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本公开的实施例描述用于显露集成电路(IC)器件的背侧和相关配置的技术。IC器件可以包括在半导体衬底(例如硅衬底)上形成的多个鳍状物，且隔离氧化物可以沿着IC器件的背侧设置在鳍状物之间。半导体衬底的一部分可以被去除以留下剩余部分。可以通过机械...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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