新型报警灯制造技术

本实用新型专利技术涉及一种新型报警灯，该报警灯10包括：底座11；透光外壳12，设置在所述底座11上表面；双色LED13，设置在所述底座11上表面且位于所述透光外壳12内。本实用新型专利技术提供的新型报警灯，将蓝色LED与黄色LED集成在同一个LED芯片中，通过外部控制器对蓝色LED与黄色LED的工作状态进行独立控制，以实现报警功能，从而极大地减小了报警灯的体积，且降低了制造成本。

【技术实现步骤摘要】
新型报警灯
本技术涉及信号灯领域，特别涉及一种新型报警灯。
技术介绍
在现代化的生成企业中，机械设备成为企业中不可或缺的配置，其不仅可以实现标准化生产，也极大地提高了生产效率。在机械设备运转过程中，往往会因为不合格的物料或者电气原因导致出现故障。当机械设备出现故障时，往往会停止运转，若不及时处理，则会严重降低生产效率。因此，为了及时的发现并消除机械设备的故障，人们在设备上设置有报警灯。在机械设备出现故障时，该报警灯则可以发出相应的报警信号，以提醒工作人员及时地消除故障。目前的机械设备报警灯，通常采用两种以上的颜色来实现报警功能。请参见图1，图1为现有技术中的一种报警灯的结构示意图。在该结构中，包括绿色与黄色两种信号灯，其中，绿色信号灯代表设备工作正常，黄色信号灯代表设备出现故障。从而工作人员可以通过信号灯的颜色来确定机械设备的工作状态。但是，该报警灯中的不同颜色的信号灯采用分离式设计，使得报警灯的体积较大，浪费空间体积，此外，该方式也增加了报警灯的制造成本。因此，如何设计出一种性能优异的报警灯就变得极其重要。
技术实现思路
为解决现有技术存在的技术缺陷和不足，本技术提出了一种体积小、成本低的新型报警灯。具体的，该报警灯10包括：底座11；透光外壳12，设置在所述底座11上表面；双色LED13，设置在所述底座11上表面且位于所述透光外壳12内。在本技术的一个实施例中，所述底座11为铝材料。在本技术的一个实施例中，所述底座11底部设置有多个凹形沟槽结构。在本技术的一个实施例中，所述透光外壳12为透明树脂材料。与现有技术相比，本技术至少具有以下有益效果：本技术提供的新型报警灯，将蓝色LED与黄色LED集成在同一个LED芯片中，通过控制器对蓝色LED与黄色LED的工作状态进行独立控制，以实现报警功能，从而极大地减小了报警灯的体积，且降低了制造成本。附图说明下面将结合附图，对本技术的具体实施方式进行详细的说明。图1为现有技术中的一种报警灯的结构示意图；图2为现有技术中的一种报警灯的结构示意图；图3为本技术实施例提供的一种新型报警灯的结构示意图；图4为本技术实施例提供的一种双色LED芯片的结构示意图；图5a～图5g为本技术实施例的一种双色LED芯片的制备方法示意图。具体实施方式下面结合具体实施例对本技术做进一步详细的描述，但本技术的实施方式不限于此。实施例一请参见图2，图2为本技术实施例提供的一种新型报警灯的结构示意图，该报警灯10包括：底座11；透光外壳12，设置在所述底座11上表面；双色LED13，设置在所述底座11上表面且位于所述透光外壳12内。进一步地，请参见图3，图3为本技术实施例提供的一种双色LED的结构示意图。双色LED13包括：热沉131、双色LED芯片132、第一硅胶层133、第一透镜层134、第二硅胶层135、第三硅胶层136、第二透镜层137及第四硅胶层138；其中，所述双色LED芯片132设置于所述热沉131之上；所述第一硅胶层133设置于在所述双色LED芯片132及所述热沉131之上；所述第一透镜层134设置于所述第一硅胶层133之上；所述第二硅胶层135及所述第三硅胶层136依次设置于所述第一透镜层134上；所述第二透镜层137设置于所述第三硅胶层136之上；所述第四硅胶层138设置于所述第二透镜层137之上。其中，所述第一硅胶层133不含荧光粉，所述第一透镜层134、所述第二硅胶层135、所述第三硅胶层136、所述第二透镜层137及所述第四硅胶层138中至少有一层含有荧光粉。所述第一透镜层134的折射率大于所述第一硅胶层133的折射率且小于所述第二硅胶层135的折射率；所述第二透镜层137的折射率大于所述第三硅胶层136的折射率且小于所述第四硅胶层138的折射率；并且所述第二硅胶层135的折射率小于所述第三硅胶层136的折射率。采用上述折射率的设计，可以实现加好的聚光效果，并能有效抑制光的全反射，降低双色LED芯片的散热负担。在该双色LED的结构中，采用荧光粉与双色LED芯片分离的方法，解决了高温引起的荧光粉的量子效率下降的问题；优选地，与双色LED芯片接触的硅胶为耐高温的硅胶，进而解决了硅胶老化发黄引起的透光率下降的问题。在实际应用中，双色LED的数量可根据需要而定。进一步地，请参见图4，图4为本技术实施例提供的一种双色LED芯片的结构示意图。该双色LED芯片132包括：导电衬底1321、反光层1322、蓝光外延层1323、黄光外延层1324、隔离层1325、电极1326及钝化层1327；所述反光层1322设置于所述导电衬底132132上；所述蓝光外延层1323、所述黄光外延层1324及所述隔离层1325均设置于所述反光层1322上且所述隔离层1325位于所述蓝光外延层1323与所述黄光外延层1324之间；所述电极1326分别设置于所述蓝光外延层1323与所述黄光外延层1324上；所述钝化层1327覆盖于所述蓝光外延层1323、所述黄光外延层1324及所述隔离层1325上；其中，所述蓝光外延层1323形成蓝光LED结构；所述黄光外延层1324形成黄光LED结构，导电衬底1321作为蓝光LED与黄光LED共连的阳极，电极1326分别作为蓝光LED与黄光LED的阴极，蓝光LED与黄光LED的阴极相互独立。具体的，所述蓝光外延层1323包括：第一GaN缓冲层、第一GaN稳定层、第一n型GaN层、第一有源层、第一AlGaN阻挡层及第一p型GaN层；所述第一p型GaN层、所述第一AlGaN阻挡层、所述第一有源层、所述第一n型GaN层、所述第一GaN稳定层及所述第一GaN缓冲层依次层叠于所述反光层上表面第一指定区域；所述第一有源层为由第一InGaN量子阱和第一GaN势垒形成的第一多重结构；其中，所述第一InGaN量子阱中In含量为10～20％；所述第一多重结构中所述InGaN量子阱与所述第一GaN势垒交替层叠的周期为8～30。所述黄光外延层1324包括：第二GaN缓冲层、第二GaN稳定层、第二n型GaN层、第二有源层、第二AlGaN阻挡层及第二p型GaN层；所述第二p型GaN层、所述第二AlGaN阻挡层、所述第二有源层、所述第二n型GaN层、所述第二GaN稳定层及所述第二GaN缓冲层依次层叠于所述反光层上表面第二指定区域；所述第二有源层为由第二InGaN量子阱和第二GaN势垒形成的第二多重结构；其中，所述第二InGaN量子阱中In含量为20～30％；所述第二多重结构中所述第二InGaN量子阱和第二GaN势垒交替层叠的周期为8～30。该双色LED芯片通过将蓝光LED与黄光LED集成在同一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种新型报警灯，其特征在于，包括：/n底座(11)，所述底座(11)为铝材料；/n透光外壳(12)，设置在所述底座(11)上表面，所述透光外壳(12)为透明树脂材料；/n双色LED(13)，设置在所述底座(11)上表面且位于所述透光外壳(12)内；/n所述双色LED(13)包括：热沉(131)、双色LED芯片(132)、第一硅胶层(133)、第一透镜层(134)、第二硅胶层(135)、第三硅胶层(136)、第二透镜层(137)及第四硅胶层(138)；其中，/n所述双色LED芯片(132)设置于所述热沉(131)之上；/n所述第一硅胶层(133)设置于在所述双色LED芯片(132)及所述热沉(131)之上；/n所述第一透镜层(134)设置于所述第一硅胶层(133)之上；/n所述第二硅胶层(135)及所述第三硅胶层(136)依次设置于所述第一透镜层(134)上；/n所述第二透镜层(137)设置于所述第三硅胶层(136)之上；/n所述第四硅胶层(138)设置于所述第二透镜层(137)之上；/n所述第一透镜层(134)的折射率大于所述第一硅胶层(133)的折射率且小于所述第二硅胶层(135)的折射率；所述第二透镜层(137)的折射率大于所述第三硅胶层(136)的折射率且小于所述第四硅胶层(138)的折射率；并且所述第二硅胶层(135)的折射率小于所述第三硅胶层(136)的折射率；/n所述双色LED芯片(132)包括：导电衬底(1321)、反光层(1322)、蓝光外延层(1323)、黄光外延层(1324)、隔离层(1325)、电极(1326)及钝化层(1327)；/n所述反光层(1322)设置于所述导电衬底(1321)上；/n所述蓝光外延层(1323)、所述黄光外延层(1324)及所述隔离层(1325)均设置于所述反光层(1322)上且所述隔离层(1325)位于所述蓝光外延层(1323)与所述黄光外延层(1324)之间；/n所述电极(1326)分别设置于所述蓝光外延层(1323)与所述黄光外延层1324上；/n所述钝化层(1327)覆盖于所述蓝光外延层(1323)、所述黄光外延层(1324)及所述隔离层(1325)上。/n...

