用于集成电路的复合横向电阻器结构制造技术

包括设置在衬底表面之上的横向复合电阻器的IC器件结构以及用于结合晶体管的制作而形成这种电阻器的制作技术。复合电阻性迹线可以包括在衬底之上横向地布置而不是竖直地堆叠的多个电阻性材料。沿电阻性迹线长度，第一电阻性材料与第二电阻性材料的侧壁接触。可以利用第二电阻性材料取代第一电阻性材料的沿电阻性迹线的中心线的部分，使得第二电阻性材料被嵌入第一电阻性材料内。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于集成电路的复合横向电阻器结构
技术介绍
单片集成电路（IC）一般包括在衬底之上制作的多个无源器件（诸如电阻器）和/或有源器件（诸如金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET））等等。图1A是设置在衬底隔离电介质106之上的传统单片复合电阻器110的平面图。图1B是由竖直堆叠的两个电阻性材料115和120构成的传统复合电阻器110的横截面视图。电阻器接触部130是在复合电阻器110的两端处制造的，且与其他无源和有源器件一起互连到IC中。通过选择材料115和120以及它们的z厚度之比率，复合电阻器110可以具有许多种电阻率和热性质。然而，传统复合电阻器中采用的多个电阻性材料引入了在均质薄膜电阻器设计中未发现的问题。例如，多个电阻性材料常常具有非常不同的热性质，并且当复合电阻器在操作期间经历焦耳加热时，热膨胀失配可能是问题。（一个或多个）电阻器材料的分层和/或机械应力引发的材料内的空隙/断裂可能导致电阻值的不受控改变和/或开路状况。关于传统复合电阻器的另一顾虑是与周围层间电介质（ILD）的反应的可能性。与ILD材料的化学反应和/或固态扩散可能沿暴露于ILD的多个电阻性材料的整个电阻性长度而发本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种集成电路（IC）结构，包括：在衬底之上横向延伸的电阻器迹线，所述电阻器迹线的长度包括与第二电阻性材料的侧壁接触的第一电阻性材料；第一电介质材料，设置在所述第一电阻性材料而不是所述第二电阻性材料之上；以及一对电阻器接触部，耦合到以所述长度分离的所述迹线的相对端。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种集成电路（IC）结构，包括：在衬底之上横向延伸的电阻器迹线，所述电阻器迹线的长度包括与第二电阻性材料的侧壁接触的第一电阻性材料；第一电介质材料，设置在所述第一电阻性材料而不是所述第二电阻性材料之上；以及一对电阻器接触部，耦合到以所述长度分离的所述迹线的相对端。2.如权利要求1所述的IC结构，其中：所述第一电阻性材料被设置成邻近于所述第二电阻性材料的两个相对侧壁；所述一对电阻器接触部仅通过第二电阻性材料耦合到所述第一电阻性材料；并且所述结构进一步包括：第二电介质材料，设置在所述第一电阻性材料和所述第一电介质材料二者的外侧壁之上。3.如权利要求2所述的IC结构，进一步包括：第三电介质材料，设置在所述第二电阻性材料之上且与所述第一电介质材料的侧壁接触。4.如权利要求1所述的IC结构，其中：所述第一和第二电阻性材料选自由下述各项构成的组：多晶半导体和金属复合物。5.如权利要求4所述的IC结构，其中所述第一电阻性材料是多晶硅。6.如权利要求1所述的IC结构，其中：所述第二电阻性材料的z厚度大于所述第一电阻性材料的z厚度。7.如权利要求6所述的IC结构，其中所述第一电介质材料的z厚度等于所述第一和第二电阻性材料之间的z高度之差。8.如权利要求1所述的IC结构，其中所述一对电阻器接触部包括：第一金属化部，具有与所述第一电介质材料共平面的顶表面；以及互连金属化部，设置在所述第一金属化部上。9.如权利要求1所述的IC结构，进一步包括：晶体管，设置在所述衬底之上且邻近于所述电阻器迹线，所述晶体管进一步包括：栅极堆叠，设置在半导体沟道之上，所述栅极堆叠包括设置在栅极电介质之上的栅极电极；一对半导体源极/漏极，设置在所述半导体沟道的相对侧上；以及一对源极/漏极接触部，设置在所述一对半导体源极/漏极上，且通过间隔部电介质材料与所述栅极堆叠分离，所述间隔部电介质材料也设置在第一电介质的侧壁上。10.如权利要求9所述的IC结构，其中：所述一对源极/漏极接触部包括第一金属化部；所述一对电阻器接触部包括所述第一金属化部；并且所述第一金属化部具有与所述第一电介质材料共平面的顶表面。11.如权利要求9所述的IC结构，其中：所述半导体沟道包括：半导体鳍，在隔离电介质材料上面延伸z高度；所述第一和第二电阻性材料设置在所述隔离电介质材料上；从所述隔离电介质材料与电阻性材料中的至少一个的界面测量，所述第二电阻性材料具有比栅极电极所具有的z高度大的z高度。12.一种制作集成电路（IC）结构的方法，所述方法包括：形成在衬底之上横向延伸的第一电阻性材料的迹线；移除所述第一电阻性材料的沿所述迹线的纵向中心线的部分；利用第二电阻性材料回填所述第一电阻性材料迹线内的空隙；以及形成落在所述第一和第二电阻性材料中的至少一个上的一对电阻器接触部。13.如权利要求12所述的方法，其中：形成第一电阻性材料的迹线包括：沉积电阻器堆叠，所述电阻器堆叠包括设置在所述第一电阻性材料之上的电阻器硬掩模；并且移除所述第一电阻性材料的沿所述迹线的纵向中心线的部分进一步包括：形成具有变圆的侧壁肩部的电阻器掩模；蚀刻所述电阻器堆叠并将所述变圆的侧壁肩部转化成所述电阻器硬掩模；移除所述电阻器掩模；形成在所述电阻器硬掩模周围平面化的层间电介质（ILD）材料；蚀刻所述电阻器硬掩模的暴露部分以暴露所述第一电阻性材料的部分；以及蚀刻所述第一电阻性材料的暴露部分。14.如权利要求12所述的方法，其中形成一对电阻器接触部进一步包括：在所述第二电阻性材料之上形成接触部掩模；使所述第二电阻性材料的未受所述接触部掩模保护的部分凹陷；移除所述接触部掩模；沉积第一金属化部；以及使所述第一金属化部与所述ILD材料和所述电阻器硬掩模平面化。15.如权利要求14所述的方法，进一步包括：在所述衬底...

【专利技术属性】
技术研发人员：CG李，V卡皮努斯，PC刘，J朴，WM哈费茨，CH詹，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：美国,US