器件晶片的加工方法技术

提供器件晶片的加工方法，能够确保分割后的器件芯片的去疵性和抗弯强度。器件晶片的加工方法对在正面上形成有多个器件的器件晶片进行加工。器件晶片的加工方法包含：保持步骤，利用卡盘工作台对器件晶片的正面侧进行保持而使背面露出；以及去疵层生成步骤，一边使卡盘工作台和研磨垫旋转并且向该器件晶片提供不含有磨粒的液体，一边使研磨垫与器件晶片的背面抵接而生成去疵层，其中，该研磨垫按照20～50重量％含有粒径为0.35～1.7(μm)[中央值]的磨粒，实施了去疵层生成步骤之后的器件晶片背面的粗糙度(Ra)为0.8nm～4.5nm。

【技术实现步骤摘要】
器件晶片的加工方法
本专利技术涉及器件晶片的加工方法。
技术介绍
近年来，为了器件的小型化等，将形成器件后的晶片(以下，称为“器件晶片”)加工得较薄。但是，例如当对器件晶片进行研磨而使其厚度薄至100μm以下时，捕捉对器件有害的Cu等金属元素的去疵效果会降低(由于去疵层被去除)，有可能产生器件的动作缺陷。为了解决该问题，在器件制造的后续工序中，在形成有器件的晶片的背面形成对Cu等金属元素进行捕捉的去疵层。在专利文献1中记载了下述内容：使用研磨液并使用研磨垫对进行了磨削的晶片实施化学机械研磨(CMP)，然后提供冲洗液来代替研磨液，利用该研磨垫形成去疵层。另外，作为去疵性的评价方法，有下述方法：在利用金属元素对器件晶片的背面侧强制性地进行污染之后，在正面侧对金属元素的原子量进行测量，在测量到的金属原子的原子数未达到规定的检测数的情况下，判断为去疵性充分(例如，参照专利文献2)。专利文献1：日本特开2009-94326号公报专利文献2：日本特开2012-238732号公报但是，当器件晶片进一步薄型化时，存在当确保去疵性时器件芯片的抗弯强度降低的趋势。因此，当较薄地形成器件晶片时，难以实现兼本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种器件晶片的加工方法，该器件晶片在正面上形成有多个器件，其中，该器件晶片的加工方法包含如下的步骤：保持步骤，利用卡盘工作台对该器件晶片的该正面侧进行保持而使背面露出；以及去疵层生成步骤，一边使该卡盘工作台和研磨垫旋转并且向该器件晶片提供不含有磨粒的液体，一边使该研磨垫与该器件晶片的背面抵接而生成去疵层，其中，所述研磨垫按照20重量％～50重量％含有粒径为0.35μm～1.7μm[中央值]的磨粒，实施了该去疵层生成步骤之后的该器件晶片的背面的粗糙度Ra为0.8nm～4.5nm。

【技术特征摘要】
2016.09.29 JP 2016-1919551.一种器件晶片的加工方法，该器件晶片在正面上形成有多个器件，其中，该器件晶片的加工方法包含如下的步骤：保持步骤，利用卡盘工作台对该器件晶片的该正面侧进行保持而使背面露出；以及去疵层生成步骤，...

【专利技术属性】
技术研发人员：有福法久，金子智洋，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：日本,JP