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用于显露集成电路器件的背侧和相关配置的技术制造技术

技术编号:17746575 阅读:36 留言:0更新日期:2018-04-18 20:12
本公开的实施例描述用于显露集成电路(IC)器件的背侧和相关配置的技术。IC器件可以包括在半导体衬底(例如硅衬底)上形成的多个鳍状物,且隔离氧化物可以沿着IC器件的背侧设置在鳍状物之间。半导体衬底的一部分可以被去除以留下剩余部分。可以通过机械研磨去除半导体衬底的第一部分。可以通过湿法蚀刻去除半导体衬底的第二部分以留下剩余部分。可以通过使用选择性浆料的化学机械平坦化(CMP)来去除半导体衬底的剩余部分以显露IC器件的背侧。可以描述和/或主张其它实施例。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于显露集成电路器件的背侧和相关配置的技术
本公开的实施例通常涉及集成电路的领域,且更特别地涉及用于显露集成电路器件的背侧和相关配置的技术。
技术介绍
在三维集成电路(IC)器件中,可能必须从IC器件的前侧和背侧接近IC器件的器件层。然而,可以被包括在IC器件的背侧中的过孔的密度与在IC器件的背侧上的衬底(例如硅衬底)的厚度成反比。附图说明结合附图通过下面的详细描述将容易理解实施例。为了便于这个描述,相似的参考数字表示相似的结构元件。实施例仅作为示例而不是作为限制在附图中示出。图1示意性示出根据一些实施例的在晶圆形式中和在切割形式中的示例管芯的顶视图。图2示意性示出根据一些实施例的集成电路(IC)组件的横截面侧视图。图3是示出根据一些实施例的用于从IC器件的背侧去除半导体衬底的背侧显露过程的流程图。图4A-4D示意性示出根据一些实施例的图3的在背侧显露过程的各种阶段阶段期间的IC器件的横截面视图。图5A示意性示出根据一些实施例的在半导体衬底上形成的IC器件的横截面侧视图。图5B示意性示出根据一些实施例的具有通过背侧显露过程去除的半导体衬底的图5A的IC器件的横截面侧视图。图5C示意性本文档来自技高网...
用于显露集成电路器件的背侧和相关配置的技术

【技术保护点】
一种用于显露集成电路器件的背侧的方法,所述方法包括:去除半导体衬底的耦合到集成电路(IC)器件的背侧的一部分以留下所述半导体衬底的耦合到所述IC器件的所述背侧的剩余部分;以及通过使用选择性浆料的化学机械平坦化(CMP)来去除所述半导体衬底的所述剩余部分以暴露所述IC器件的所述背侧。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于显露集成电路器件的背侧的方法,所述方法包括:去除半导体衬底的耦合到集成电路(IC)器件的背侧的一部分以留下所述半导体衬底的耦合到所述IC器件的所述背侧的剩余部分;以及通过使用选择性浆料的化学机械平坦化(CMP)来去除所述半导体衬底的所述剩余部分以暴露所述IC器件的所述背侧。2.根据权利要求1所述的方法,其中,去除所述半导体衬底的所述部分包括:通过机械研磨来去除所述半导体衬底的第一部分;以及通过湿法蚀刻来去除所述半导体衬底的第二部分。3.根据权利要求1所述的方法,其中,通过CMP、研磨或湿法蚀刻来去除所述半导体衬底的所述部分。4.根据权利要求1所述的方法,还包括在所述IC器件的所述背侧中生成一个或多个过孔以提供到所述IC器件的一个或多个层的通路。5.根据权利要求1所述的方法,其中,所述IC器件的所述背侧包括隔离氧化物。6.根据权利要求5所述的方法,其中,所述半导体衬底是硅,并且其中,与所述隔离氧化物相比较,所述选择性浆料对硅是选择性的。7.根据权利要求5所述的方法,其中,所述隔离氧化物是绝缘体上硅(SOI)晶圆的绝缘体层。8.根据权利要求1到6中的任一项所述的方法,其中,所述IC器件还包括从所述器件的所述背侧延伸到所述IC器件中的多个半导体鳍状物。9.根据权利要求8所述的方法,还包括通过蚀刻所述半导体鳍状物来使所述半导体鳍状物从所述器件的所述背侧凹进。10.根据权利要求1所述的方法,其中,去除所述部分和去除所述剩余部分在晶圆上执行,所述晶圆包括耦合到包括所述IC器件的多个IC器件的所述半导体衬底,并且其中,所述方法还包括:在去除所述部分和去除所述剩余部分之前将所述IC器件的与所述背侧相对的顶侧接合到载体晶圆。11.根据权利要求1所述的方法,其中,通过CMP去除所述半导体衬底的所述剩余部分还包括:去除所述IC器件的所述背侧上的所述IC器件的半导体鳍状物的一部分,使得所述半导体鳍状物具有相对于所述IC器件的所述背侧的凹进表面。12.一种集成电路,包括:隔离氧化物,其包括限定所述集成电路的背侧的表面,其中,所述隔离氧化物的所述表面不接合到半导体衬底;多个半导体区,其从所述集成电路的所述背侧延伸到所述集成电路的主体内,其中,所述多个半导体区由半导体材料形成;以及一个或多个晶体管层,其耦合到所述多个半导体区中的一个或多个半导体区以形成一个或多个晶体管。13.根据权利要求12所述的集成电路,还包括设置在所述隔离氧化物中并从所...

【专利技术属性】
技术研发人员:IS·孙C·T·卡弗P·B·菲舍尔P·莫罗K·俊
申请(专利权)人:英特尔公司
类型:发明
国别省市:美国,US

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