非挥发性存储器制造技术

本发明专利技术公开一种非挥发性存储器，包括多个存储单元。各个存储单元包括基底、浮置栅极结构、选择栅极结构与第一掺杂区。浮置栅极结构设置于基底上。选择栅极结构设置于基底上，且位于浮置栅极结构的一侧。第一掺杂区设置于浮置栅极结构的另一侧的基底中。相邻两个存储单元之间的第一掺杂区相邻且彼此分离。上述非挥发性存储器可有效地防止在相邻的存储单元之间产生编程干扰。

【技术实现步骤摘要】
非挥发性存储器
本专利技术涉及一种存储器结构，且特别是涉及一种非挥发性存储器。
技术介绍
由于非挥发性存储器具有存入的数据在断电后也不会消失的优点，因此许多电器产品中必须具备此类存储器，以维持电器产品开机时的正常操作。然而，在非挥发性存储器中，相邻的存储单元在进行编程操作时，容易产生编程干扰(programdisturbance)的问题。
技术实现思路
本专利技术提供一种非挥发性存储器，其可有效地防止在相邻的存储单元之间产生编程干扰。本专利技术提出一种非挥发性存储器，包括多个存储单元。各个存储单元包括基底、浮置栅极结构、选择栅极结构与第一掺杂区。浮置栅极结构设置于基底上。选择栅极结构设置于基底上，且位于浮置栅极结构的一侧。第一掺杂区设置于浮置栅极结构的另一侧的基底中。相邻两个存储单元之间的第一掺杂区相邻且彼此分离。依照本专利技术的一实施例所述，在上述的非挥发性存储器中，相邻两个存储单元可为镜像对称。依照本专利技术的一实施例所述，在上述的非挥发性存储器中，还包括多个第一接触窗。第一接触窗分别耦接至第一掺杂区且彼此分离设置。依照本专利技术的一实施例所述，在上述的非挥发性存储器中，第一接触窗可彼此耦接。依照本专利技术的一实施例所述，在上述的非挥发性存储器中，还包括第一内连线结构。第一接触窗通过第一内连线结构进行耦接。依照本专利技术的一实施例所述，在上述的非挥发性存储器中，还包括隔离结构。隔离结构设置于相邻的第一掺杂区之间。依照本专利技术的一实施例所述，在上述的非挥发性存储器中，各个存储单元还包括第二掺杂区与第三掺杂区。第二掺杂区与第三掺杂区分别设置于选择栅极结构的一侧与另一侧的基底中。第三掺杂区位于选择栅极结构与浮置栅极结构之间。依照本专利技术的一实施例所述，在上述的非挥发性存储器中，还包括第二接触窗。第二接触窗耦接至各个存储单元中的第二掺杂区。依照本专利技术的一实施例所述，在上述的非挥发性存储器中，还包括第二内连线结构。第二内连线结构耦接至第二接触窗。依照本专利技术的一实施例所述，在上述的非挥发性存储器中，还包括保护层。保护层覆盖浮置栅极结构。依照本专利技术的一实施例所述，在上述的非挥发性存储器中，保护层可延伸至浮置栅极结构与选择栅极结构之间。依照本专利技术的一实施例所述，在上述的非挥发性存储器中，保护层还可延伸至选择栅极结构上方且覆盖部分选择栅极结构。依照本专利技术的一实施例所述，在上述的非挥发性存储器中，还包括终止层。终止层设置于保护层上且覆盖浮置栅极结构与选择栅极结构。依照本专利技术的一实施例所述，在上述的非挥发性存储器中，浮置栅极结构包括浮置栅极与第一介电层。浮置栅极设置于基底上。第一介电层设置于浮置栅极与基底之间。依照本专利技术的一实施例所述，在上述的非挥发性存储器中，浮置栅极例如是单层的掺杂多晶硅层。依照本专利技术的一实施例所述，在上述的非挥发性存储器中，浮置栅极不耦接至任何外部电压。依照本专利技术的一实施例所述，在上述的非挥发性存储器中，选择栅极结构包括选择栅极与第二介电层。选择栅极设置于基底上。第二介电层设置于选择栅极与基底之间。依照本专利技术的一实施例所述，在上述的非挥发性存储器中，选择栅极耦接至外部电压。依照本专利技术的一实施例所述，在上述的非挥发性存储器中，选择栅极结构还包括金属硅化物层。金属硅化物层设置于选择栅极上。依照本专利技术的一实施例所述，在上述的非挥发性存储器中，非挥发性存储器可为存储器阵列，且存储器阵列是以上述相邻两个存储单元作为基本单元重复排列而成。基于上述，在本专利技术所提出的非挥发性存储器中，相邻两个存储单元之间的第一掺杂区相邻且彼此分离。由此，在对选定的存储单元进行编程操作时，可有效地防止在相邻的存储单元之间产生编程干扰，进而可提升存储器元件的操作效能。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附的附图作详细说明如下。附图说明图1为本专利技术一实施例的非挥发性存储器的上视图；图2为沿图1中的I-I’剖面线的剖视图；图3为图1的非挥发性存储器的电路简图；图4为本专利技术另一实施例的非挥发性存储器的上视图。符号说明100、200：非挥发性存储器102：基底104：浮置栅极结构106：选择栅极结构108、124、124a、126、126a：掺杂区110：浮置栅极112、118、146：介电层114、122：间隙壁116：选择栅极120、138、140：金属硅化物层128、134：接触窗130、130a、136：内连线结构132：隔离结构142：保护层144：终止层MC：存储单元BL1～BL4：位线SL1～SL4：源极线WL、WL1～WL10：字符线X、Y：方向具体实施方式图1为本专利技术一实施例的非挥发性存储器的上视图。图2为沿图1中的I-I’剖面线的剖视图。图1省略绘示图2中的部分构件，以更清楚地描述其余构件之间的关系。请同时参照图1与图2，非挥发性存储器100，包括多个存储单元MC。各个存储单元MC包括基底102、浮置栅极结构104、选择栅极结构106与掺杂区108。非挥发性存储器100例如是反或(NOR)型非挥发性存储器。基底102例如是硅基底。此外，多个存储单元MC可共用基底102。浮置栅极结构104设置于基底102上。浮置栅极结构104包括浮置栅极110与介电层112。浮置栅极110设置于基底102上。浮置栅极110例如是单层的掺杂多晶硅层。浮置栅极110的形成方法例如是化学气相沉积法。在此实施例中，浮置栅极110是以不耦接至任何外部电压为例来进行说明。介电层112设置于浮置栅极110与基底102之间。介电层112的材料例如是氧化硅。介电层112的形成方法例如是热氧化法或化学气相沉积法。此外，浮置栅极结构104还可包括间隙壁114。间隙壁114设置于浮置栅极110的侧壁上。间隙壁114的材料例如是氮化硅。间隙壁114的形成方法例如是化学气相沉积法。选择栅极结构106设置于基底102上，且位于浮置栅极结构104的一侧。选择栅极结构106包括选择栅极116与介电层118。选择栅极116设置于基底102上。选择栅极116的材料例如是掺杂多晶硅。选择栅极116的形成方法例如是化学气相沉积法。在此实施例中，选择栅极116是以耦接至外部电压为例来进行说明。介电层118设置于选择栅极116与基底102之间。介电层118的材料例如是氧化硅。介电层118的形成方法例如是热氧化法或化学气相沉积法。此外，选择栅极结构106还可包括金属硅化物层120与间隙壁122中的至少一者。金属硅化物层120设置于选择栅极116上。金属硅化物层120的材料例如是硅化钴或硅化镍(cobalt/nickelsilicide)。金属硅化物层120的形成方法例如是进行自对准金属硅化物制作工艺。间隙壁122设置于选择栅极116的侧壁上。间隙壁122的材料例如是氮化硅。间隙壁122的形成方法例如是化学气相沉积法。掺杂区108设置于浮置栅极结构104的另一侧的基底102中。相邻两个存储单元MC之间的掺杂区108相邻且彼此分离，由此可有效地防止在相邻的存储单元MC之间产生编程干扰。上述相邻两个存储单元MC可为镜像对称。掺杂区108可为P型掺杂区或N型掺杂区。掺杂区108的形成方法例如是离子注入法。各个存储单元MC还包括掺杂区124与掺杂区126。掺杂区124与掺杂区126分别设置于选本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种非挥发性存储器，其特征在于，包括多个存储单元，且各所述存储单元包括：基底；浮置栅极结构，设置于所述基底上；选择栅极结构，设置于所述基底上，且位于所述浮置栅极结构的一侧；以及第一掺杂区，设置于所述浮置栅极结构的另一侧的所述基底中，其中相邻两个存储单元之间的多个第一掺杂区相邻且彼此分离。

