【技术实现步骤摘要】
本专利技术构思涉及一种三维半导体存储器装置、包括该三维半导体存储器装置的电子系统及制造该三维半导体存储器装置的方法，更具体地，涉及一种包括通过接合焊盘耦接的外围电路结构和单元阵列结构的三维半导体存储器装置、包括该三维半导体存储器装置的电子系统及制造该三维半导体存储器装置的方法。
技术介绍
1、在需要数据存储的电子系统中，具有能够存储大量数据的半导体装置是必要的。半导体装置已经被高度集成以满足客户所需的高性能和低制造成本。典型的二维或平面半导体装置的集成度主要由单位存储器单元所占据的面积决定，使得其受到用于形成精细图案的技术水平的极大影响。然而，增加图案精细度所需的处理设备可能是昂贵的，并且可能对增加二维或平面半导体装置的集成度设置实际限制。因此，已经提出了具有三维布置的存储器单元的三维半导体存储器装置。
技术实现思路
1、本专利技术构思的一些实施例提供了一种能够容易地制造的三维半导体存储器装置。
2、本专利技术构思的目的不限于上述目的，并且本领域技术人员从以下描述将清楚地理解以...
【技术保护点】
1.一种三维半导体存储器装置，包括：
2.根据权利要求1所述的三维半导体存储器装置，其中，所述穿通插塞中的每一个通过所述第一表面和所述第二表面中的一个电连接到所述外围电路结构。
3.根据权利要求2所述的三维半导体存储器装置，其中，所述第一穿通插塞通过所述第一表面、所述背侧结构、所述连接插塞和所述中间电路结构电连接到所述外围电路结构。
4.根据权利要求2所述的三维半导体存储器装置，其中，所述第二穿通插塞通过所述第二表面和所述中间电路结构电连接到所述外围电路结构。
5.根据权利要求1所述的三维半导体存储器装置，其中，所述背侧
<...【技术特征摘要】
1.一种三维半导体存储器装置，包括：
2.根据权利要求1所述的三维半导体存储器装置，其中，所述穿通插塞中的每一个通过所述第一表面和所述第二表面中的一个电连接到所述外围电路结构。
3.根据权利要求2所述的三维半导体存储器装置，其中，所述第一穿通插塞通过所述第一表面、所述背侧结构、所述连接插塞和所述中间电路结构电连接到所述外围电路结构。
4.根据权利要求2所述的三维半导体存储器装置，其中，所述第二穿通插塞通过所述第二表面和所述中间电路结构电连接到所述外围电路结构。
5.根据权利要求1所述的三维半导体存储器装置，其中，所述背侧结构包括：
6.根据权利要求5所述的三维半导体存储器装置，其中，
7.根据权利要求5所述的三维半导体存储器装置，其中，所述背侧接触插塞具有随着在所述第一方向上距所述堆叠结构的距离减小而减小的宽度。
8.根据权利要求5所述的三维半导体存储器装置，其中，所述背侧接触插塞中的电连接至所述第一穿通插塞的相应一个背侧接触插塞通过所述背侧接触线电连接至所述背侧接触插塞中的与所述连接插塞电连接的相应一个背侧接触插塞。
9.根据权利要求1所述的三维半导体存储器装置，其中，
10.根据权利要求1所述的三维半导体存储器装置，其中，
11.根据权利要求10所述的三维半导体存储器装置，还包括在所述穿通插...
【专利技术属性】
技术研发人员：金智源，金志荣，金度亨，成锡江，二山拓也，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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