一种深Si通孔结构制造技术

本发明专利技术公开了一种深Si通孔结构，包括带有通孔的Si衬底、位于所述通孔中的第一金属粘附层、位于所述第一金属粘附层中间的金属Ag、以及将金属Ag封闭于所述通孔内部的位于Si衬底上下表面的第一厚金属。本发明专利技术采用金属Ag替代传统金属Cu填充工艺，并在表面通过电镀厚金属，使其与含O2环境隔离，从而实现金属化良好的深Si通孔。其中，金属Ag优选为采用纳米银浆固化技术实现。

【技术实现步骤摘要】
一种深Si通孔结构
本专利技术涉及MEMS制造领域，尤其涉及一种深Si通孔结构。
技术介绍
MEMS制造工艺（MicrofabricationProcess）是下至纳米尺度，上至毫米尺度微结构加工工艺的通称。广义上的MEMS制造工艺，方式十分丰富，几乎涉及了各种现代加工技术。起源于半导体和微电子工艺，以光刻、外延、薄膜淀积、氧化、扩散、注入、溅射、蒸镀、刻蚀、划片和封装等为基本工艺步骤来制造复杂三维形体的微加工技术。当前随着芯片使用频率越来越高，传统的Si工艺由于工艺限制，已无法满足人们日益增长的芯片需求。射频MEMS技术（RFMEMS）是利用MEMS技术加工RF器件，已成为人们的研究热点之一。在RFMEMS技术中，深Si通孔金属化工艺利用率较为频繁，可用于正面芯片接地，芯片上下结构导通等。传统的深Si通孔金属化工艺，一般采用电镀Cu或Cu芯焊球填充实现，但实际效果均不理想。采用电镀Cu工艺时，存在以下难题：1）工艺较为复杂：由于电镀液较难进入深Si通孔，使得在优化电镀电场的同时加入抑制剂和加速剂，确保金属Cu自底向上生长，工艺流程多，较为复杂；2）工艺开发周期长：由于电镀Cu工艺较本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种深Si通孔结构，其特征在于：包括带有通孔的Si衬底、位于所述通孔中的第一金属粘附层、位于所述第一金属粘附层中间的金属Ag、以及将金属Ag封闭于所述通孔内部的位于Si衬底上下表面的第一厚金属。

【技术特征摘要】
1.一种深Si通孔结构，其特征在于：包括带有通孔的Si衬底、位于所述通孔中的第一金属粘附层、位于所述第一金属粘附层中间的金属Ag、以及将金属Ag封闭于所述通孔内部的位于Si衬底上下表面的第一厚金属。2.根据权利要求1所述的一种深Si通孔结构，其特征在于：所述的Si衬底包括高阻Si衬底、低阻Si衬底、SOI衬底、SiGe衬底。3.根据权利要求1所述的一种深Si通孔结构，其特征在于：所述的通孔深度为100～1000um，通孔的宽度大于等于5um。4.根据权利要求1或3所述的一种深Si通孔结构，其特征在于：所述的第一金属粘附层在所述通孔中分布不均匀，沿通孔中部方向厚度逐渐降低。5.根据权利要求4所述的一种深Si通孔结构，其特征在于：所述的第一金属粘附层由厚变薄的厚度为1um～0.1um，第一金属粘附层上下两...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈一峰，
申请(专利权)人：成都海威华芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川,51