘结层12可以用作成长发光叠层的缓冲层取代。第一粘结层12可连接基板10与第一发光叠层14，以及包含多个附属层(未显示)。第一粘结层12的材料可为导电材料，包含但不限于氧化铟锡(ITO)、氧化铟(InO)、氧化锡(SnO)、氧化镉锡(CTO)、氧化锑锡(ATO)、氧化铝锌(AZO)、氧化锌锡(ZTO)本文档来自技高网...

【技术保护点】
一发光装置，包含：第一发光元件，包含：第一多重量子阱结构，射出具有一第一主波长的第一光；以及第二多重量子阱结构，位于该第一多重量子阱结构之上，射出具有第二主波长的第二光；以及载体，承载该第一发光元件；其中该第一主波长与该第二主波长的差异是5纳米至30纳米。

【技术特征摘要】
2012.11.21 US 13/683,4761.一发光装置，包含：
第一发光元件，包含：
第一多重量子阱结构，射出具有一第一主波长的第一光；以及
第二多重量子阱结构，位于该第一多重量子阱结构之上，射出具有
第二主波长的第二光；以及
载体，承载该第一发光元件；
其中该第一主波长与该第二主波长的差异是5纳米至30纳米。
2.如权利要求1所述的发光装置，其中该第一多重量子阱结构位于该
第二多重量子阱结构与该载体之间，该第一主波长大于该第二主波长。
3.如权利要求1所述的发光装置，其中该第一多重量子阱结构包含第
一数量的多重量子阱对，该第二多重量子阱结构包含第二数量的多重量子阱
对，该第一数量不同于该第二数量。
4.如权利要求3所述的发光装置，其中该第一发光元件...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢明勋，林义杰，李荣仁，
申请(专利权)人：晶元光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71