基板处理方法及基板处理装置制造方法及图纸
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基板处理方法及基板处理装置
本专利技术涉及使用处理液对基板的表面进行处理的基板处理方法及基板处理装置。在作为处理对象的基板的例子中，包括有半导体晶片、液晶显示装置用基板、等离子体显示器用基板、场发射显示器(FED；FieldEmissionDisplay)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板、陶瓷基板、太阳能电池用基板等。
技术介绍
在半导体装置的制造步骤中，半导体晶片等基板的表面是由处理液处理。一次对一片基板进行处理的单片式的基板处理装置具备有：旋转卡盘，其一边将基板保持为大致水平，一边使该基板进行旋转；及喷嘴，其用于将处理液供给至由该旋转卡盘旋转的基板的表面。在典型的基板处理步骤中，药液被供给至由旋转卡盘所保持的基板(药液处理)。然后，水被供给至基板，由此，基板上的药液被置换为水(冲洗处理)。然后，进行用于将基板上的水排除的旋转干燥步骤(参照专利文献1及专利文献2)。在旋转干燥步骤中，通过基板被高速旋转，将附着在基板的水甩落而加以去除(干燥)。一般的水为去离子水。在基板的表面形成有微细的图案的情形时，存在有在旋转干燥步骤中无法去除进入至图...
【技术保护点】
一种基板处理方法，使用处理液对基板的表面进行处理，包括：混合液置换步骤，以第一液体与第二液体的混合液来置换附着在上述基板的表面的处理液，该第二液体的沸点比上述第一液体的沸点高且该第二液体具有比上述第一液体的表面张力低的表面张力；及混合液去除步骤，在上述混合液置换步骤之后，从上述基板的表面去除上述混合液。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.08.18 JP 2015-161327;2015.08.18 JP 2015-161321.一种基板处理方法，使用处理液对基板的表面进行处理，包括：混合液置换步骤，以第一液体与第二液体的混合液来置换附着在上述基板的表面的处理液，该第二液体的沸点比上述第一液体的沸点高且该第二液体具有比上述第一液体的表面张力低的表面张力；及混合液去除步骤，在上述混合液置换步骤之后，从上述基板的表面去除上述混合液。2.如权利要求1所述的基板处理方法，其中，该基板处理方法还包括将上述基板保持为水平的基板保持步骤，上述混合液置换步骤包括形成覆盖上述基板的上表面的上述混合液的液膜的液膜形成步骤，上述混合液去除步骤包括：液膜去除区域形成步骤，在上述混合液的上述液膜形成液膜去除区域；及液膜去除区域扩大步骤，使上述液膜去除区域朝向上述基板的外周扩大。3.如权利要求2所述的基板处理方法，其中，该基板处理方法还包括覆液步骤，该覆液步骤与上述液膜形成步骤并行进行，在该覆液步骤中，使上述基板呈静止状态或以覆液速度使上述基板绕上述旋转轴线旋转。4.如权利要求2或3所述的基板处理方法，其中，上述液膜去除区域形成步骤包括将气体喷吹在上述基板的上表面的气体喷吹步骤。5.如权利要求4所述的基板处理方法，其中，上述气体包含温度比常温高的高温气体。6.如权利要求2或3所述的基板处理方法，其中，上述液膜去除区域扩大步骤包括使上述基板以比上述液膜形成步骤时的速度更高的速度旋转的高速旋转步骤。7.如权利要求1所述的基板处理方法，其中，上述第一液体包括水，上述第二液体包括乙二醇。8.一种基板处理装置，包括：基板保持单元，将基板保持为水平，混合液供给单元，将第一液体与第二液体的混合液供给至上述基板的上表面，该第二液体的沸点比上述第一液体的沸点高且该第二液体具有比上述第一液体的表面张力低的表面张力，及控制装置，至少对混合液供给单元进行控制；上述控制装置执行如下的步骤：液膜形成步骤，形成覆盖上述基板的上表面的上述混合液的液膜，液膜去除区域形成步骤，在上述混合液的上述液膜形成液膜去除区域，及液膜去除区域扩大步骤，使上述液膜去除区域朝向上述基板的外周扩大。9.一种基板处理方法，使用处理液对基板的表面进行处理，包括：混合液形成步骤，将沸点比上述处理液的沸点高且具有比该处理液的表面张力低的表面张力的低表面张力液体供给至残留有上述处理液的上述基板的表面，由此在上述基板的表面形成上述残留处理液与上述低表面张力液体的混合液；置换步骤，使上述处理液从被供给至上述基板的表面的上述混合液蒸发，而将上述混合液中至少与上述基板的表面之间的界面的上述混合液置换为上述低表面张力液体；及干燥步骤，将上述低表面张力液体从上述基板的表面去除，而使该基板的表面干燥。10.如权利要求9所述的基板处理方法，其中，上述置换...
【专利技术属性】
技术研发人员：尾辻正幸，本庄一大，
申请(专利权)人：株式会社斯库林集团，
类型：发明
国别省市：日本,JP
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