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本发明公开了一种深Si通孔结构，包括带有通孔的Si衬底、位于所述通孔中的第一金属粘附层、位于所述第一金属粘附层中间的金属Ag、以及将金属Ag封闭于所述通孔内部的位于Si衬底上下表面的第一厚金属。本发明采用金属Ag替代传统金属Cu填充工艺，并...
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