【技术特征摘要】
2016.10.12 US 62/406,9681.一种非挥发性存储器，其特征在于，包括多个存储单元，且各所述存储单元包括：基底；浮置栅极结构，设置于所述基底上；选择栅极结构，设置于所述基底上，且位于所述浮置栅极结构的一侧；以及第一掺杂区，设置于所述浮置栅极结构的另一侧的所述基底中，其中相邻两个存储单元之间的多个第一掺杂区相邻且彼此分离。2.根据权利要求1所述的非挥发性存储器，其特征在于，所述相邻两个存储单元为镜像对称。3.根据权利要求1所述的非挥发性存储器，其特征在于，还包括多个第一接触窗，分别耦接至所述第一掺杂区且彼此分离设置。4.根据权利要求3所述的非挥发性存储器，其特征在于，所述多个第一接触窗彼此耦接。5.根据权利要求4所述的非挥发性存储器，其特征在于，还包括第一内连线结构，其中所述多个第一接触窗通过所述第一内连线结构进行耦接。6.根据权利要求1所述的非挥发性存储器，其特征在于，还包括隔离结构，设置于相邻的所述多个第一掺杂区之间。7.根据权利要求1所述的非挥发性存储器，其特征在于，各所述存储单元还包括第二掺杂区与第三掺杂区，分别设置于所述选择栅极结构的一侧与另一侧的所述基底中，其中所述第三掺杂区位于所述选择栅极结构与所述浮置栅极结构之间。8.根据权利要求7所述的非挥发性存储器，其特征在于，还包括第二接触窗，耦接至各所述存储单元中的所述第二掺杂区。9.根据权利要求8所述的非挥发性存储器，其特征在于，还包括第二内连线结构，耦接至所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：李翊宏，罗明山，黄正达，
申请(专利权)人：力旺电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71