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包括设置在衬底表面之上的横向复合电阻器的IC器件结构以及用于结合晶体管的制作而形成这种电阻器的制作技术。复合电阻性迹线可以包括在衬底之上横向地布置而不是竖直地堆叠的多个电阻性材料。沿电阻性迹线长度，第一电阻性材料与第二电阻性材料的侧壁接触。...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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