发光元件制造技术

提供一种发光元件。发光元件包括：第一发光部，具有第一面积；第二发光部，具有第二面积；以及第三发光部，具有第三面积，所述第一发光部与所述第二发光部位于相同平面，所述第三发光部横跨所述第一发光部和所述第二发光部而布置，所述第三面积大于所述第一面积和所述第二面积中的每一个。

Light emitting element

【技术实现步骤摘要】
发光元件
本技术涉及一种发光元件，更加详细地，涉及一种层叠有多个发光部的发光元件。
技术介绍
发光二极管作为无机光源，被广泛用于诸如显示装置、车辆用灯具、一般照明等多种领域。发光二极管具有寿命长、功耗低且响应速度快的优点，因此正快速地替代现有光源。尤其，显示装置通常利用蓝色、绿色及红色的混合色呈现多样的颜色。显示装置的各个像素配备蓝色、绿色及红色的子像素，并且通过这些子像素的颜色来确定特定像素的颜色，并且通过这些像素的组合来实现图像。发光二极管在显示装置中主要被用作背光光源。然而，最近正在开发利用发光二极管直接实现图像的作为下一代显示器的微型LED(microLED)。
技术实现思路
本技术要解决的课题在于提供一种改善了光效率及光提取的发光元件。本技术要解决的课题并不局限于以上提到的课题，未提到的其他课题能够通过下文的记载而被本领域技术人员明确地理解。为了实现期望解决的问题，根据本专利技术的实施例的发光元件，其特征在于，包括：第一发光部，具有第一面积；第二发光部，具有第二面积；以及第三发光部，具有第三面积，所述第一发光部与所述第二发光部位于相同平面，所述第三发光部横跨所述第一发光部和所述第二发光部而布置，所述第三面积大于所述第一面积和所述第二面积中的每一个。在实施例中，所述第一发光部可以包括第1-1导电型半导体层以及布置在所述第1-1导电型半导体层上的包含第一活性层和第2-1导电型半导体层的第一半导体结构物，所述第二发光部包括所述第1-1导电型半导体层以及在所述第1-1导电型半导体层上以与所述第一半导体结构物相隔的方式布置且包含第二活性层和第2-2导电型半导体层的第二半导体结构物，所述第三发光部与所述第一发光部及所述第二发光部相隔布置，并且包括第1-3导电型半导体层、第三活性层以及第2-3导电型半导体层。在实施例中，所述发光元件还可以包括：第一垫，与所述第2-1导电型半导体层电连接；第二垫，与所述第2-2导电型半导体层电连接；第三垫，与所述第2-3导电型半导体层电连接；以及公共垫，将所述第1-1导电型半导体层和所述第1-3导电型半导体层共同电连接。在实施例中，所述发光元件还可以包括：第一贯通电极，将所述第2-1导电型半导体层和所述第一垫之间电连接；第二贯通电极，将所述第2-2导电型半导体层和所述第二垫之间电连接；第三贯通电极，将所述第2-3导电型半导体层和所述第三垫之间电连接；第四贯通电极，将暴露在所述第一半导体结构物与第二半导体结构物之间的所述第1-1导电型半导体层和所述公共垫电连接；以及第五贯通电极，将所述第1-3导电型半导体层与所述公共垫电连接。在实施例中，所述发光元件还可以包括：第一贯通电极，将所述第2-1导电型半导体层和所述第一垫之间电连接；第二贯通电极，将所述第2-2导电型半导体层和所述第二垫之间电连接；第三贯通电极，将所述第2-3导电型半导体层和所述第三垫之间电连接；以及第四贯通电极，将所述第1-1导电型半导体层及所述第1-3导电型半导体层与所述公共垫电连接，所述第四贯通电极贯通所述第1-3导电型半导体层，并且与暴露在所述第一半导体结构物和所述第二半导体结构物之间的所述第1-1导电型半导体层电连接。在实施例中，所述发光元件还可以包括：粘结部，填充所述第一发光部及所述第二发光部与第三发光部之间以及所述第一半导体结构物与所述第二半导体结构物之间，并且粘结所述第一发光部和所述第二发光部以及所述第三发光部。在实施例中，所述粘结部可以包括透明且具有绝缘性的物质。