【技术特征摘要】
1.一种新型报警灯，其特征在于，包括：
底座(11)，所述底座(11)为铝材料；
透光外壳(12)，设置在所述底座(11)上表面，所述透光外壳(12)为透明树脂材料；
双色LED(13)，设置在所述底座(11)上表面且位于所述透光外壳(12)内；
所述双色LED(13)包括：热沉(131)、双色LED芯片(132)、第一硅胶层(133)、第一透镜层(134)、第二硅胶层(135)、第三硅胶层(136)、第二透镜层(137)及第四硅胶层(138)；其中，
所述双色LED芯片(132)设置于所述热沉(131)之上；
所述第一硅胶层(133)设置于在所述双色LED芯片(132)及所述热沉(131)之上；
所述第一透镜层(134)设置于所述第一硅胶层(133)之上；
所述第二硅胶层(135)及所述第三硅胶层(136)依次设置于所述第一透镜层(134)上；
所述第二透镜层(137)设置于所述第三硅胶层(136)之上；
所述第四硅胶层(138)设置于所述第二透镜层(137)之上；
所述第一透镜层(134)的折射率大于所述第一硅胶层(133)的折...

【专利技术属性】
技术研发人员：冉文方，
申请(专利权)人：西安智盛锐芯半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：陕西;61