晶体管串联集成装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种晶体管串联集成装置，通过将依次串联的至少两个晶体管设置于金属导电主体，实现对串联的各晶体管的集成，且依次串联的各晶体管的第一端分别连接对应的引脚，且串联连接的各晶体管中首端晶体管的第二端和末端晶体管的第三端分别连接对应的引脚。如此，在串联的晶体管需要应用到电路中，与外部器件连接时，通过将晶体管串联集成装置中的各引脚分别连接外部器件即可实现将串联的晶体管应用到电路中，无需将单独的晶体管进行串联后再连接到电路中，便于用户操作，可有效地将晶体管串联集成装置应用到电路中。

Transistor series integrated device

The utility model discloses a transistor series integrated device, through at least two transistors connected in series in turn arranged on the metal conductive body, realize the integration of the transistors in series, the end of each transistor and series are respectively connected to the corresponding pin, and on the first transistors connected each transistor in second and at the end of the third transistor is respectively connected with the corresponding pin. So, in a series of transistor needs to be applied to the circuit, is connected to the external device, the transistor series of each pin in the integrated device are respectively connected with external devices can achieve the application of series transistor into the circuit, without the need to separate the transistor are connected in series and then connected to the circuit, it is convenient for user to operate effectively the transistor series integrated device applied to the circuit.

【技术实现步骤摘要】
晶体管串联集成装置
本技术涉及半导体
，特别涉及一种晶体管串联集成装置。
技术介绍
在功率半导体封装器件中，相同功率的条件下，提高工作的电压，能有效降低工作的电流，进而达到高效节能以及高功率密度的趋势需求。因为在相同功率下，提高电压值后，可以降低电流值(功率P等于电压V与电流I的乘积，即P＝V*I)，进而可减少终端产品使用半导体材料的电流规格，进而提升终端产品的功率密度，也降低成本(因为电流更小表示使用的半导体元件也更小，即体积小，从而使成本更低)。晶体管作为半导体器件在电子领域有着广泛的应用，并联的晶体管可达到额定工作电流相加，串联的晶极管可达到额定反向耐压相加，晶体管的串联可以达到额定耐压相加的目的，从而为了倍增额定耐压，降低电流值，降低成本，可对晶体管进行串联，其实用性强，在电路设计中经常会用到，然而，目前，一般先将两颗单独的晶体管串联，然后再将串联的晶体管连接到电路中，这样不便于用户操作，不能有效地将晶体管应用到实际的电路设计中。
技术实现思路