在实施例中，所述发光元件还可以包括：绝缘膜，围绕所述第一贯通电极至所述第四贯通电极的外侧壁，所述第四贯通电极贯通所述第三发光部和所述粘结部，所述第四贯通电极的一面与暴露在所述第一半导体结构物和所述第二半导体结构物之间的第1-1导电型半导体层接触，并且所述第四贯通电极的另一面与所述公共垫接触，所述公共垫可以与所述第1-3导电型半导体层电接触。在实施例中，所述第三发光部包括暴露所述第1-3导电型半导体层的孔，所述孔可以在与暴露在所述第一半导体结构物与所述第二半导体结构物之间的第1-1导电型半导体层对应的位置具有小于暴露在所述第一半导体结构物与所述第二半导体结构物之间的第1-1导电型半导体层的宽度的宽度。在实施例中，所述孔可以布置在所述第1-3导电型半导体层和所述第1-1导电型半导体层之间，所述粘结部填充所述孔内部，并且所述第四贯通电极贯通所述第1-3导电型半导体层和所述粘结部，所述第四贯通电极的一面与所述公共垫接触，与所述一面相面对的另一面与所述第1-1导电型半导体层接触，所述第四贯通电极的侧壁与所述第1-3导电型半导体层接触。在实施例中，所述发光元件还可以包括：绝缘膜，填充所述孔，所述孔布置在所述公共垫与所述第1-3导电型半导体层之间，所述第四贯通电极贯通所述绝缘膜和所述第1-3导电型半导体层，从而使所述第四贯通电极的上部侧壁与所述绝缘膜接触，所述第四贯通电极的中部侧壁与所述第1-3导电型半导体层接触，所述第四贯通电极的下部侧壁与所述粘结部接触，所述第四贯通电极的一面与所述公共垫接触，与所述一面相面对的另一面与暴露在所述第一半导体结构物和所述第二半导体结构物之间的第1-1导电型半导体层接触。在实施例中，所述粘结部可以包括透明且具有导电性的物质。在实施例中，所述孔可以与暴露在所述第一半导体结构物与所述第二半导体结构物之间的第1-1导电型半导体层相面对，所述粘结部可以延伸到所述孔内部而与所述第1-3导电型半导体层接触，并且沿所述第一半导体结构物和所述第二半导体结构物之间延伸而与所述第1-1导电型半导体层接触。在实施例中，所述第四贯通电极可以与所述第1-3导电型半导体层和所述粘结部中的至少一部分接触。在实施例中，所述第四贯通电极可以贯通所述第1-3导电型半导体层而使所述第四贯通电极的侧壁与所述第1-3导电型半导体层接触。在实施例中，所述发光元件还可以包括：绝缘膜，填充所述孔，所述孔可以布置在所述公共垫与所述第1-3导电型半导体层之间，所述第四贯通电极可以贯通所述绝缘膜，并且贯通所述第1-3导电型半导体层和所述粘结部中的至少一部分，从而使所述第四贯通电极的一部分与所述第1-3导电型半导体层接触。在实施例中，所述发光元件还可以包括：基板，所述第一发光部和所述第二发光部彼此相隔而布置；以及粘合层，粘结所述基板与所述第一发光部及所述第二发光部之间，并且包括导电性物质。在实施例中，所述第一发光部可以包括第1-1导电型半导体层、第一活性层和第2-1导电型半导体层，所述第二发光部可以包括第1-2导电型半导体层、第二活性层和第2-2导电型半导体层，所述第三发光部可以包括第1-3导电型半导体层、第三活性层和第2-3导电型半导体层。在实施例中，所述粘合层可以电连接所述第1-1导电型半导体层和所述第1-2导电型半导体层。在实施例中，所述发光元件还可以包括：第一垫，与所述第2-1导电型半导体层电连接；第二垫本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光元件，其特征在于，包括：/n第一发光部，具有第一面积；/n第二发光部，具有第二面积；以及/n第三发光部，具有第三面积，/n所述第一发光部与所述第二发光部位于相同平面，/n所述第三发光部横跨所述第一发光部和所述第二发光部而布置，/n所述第三面积大于所述第一面积和所述第二面积中的每一个。/n

