与磁感应器集成的晶体管的两侧上的金属制造技术

一种设备以及包含设备的系统，设备包含：电路结构，其包含装置层，其包括多个晶体管装置，各包含第一侧和相反的第二侧；感应器，设置在结构的第二侧上；以及接触部，耦合到感应器并且经过装置层布线，并且在第一侧上耦合到多个晶体管装置中的至少一个。一种方法包含：在衬底上形成多个晶体管装置，限定装置层的多个晶体管装置包含第一侧和相反的第二侧，其中第二侧耦合到衬底；去除衬底的一部分；在装置层的第二侧上形成至少一个感应器；以及将至少一个感应器耦合到多个晶体管装置中的至少一个。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】与磁感应器集成的晶体管的两侧上的金属
半导体装置包含其中包含来自装置的背侧的电连接的装置。
技术介绍
在过去数十年，集成电路中的特征的定标（scaling）一直是日益增长的半导体工业背后的推动力。对越来越小的特征的定标实现半导体芯片的有限基板面上的功能单元的增加密度。例如，缩小晶体管大小允许在芯片上结合增加数量的存储器装置，从而导致具有增加的容量的产品的制造。然而，对于更多容量的推动不是没有问题的。用来优化每个装置的性能的必要性变得越来越重要。未来的电路装置、例如中央处理单元装置将预期在单个管芯或芯片中集成的高性能装置和低电容、低功率装置两者。附图说明图1示出包含连接到封装衬底的集成电路芯片或管芯的组合件的实施例的截面示意侧视图。图2示出包含连接到封装衬底的集成电路芯片或管芯的组合件的另一个实施例的截面示意侧视图。图3示出例如作为晶圆上的集成电路管芯或芯片的一部分的半导体或者绝缘体上半导体(SOI)衬底的一部分的顶侧透视图，并且图示在其上形成的具有到晶体管的栅极电极的互连的三维晶体管装置。图4A-4C示出通过图2的结构的截面侧视图。图5A-5C示出结构以及结构到载体的连接的倒转或倒装本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种设备，包括：电路结构，包括装置层，其包括多个晶体管装置，其各包括第一侧和相反的第二侧；感应器，设置在所述结构的所述第二侧上；以及接触部，耦合到所述感应器，并且经过所述装置层来布线，且在所述第一侧上耦合到所述多个晶体管装置中的至少一个。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种设备，包括：电路结构，包括装置层，其包括多个晶体管装置，其各包括第一侧和相反的第二侧；感应器，设置在所述结构的所述第二侧上；以及接触部，耦合到所述感应器，并且经过所述装置层来布线，且在所述第一侧上耦合到所述多个晶体管装置中的至少一个。2.如权利要求1所述的设备，其中，所述感应器包括磁感应器。3.如权利要求1所述的设备，其中，所述装置层设置在衬底上，并且所述衬底设置在所述装置层与所述供应线之间。4.如权利要求3所述的设备，其中，所述接触部经过所述衬底来布线。5.如权利要求1所述的设备，其中，所述接触部包括第一接触部，所述设备还包括设置在所述结构的所述第二侧上的至少一个互连分层以及耦合到所述至少一个互连分层并且经过所述装置层所设置的至少一个第二接触部。6.如权利要求5所述的设备，还包括接触点，其设置在所述装置层的所述第二侧上，其可操作以耦合到外部源极并且耦合到所述至少一个互连分层。7.如权利要求1所述的设备，其中，所述感应器是电压调节器，所述设备还包括至少一个互连，其设置在所述装置层的所述第二侧上，其可操作以运送功率供应，所述至少一个互连耦合到所述电压调节器。8.如权利要求1所述的设备，还包括所述装置层的所述第二侧上的至少一个互连，并且耦合到所述感应器，其中所述互连耦合在所述感应器与所述接触部之间。9.一种系统，包括：封装衬底，包括供应连接；以及管芯，耦合到所述封装衬底，所述管芯包括：(i)装置层，包括多个晶体管装置，其各包括第一侧和相反的第二侧；(ii)感应器，设置在所述结构的所述第二侧上；以及(iii)接触部，耦合到所述感应器，并且经过所述装置层来布线，且在所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：P莫罗，PB费舍尔，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：美国,US