基于此，有必要针对现有将晶体管串联并将其连接到电路中不便于用户操作的问题，提供一种晶体管串联集成装置。提供一种晶体管串联集成装置，包括金属导电框架以及至少两个晶体管，所述晶体管包括第一端、第二端以及第三端，所述金属导电框架包括金属导电主体以及至少四个相互独立的引脚，所述晶体管设置于所述金属导电主体；各所述晶体管依次串联连接，依次串联的各晶体管的第一端分别连接对应的引脚，串联连接的首端晶体管的第二端、末端晶体管的第三端分别连接对应的引脚；所述首端晶体管的第三端和与其串联的相邻的晶体管的第二端连接，所述末端晶体管的第二端和与其串联的相邻的晶体管的第三端连接，所述首端晶体管和所述末端晶体管之间的串联连接的相邻两个晶体管中邻近所述首端晶体管的晶体管的第三端、与邻近所述末端晶体管的晶体管的第二端连接。在其中一个实施例中，所述首端晶体管的第三端和与其串联的相邻的晶体管的第二端还分别与对应的引脚连接，所述末端晶体管的第二端和与其串联的相邻的晶体管的第三端还分别与对应的引脚连接，所述末端晶体管的第二端和与其串联的相邻的晶体管的第三端连接，所述首端晶体管和所述末端晶体管之间的串联连接的相邻两个晶体管中邻近所述首端晶体管的晶体管的第三端、邻近所述末端晶体管的晶体管的第二端还分别与对应的引脚连接。在其中一个实施例中，各所述晶体管包括第一晶体管以及第二晶体管，各所述引脚包括第一引脚、第二引脚、第三引脚、第四引脚以及第五引脚，所述第一晶体管的第一端连接所述第一引脚，所述第二晶体管的第一端连接所述第二引脚，所述第一晶体管的第二端连接所述第三引脚，所述第一晶体管与所述第二晶体管之间通过所述第一晶体管的第三端与所述第二晶体管的第二端串联，且所述第一晶体管的第三端与所述第二晶体管的第二端分别连接所述第四引脚，所述第二晶体管的第三端与所述第五引脚连接。在其中一个实施例中，所述金属导电主体包括相互独立的第一金属导电体以及第二金属导电体，所述第一金属导电体与所述第三引脚的一端连接，所述第二金属导电体与所述第四引脚的一端连接；所述第一晶体管设置于所述第一金属导电体，所述第一晶体管的第二端通过所述第一金属导电体与所述第三引脚的一端连接，所述第一晶体管的第三端通过所述第二金属导电体与所述第二晶体管的第二端连接，所述第二晶体管设置于所述第二金属导电体，所述第二晶体管的第二端通过所述第二金属导电体与所述第四引脚的一端连接。在其中一个实施例中，所述引脚、所述第一金属导电体以及所述第二金属导电体分别为片状，且所述第一金属导电体与所述第三引脚为一体化设置，所述第二金属导电体与所述第四引脚为一体化设置。在其中一个实施例中，上述晶体管串联集成装置，还包括绝缘层，所述绝缘层包覆所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述金属导电主体、第一引脚的一端、第二引脚的一端、第三引脚的一端、第四引脚的一端以及第五引脚的一端，第一引脚的另一端、第二引脚的另一端、第三引脚的另一端、第四引脚的另一端以及第五引脚的另一端分别置于所述绝缘层的外侧。在其中一个实施例中，上述晶体管串联集成装置，还包括设置于所述第一金属导电体的第一续流二极管以及设置于所述第二金属导电体的第二续流二极管，所述第一续流二极管的负极贴附所述第一金属导电体，正极连接所述第二金属导电体，所述第二续流二极管的负极贴附所述第二金属导电体，正极连接所述第五引脚。在其中一个实施例中，所述第一晶体管为第一绝缘栅双极性晶体管，所述第二晶体管为第二绝缘栅双极性晶体管，所述第一端为门极，所述第二端为集电极，所述第三端为发射极；所述第一绝缘栅双极性晶体管的第二端贴附于所述第一金属导电体，所述第二绝缘栅双极性晶体管的第二端贴附于所述第二金属导电体。在其中一个实施例中，所述第一晶体管为第一金属氧化物半导体场效应管，所述第二晶体管为第二金属氧化物半导体场效应管，所述第一端为栅极，所述第二端为漏极，所述第三端为源极；所述第一金属氧化物半导体场效应管的第二端通过金属导电线与所述第一金属导电体连接，所述第二金属氧化物半导体场效应管的第二端通过金属导电线与所述第二金属导电体连接。在其中一个实施例中，各所述引脚并排设置。上述晶体管串联集成装置，通过将依次串联的至少两个晶体管设置于金属导电主体，实现对串联的各晶体管的集成，且依次串联的各晶体管的第一端分别连接对应的引脚，且串联连接的各晶体管中首端晶体管的第二端和末端晶体管的第三端分别连接对应的引脚。如此，在串联的晶体管需要应用到电路中，与外部器件连接时，通过将晶体管串联集成装置中的各引脚分别连接外部器件即可实现将串联的晶体管应用到电路中，无需将单独的晶体管进行串联后再连接到电路中，便于用户操作，可有效地将晶体管串联集成装置应用到电路中。