【技术实现步骤摘要】
本专利技术关于电子电路领域，特别是一种提高供电电压的选择电路。
技术介绍
1、电子设备经常利用多个电源电压来实现各种功能。例如，非挥发性存储设备可使用2.5v的较低电压来读取存储单元并使用6v的较高电压来编程存储单元。在这种情况下，电子设备用以在读取操作期间输出较低电压并在编程操作期间输出较高电压。
2、于相关技术中，电子装置中采用选择电路以在较低电压及较高电压之间进行选择。然而，传统的选择电路通常需要额外的控制讯号来控制电压输出，增加了电路的复杂性及电路面积。在另一种方法中，电子设备采用选择电路将多个电源电压中最高的一个输出到后续电路以供高压应用。然而，当多个供电电压彼此接近或相等时，选择电路会截止，输出低于所有供电电压的电压，导致高压应用的性能下降(例如，无法编程存储单元)。
技术实现思路
1、本专利技术实施例提供一种选择电路，包括主选择电路及辅助选择电路。主选择电路包括第一主晶体管及第二主晶体管。辅助选择电路包括第一辅助晶体管、第二辅助晶体管、第三辅助晶体管及第四辅助晶体管。第一主晶体管包括第一端，用以接收第一电压；控制端，用以接收第二电压；及第二端及基极(bulk)端，耦接于输出端。第二主晶体管包括第一端，用以接收第二电压；控制端，用以接收第一电压；及第二端及基极端，耦接于输出端。第一辅助晶体管包括控制端；第一端，用以接收第一电压；及第二端及基极端，耦接于输出端。第二辅助晶体管包括控制端，耦接于第一辅助晶体管的控制端；第一端，用以接收第二电压；及第二端及基极端，
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1.一种选择电路，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的选择电路，其特征在于，该辅助选择电路另包括一辅助电流负载，耦接于该第一辅助晶体管的该控制端，用以从该第一辅助晶体管的该控制端抽取一辅助负载电流。
3.如权利要求1所述的选择电路，其特征在于，该第一辅助晶体管的一晶体管尺寸及该第二辅助晶体管的一晶体管尺寸相等。
4.如权利要求3所述的选择电路，其特征在于，该第一辅助晶体管的该晶体管尺寸小于该第一主晶体管的一晶体管尺寸。
5.如权利要求1所述的选择电路，其特征在于，该第三辅助晶体管的一晶体管尺寸及该第四辅助晶体管的一晶体管尺寸相等。
6.如权利要求5所述的选择电路，其特征在于，该第三辅助晶体管的该晶体管尺寸小于该第一主晶体管的一晶体管尺寸。
7.如权利要求1所述的选择电路，其特征在于，该第一辅助晶体管、该第二辅助晶体管、该第三辅助晶体管及该第四辅助晶体管的晶体管尺寸相等。
8.如权利要求7所述的选择电路，其特征在于，该第一辅助晶体管的该晶体管尺寸及该第三辅助晶体管的该晶体管尺寸小于该第一主晶体
9.如权利要求1所述的选择电路，其特征在于，当该第一电压及该第二电压相等时，该输出端输出的一输出电压接近于该第一电压及该第二电压。
10.如权利要求9所述的选择电路，其特征在于，当该第一电压及该第二电压相等时，该第一主晶体管截止，该第二主晶体管截止，该第一辅助晶体管导通，该第二辅助晶体管导通，该第三辅助晶体管截止，且该第四辅助晶体管截止。
11.如权利要求1所述的选择电路，其特征在于，当该第一电压及该第二电压不同时，该输出端输出的一输出电压等于该第一电压及该第二电压中较大的一者。
12.如权利要求11所述的选择电路，其特征在于，当该第一电压及该第二电压不同时，该第一主晶体管及该第二主晶体管中的一者导通，该第一主晶体管及该第二主晶体管中的剩余一者截止，该第一辅助晶体管截止，该第二辅助晶体管截止，该第三辅助晶体管及该第四辅助晶体管中的一者导通，该第三辅助晶体管及该第四辅助晶体管中的剩余一者截止。
13.如权利要求1所述的选择电路，其特征在于，该第一主晶体管、该第二主晶体管、该第一辅助晶体管、该第二辅助晶体管、该第三辅助晶体管及该第四辅助晶体管为P型晶体管。
...【技术特征摘要】
1.一种选择电路，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的选择电路，其特征在于，该辅助选择电路另包括一辅助电流负载，耦接于该第一辅助晶体管的该控制端，用以从该第一辅助晶体管的该控制端抽取一辅助负载电流。
3.如权利要求1所述的选择电路，其特征在于，该第一辅助晶体管的一晶体管尺寸及该第二辅助晶体管的一晶体管尺寸相等。
4.如权利要求3所述的选择电路，其特征在于，该第一辅助晶体管的该晶体管尺寸小于该第一主晶体管的一晶体管尺寸。
5.如权利要求1所述的选择电路，其特征在于，该第三辅助晶体管的一晶体管尺寸及该第四辅助晶体管的一晶体管尺寸相等。
6.如权利要求5所述的选择电路，其特征在于，该第三辅助晶体管的该晶体管尺寸小于该第一主晶体管的一晶体管尺寸。
7.如权利要求1所述的选择电路，其特征在于，该第一辅助晶体管、该第二辅助晶体管、该第三辅助晶体管及该第四辅助晶体管的晶体管尺寸相等。
8.如权利要求7所述的选择电路，其特征在于，该第一辅助晶体管的该晶体管尺寸及该第三辅助晶体管的该晶体管尺寸小于该第一主晶体管的一晶体管尺寸。
...【专利技术属性】
技术研发人员：黄玉萍，林俊宏，黄正达，
申请(专利权)人：力旺电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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