【技术特征摘要】
20181102 US 62/754,721;20191029 US 16/666,6261.一种发光元件，其特征在于，包括：
第一发光部，具有第一面积；
第二发光部，具有第二面积；以及
第三发光部，具有第三面积，
所述第一发光部与所述第二发光部位于相同平面，
所述第三发光部横跨所述第一发光部和所述第二发光部而布置，
所述第三面积大于所述第一面积和所述第二面积中的每一个。


2.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于，
所述第一发光部包括第1-1导电型半导体层以及布置在所述第1-1导电型半导体层上的包含第一活性层和第2-1导电型半导体层的第一半导体结构物，
所述第二发光部包括所述第1-1导电型半导体层以及在所述第1-1导电型半导体层上以与所述第一半导体结构物相隔的方式布置且包含第二活性层和第2-2导电型半导体层的第二半导体结构物，
所述第三发光部与所述第一发光部及所述第二发光部相隔布置，并且包括第1-3导电型半导体层、第三活性层以及第2-3导电型半导体层。


3.如权利要求2所述的发光元件，其特征在于，还包括：
第一垫，与所述第2-1导电型半导体层电连接；
第二垫，与所述第2-2导电型半导体层电连接；
第三垫，与所述第2-3导电型半导体层电连接；以及
公共垫，将所述第1-1导电型半导体层和所述第1-3导电型半导体层共同电连接。


4.如权利要求3所述的发光元件，其特征在于，包括：
第一贯通电极，将所述第2-1导电型半导体层和所述第一垫之间电连接；
第二贯通电极，将所述第2-2导电型半导体层和所述第二垫之间电连接；
第三贯通电极，将所述第2-3导电型半导体层和所述第三垫之间电连接；
第四贯通电极，将暴露在所述第一半导体结构物与第二半导体结构物之间的所述第1-1导电型半导体层和所述公共垫电连接；以及
第五贯通电极，将所述第1-3导电型半导体层与所述公共垫电连接。


5.如权利要求3所述的发光元件，其特征在于，包括：
第一贯通电极，将所述第2-1导电型半导体层和所述第一垫之间电连接；
第二贯通电极，将所述第2-2导电型半导体层和所述第二垫之间电连接；
第三贯通电极，将所述第2-3导电型半导体层和所述第三垫之间电连接；以及
第四贯通电极，将所述第1-1导电型半导体层及所述第1-3导电型半导体层与所述公共垫电连接，
所述第四贯通电极贯通所述第1-3导电型半导体层，并且与暴露在所述第一半导体结构物和所述第二半导体结构物之间的所述第1-1导电型半导体层电连接。


6.如权利要求5所述的发光元件，其特征在于，还包括：
粘结部，填充所述第一发光部及所述第二发光部与第三发光部之间以及所述第一半导体结构物与所述第二半导体结构物之间，并且粘结所述第一发光部和所述第二发光部以及所述第三发光部。


7.如权利要求6所述的发光元件，其特征在于，还包括：
绝缘膜，围绕所述第一贯通电极至所述第四贯通电极的外侧壁，
所述第四贯通电极贯通所述第三发光部和所述粘结部，所述第四贯通电极的一面与暴露在所述第一半导体结构物和所述第二半导体结构物之间的第1-1导电型半导体层接触，并且所述第四贯通电极的另一面与所述公共垫接触，
所述公共垫与所述第1-3导电型半导体层电接触。


8.如权利要求6所述的发光元件，其特征在于，
所述第三发光部包括暴露所述第1-3导电型半导体层的孔，
所述孔在与暴露在所述第一半导体结构物与所述第二半导体结构物之间的第1-1导电型半导体层对应的位置具有小于暴露在所述第一半导体结构物与所述第二半导体结构物之间的第1-1导电型半导体层的宽度的宽度。


9.如权利要求8所述的发光元件，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡钟炫，申讚燮，李剡劤，李豪埈，张成逵，
申请(专利权)人：首尔伟傲世有限公司，
类型：新型
国别省市：韩国;KR