【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种非易失性存储单元，且特别是涉及一种用于物理不可复制技术的带鳍式场效晶体管(fin field-effect transistor，简称finfet晶体管)一次编程存储单元(one time programming memory cell，简称otp存储单元)。
技术介绍
1、众所周知，一次编程的存储器(one time programming memory，简称otp存储器)为一种非易失性存储器(non-volatile memory)。otp存储器中包括多个一次编程存储单元(简称otp存储单元)。otp存储单元仅能进行一次编程动作，一旦otp存储单元进行编程动作之后，otp存储单元的存储数据将无法修改。
2、物理不可复制技术(physically unclonable function，简称puf技术)是一种创新的方式用来保护半导体芯片内部的数据，防止半导体芯片的内部数据被窃取。根据puf技术，半导体芯片能够提供一随机码(random code)。此随机码可作为半导体芯片(semiconductor ch...
【技术保护点】
1.一种运用于物理不可复制技术的一次编程存储单元，包括：
2.如权利要求1所述的一次编程存储单元，其中该第一晶体管为第一选择晶体管，该第二晶体管为第二选择晶体管，该第一选择晶体管的第一漏/源端连接至第一位线，该第一选择晶体管的栅极端连接至第一字线，该第一选择晶体管的第二漏/源端连接至该第一漏/源接触层，该第二选择晶体管的第一漏/源端连接至该第二漏/源接触层，该第二选择晶体管的栅极端连接至第二字线，该第二选择晶体管的第二漏/源端连接至第二位线，该反熔丝控制线与该第一位线之间为注册路径，该反熔丝控制线与该第二位线之间为第一读取路径。
3.如权利要求...
【技术特征摘要】
1.一种运用于物理不可复制技术的一次编程存储单元，包括：
2.如权利要求1所述的一次编程存储单元，其中该第一晶体管为第一选择晶体管，该第二晶体管为第二选择晶体管，该第一选择晶体管的第一漏/源端连接至第一位线，该第一选择晶体管的栅极端连接至第一字线，该第一选择晶体管的第二漏/源端连接至该第一漏/源接触层，该第二选择晶体管的第一漏/源端连接至该第二漏/源接触层，该第二选择晶体管的栅极端连接至第二字线，该第二选择晶体管的第二漏/源端连接至第二位线，该反熔丝控制线与该第一位线之间为注册路径，该反熔丝控制线与该第二位线之间为第一读取路径。
3.如权利要求2所述的一次编程存储单元，在注册动作时，该注册路径开启，该第一读取路径关闭，该反熔丝控制线接收注册电压，该第一位线接收接地电压，使得该第一栅极介电层与该第二栅极介电层其中之一破裂。
4.如权利要求3所述的一次编程存储单元，其中在读取动作时，该注册路径关闭，该第一读取路径开启，该反熔丝控制线接收读取电压，该第二位线接收该接地电压，使得该第二位线接收读取电流，并根据该读取电流的大小决定一位的随机码。
5.如权利要求2所述的一次编程存储单元，其中该第一选择晶体管包括：
6.如权利要求5所述的一次编程存储单元，其中该第二选择晶体管包括：
7.如权利要求1所述的一次编程存储单元，还包括第一选择晶体与第二选择晶体管，其中该第一晶体管为第一跟随晶体管，该第二晶体管为第二跟随晶体管，该第一选择晶体管的第一漏/源端连接至第一位线，该第一选择晶体管的栅极端连接至第一字线，该第一跟随晶体管的第一漏/源端连接至该第一选择晶体管的第二漏/源端，该第一跟随晶体管的栅极端连接至第一跟随控制线，该第一跟随晶体管的第二漏/源端连接至该第一漏/源接触层，该第二跟随晶体管的第一漏/源端连接至该第二漏/源接触层，该第二跟随晶体管的栅极端连接至第二跟随控制线，该第二选择晶体管的第一漏/源端连接至该第二跟随晶体管的第二漏/源端，该第二选择晶体管的栅极端连接至第二字线，该第二选择晶体管的第二漏/源端连接至第二位线，该反熔丝控制线与该第一位线之间为注册路径，该反熔丝控制线与该第二位线之间为第一读取路径。
8.如权利要求7所述的一次编程存储单元，在注册动作时，该注册路径开启，该第一读取路径关闭，该反熔丝控制线接收注册电压，该第一位线接收接地电压，使得该第一栅极介电层与该第二栅极介电层其中之一破裂。
9.如权利要求8所述的一次编程存储单元，其中在读取动作时，该注册路径关闭，该第一读取路径开启，该反熔丝控制线接收读取电压，该第二位线接收该接地电压，使得该第二位线接收读取电流，并根据该读取电流的大小决定一位的随机码。
10.如权利要求7所述的一次编程存储单元，其中该第一跟随晶体管包括：
11.如权利要求10所述的一次编程存储单元，其中该第一选择晶体管包括：
12.如权利要求11所述的一次编程存储单元，其中该第二跟随晶体管包括：
13.如权利要求12所述的一次编程存储单元，其中该第二选择晶体管包括：
14.一种运用于物理不可复制技术的一次编程存储单元，包括：
15.如权利要求14所述的一次编程存储单元，该第一漏/源接触层连接至第一位线，该第一栅极层连接至第一字线，该第三漏/源接触层连接至第二位线，该第三栅极层连接至第二字线，该反熔丝控制线与该第一位线之间为注册路径，该反熔丝控制线与该第二位线之间为第一读取路径。
16.如权利要求15所述的一次编程存储单元，在注册动作时，该注册路径开启，该第一读取路径关闭，该反熔丝控制线接收注册电压，该第一位线接收接地电压，使得该第三栅极介电层与该第四栅极介电层其中之一破裂。
17.如权利要求16所述的一次编程存储单元，其中在读取动作时，该注册路径关闭，该第一读取路径开启，该反熔丝控制线接收读取电压，该第二位线接收该接地电压，使得该第二位线接收读取电流，并根据该读取电流的大小决定一位的随机码。
18.如权利要求15所述的一次编程存储单元，还包括：
19.如权利要求14所述的一次编程存储单元，还包括：
20.如权利要求19所述的一次编程存储单元，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈稐寯，何秉隆，
申请(专利权)人：力旺电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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