附图说明图1为一实施例的晶体管串联集成装置的结构示意图；图2为另一实施例的晶体管串联集成装置的结构示意图；图3为第一绝缘栅双极性晶体管和第二绝缘栅双极性晶体管串联后的等效电路图；图4为另一实施例的晶体管串联集成装置的结构示意图图5为第一金属氧化物半导体场效应管和第二金属氧化物半导体场效应管串联后的等效电路图；图6为一实施例的晶体管串联集成装置中金属导电框架的结构示意图；图7为另一实施例的晶体管串联集成装置中金属导电框架的结构示意图；图8为另一实施例的晶体管串联集成装置中金属导电框架的结构示意图；图9为一实施例的生产各金属导电框架的结构示意图。具体实施方式请参阅图1，本申请中一个实施例的晶体管串联集成装置，包括金属导电框架100以及至少两个晶体管200，晶体管200包括第一端、第二端以及第三端，金属导电框架100包括金属导电主体110以及至少四个相互独立的引脚120，晶体管200设置于金属导电主体110。各晶体管200依次串联连接，依次串联的各晶体管200的第一端分别连接对应的引脚，串联连接的首端晶体管的第二端、末端晶体管的第三端分别连接对应的引脚，首端晶体管的第三端和与其串联的相邻的晶体管的第二端连接，末端晶体管的第二端和与其串联的相邻的晶体管的第三端连接，首端晶体管和末端晶体管之间的串联连接的相邻两个晶体管中邻近首端晶体管的晶体管的第三端、与邻近末端晶体管的晶体管的第二端连接。依次串联连接的各晶体管2本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶体管串联集成装置，其特征在于，包括金属导电框架以及至少两个晶体管，所述晶体管包括第一端、第二端以及第三端，所述金属导电框架包括金属导电主体以及至少四个相互独立的引脚，所述晶体管设置于所述金属导电主体；各所述晶体管依次串联连接，依次串联的各晶体管的第一端分别连接对应的引脚，串联连接的首端晶体管的第二端、末端晶体管的第三端分别连接对应的引脚；所述首端晶体管的第三端和与其串联的相邻的晶体管的第二端连接，所述末端晶体管的第二端和与其串联的相邻的晶体管的第三端连接，所述首端晶体管和所述末端晶体管之间的串联连接的相邻两个晶体管中邻近所述首端晶体管的晶体管的第三端、与邻近所述末端晶体管的晶体管的第二端连接。

【技术特征摘要】
1.一种晶体管串联集成装置，其特征在于，包括金属导电框架以及至少两个晶体管，所述晶体管包括第一端、第二端以及第三端，所述金属导电框架包括金属导电主体以及至少四个相互独立的引脚，所述晶体管设置于所述金属导电主体；各所述晶体管依次串联连接，依次串联的各晶体管的第一端分别连接对应的引脚，串联连接的首端晶体管的第二端、末端晶体管的第三端分别连接对应的引脚；所述首端晶体管的第三端和与其串联的相邻的晶体管的第二端连接，所述末端晶体管的第二端和与其串联的相邻的晶体管的第三端连接，所述首端晶体管和所述末端晶体管之间的串联连接的相邻两个晶体管中邻近所述首端晶体管的晶体管的第三端、与邻近所述末端晶体管的晶体管的第二端连接。2.根据权利要求1所述的晶体管串联集成装置，其特征在于，所述首端晶体管的第三端和与其串联的相邻的晶体管的第二端还分别与对应的引脚连接，所述末端晶体管的第二端和与其串联的相邻的晶体管的第三端还分别与对应的引脚连接，所述首端晶体管和所述末端晶体管之间的串联连接的相邻两个晶体管中邻近所述首端晶体管的晶体管的第三端、邻近所述末端晶体管的晶体管的第二端还分别与对应的引脚连接。3.根据权利要求2所述的晶体管串联集成装置，其特征在于，各所述晶体管包括第一晶体管以及第二晶体管，各所述引脚包括第一引脚、第二引脚、第三引脚、第四引脚以及第五引脚，所述第一晶体管的第一端连接所述第一引脚，所述第二晶体管的第一端连接所述第二引脚，所述第一晶体管的第二端连接所述第三引脚，所述第一晶体管与所述第二晶体管之间通过所述第一晶体管的第三端与所述第二晶体管的第二端串联，且所述第一晶体管的第三端与所述第二晶体管的第二端分别连接所述第四引脚，所述第二晶体管的第三端与所述第五引脚连接。4.根据权利要求3所述的晶体管串联集成装置，其特征在于，所述金属导电主体包括相互独立的第一金属导电体以及第二金属导电体，所述第一金属导电体与所述第三引脚的一端连接，所述第二金属导电体与所述第四引脚的一端连接；所述第一晶体管设置于所述第一金属导电体，所述第一晶体管的第二端通过所述第一金属导电体与所述第三引脚的一端连...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈文彬，罗小春，
申请(专利权)人：深圳市矽莱克半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44