发光器件制造技术

本发明专利技术涉及发光器件，提供了一种在提高响应速度的同时抑制光输出的降低的发光器件。如图1所示，该发光器件包括四个正方形元件区域，所述四个正方形元件区域以二乘二阵列形式布置且元件区域的边对准。发光区域设置在元件区域的中心侧处的拐角附近，并且发光区域位于整个元件区域的中心附近。各个发光区域的平面图案形成为使得p电极和n电极的平面图案未设置在被发光区域夹在中间的区域中。

【技术实现步骤摘要】
发光器件
本专利技术涉及III族氮化物半导体发光器件，更具体地，涉及具有适合于光通信的结构且具有在发光区域方面的特性的发光器件。
技术介绍
在短距离光纤通信中，因为POF(塑料光纤)便宜且耐弯曲，所以它已经被广泛地采用。由于POF在绿光波段呈现低损耗，因此III族氮化物半导体绿光发光器件适合作为用于POF的光源。在这样的通信用途中，发光器件的响应速度优选要快。然而，绿光发光器件的响应速度慢并且需要提高。已知减小发光面积的方法来提高发光器件的响应速度(专利文献1至3)。专利文献1公开了下述结构：在所述结构中，在p型层上形成有彼此分隔开的p焊盘电极和透明电极，并且扩散电极从p焊盘电极延伸以连接至透明电极的外周缘。通过在透明电极中比在扩散电极中对于P型层实现的更好的欧姆特性，具有透明电极的区域成为发射区域。专利文献2和3描述了用于光通信的倒装芯片型III族氮化物半导体发光器件。专利文献2描述了在p型层与反射电极之间形成有具有窗口的绝缘膜，在形成有绝缘膜的区域中电流被中断，仅在窗口中实现导电，因此窗口区域变成发射区域，并且绝缘膜的厚度被布置为所发射的光的波长的四分之一，从而提高了光轴方向的方本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种III族氮化物半导体发光器件，所述发光器件具有多个元件区域，所述多个元件区域中的每一个发射光并且具有电极，其中在平面图中在整个发光器件的中心处所述元件区域被分隔开；其中各个元件区域的各个发光区域设置在所述中心附近；并且其中在平面图中各个元件区域的所述电极设置在夹在所述发光区域中间的区域的外部。

【技术特征摘要】
2015.09.21 JP 2015-1861341.一种III族氮化物半导体发光器件，所述发光器件具有多个元件区域，所述多个元件区域中的每一个发射光并且具有电极，其中在平面图中在整个发光器件的中心处所述元件区域被分隔开；其中各个元件区域的各个发光区域设置在所述中心附近；并且其中在平面图中各个元件区域的所述电极设置在夹在所述发光区域中间的区域的外部。2.根据权利要求1所述的发光器件，其中当各个元件区域的平面图案的面积被直线均分成靠近和远离所述中心的两个区域时，各个发光区域被包括在靠近整个发光器件的所述中心的区域中。3.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述发光区域的所有平面图案被包括在以整个发光器件的所述中心作为圆心并且直径为0.5mm的圆中。4.根据权利要求1所述的发光器件，其中各个发光区域的面积占各个元件区域的面积的1％至30％。5.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：坊山美乡，户谷真悟，河合隆，
申请(专利权)人：丰田合成株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP