串联封装的碳化硅衬底及氮化镓衬底半导体装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种串联封装的碳化硅衬底及氮化镓衬底半导体装置，所述引线框架包括用于设置芯片的芯片岛，所述芯片岛包括第一岛和与第一岛隔离的第二岛，所述第一岛和第二岛各用于设置一碳化硅/氮化镓衬底的芯片，所述第二岛包括引线连接区，用于通过引线连接至所述第一岛上设置的芯片，以与所述第二岛设置的芯片形成串联连接，所述引线框架还包括第二引脚和与所述第一岛电性连接的第一引脚；所述第一引脚和第二引脚中的一个作为串联后的输入端、另一个作为串联后的输出端。本实用新型专利技术结构更简单、成本更低、可实施性高。

Silicon carbide substrate and gallium nitride substrate semiconductor device in series package

The utility model relates to a silicon carbide substrate and gallium nitride substrate for a semiconductor device package series, the lead frame which is used for installing the chip chip island, the chip includes a first island and the island island isolated second island, the first island and the second island respectively for setting a chip SiC / GaN substrate. The second islands including the connecting area, for connection to the first set on the island by the lead of the chip, and to set the second island chip forming series connection, the lead frame includes second pins and the first pin of the first island electric connection; the first pin and the second pin in a series as the input and the other as the output series after the end. The structure of the utility model is simpler, the cost is lower, and the practicality is high.

【技术实现步骤摘要】
串联封装的碳化硅衬底及氮化镓衬底半导体装置
本技术涉及半导体器件，特别是涉及一种串联封装的碳化硅衬底半导体装置，还涉及一种串联封装的氮化镓衬底半导体装置。
技术介绍
以碳化硅(SiC)或氮化镓(GaN)等为衬底的第三代半导体，相比传统硅(Si)衬底有着宽禁带的优点，如SiC的肖特基反向耐压特性会比Si高约10倍，且导热性佳、功率密度高、高温的漏电损失极低，因此广泛的运用于电网谐波的功率因素校正、电网电力传输、高铁设施、通讯、电动车充电桩及逆变器等高频及高压的运用领域。但目前因为碳化硅及氮化镓衬底的元器件都有无法达到一定高电压的技术限制(如碳化硅目前最高电压为1700V，氮化镓为数百伏特)，使得其应用范围受到限制。
技术实现思路
基于此，有必要提供一种串联封装的碳化硅衬底半导体装置及一种串联封装的氮化镓衬底半导体装置。一种串联封装的碳化硅衬底半导体装置，包括引线框架，设于所述引线框架上的第一芯片、第二芯片，以及覆盖所述第一芯片和第二芯片的绝缘保护外层，所述引线框架包括用于设置芯片的芯片岛，所述第一芯片和第二芯片均为碳化硅衬底的芯片并设于所述芯片岛上，两个芯片的正面均与背面的极性相反；所述芯片岛本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种串联封装的碳化硅衬底半导体装置，包括引线框架，设于所述引线框架上的第一芯片、第二芯片，以及覆盖所述第一芯片和第二芯片的绝缘保护外层，所述引线框架包括用于设置芯片的芯片岛，所述第一芯片和第二芯片均为碳化硅衬底的芯片并设于所述芯片岛上，两个芯片的正面均与背面的极性相反；其特征在于，所述芯片岛包括第一岛和与第一岛隔离的第二岛，所述第一芯片设于所述第一岛上，所述第二芯片设于所述第二岛上；所述引线框架包括第二引脚和与所述第一岛电性连接的第一引脚，所述第一芯片和第二芯片通过相同的面与所述芯片岛接触，所述第二芯片背离所述第二岛的一面通过引线电性连接至所述第二引脚，所述第二岛包括引线连接区，所述第一芯片背...

【技术特征摘要】
1.一种串联封装的碳化硅衬底半导体装置，包括引线框架，设于所述引线框架上的第一芯片、第二芯片，以及覆盖所述第一芯片和第二芯片的绝缘保护外层，所述引线框架包括用于设置芯片的芯片岛，所述第一芯片和第二芯片均为碳化硅衬底的芯片并设于所述芯片岛上，两个芯片的正面均与背面的极性相反；其特征在于，所述芯片岛包括第一岛和与第一岛隔离的第二岛，所述第一芯片设于所述第一岛上，所述第二芯片设于所述第二岛上；所述引线框架包括第二引脚和与所述第一岛电性连接的第一引脚，所述第一芯片和第二芯片通过相同的面与所述芯片岛接触，所述第二芯片背离所述第二岛的一面通过引线电性连接至所述第二引脚，所述第二岛包括引线连接区，所述第一芯片背离所述第一岛的一面通过引线电性连接至所述引线连接区；所述碳化硅衬底半导体装置还包括电性连接至所述第二岛的电压检测点，所述电压检测点不被所述绝缘保护外层包覆，所述第一引脚和第二引脚中的一个作为串联后的输入端、另一个作为串联后的输出端。2.根据权利要求1所述的串联封装的碳化硅衬底半导体装置，其特征在于，所述两个芯片与所述芯片岛接触的一面均是阴极，所述第二芯片是阳极通过引线电性连接至所述第二引脚，所述第一芯片是阳极通过引线电性连接至所述第二岛。3.根据权利要求1所述的串联封装的碳化硅衬底半导体装置，其特征在于，所述第一芯片和第二芯片是肖特基二极管芯片。4.根据权利要求1所述的串联封装的碳化硅衬底半导体装置，其特征在于，所述第一芯片和第二芯片是取自在一块晶圆上位置相邻的两个芯片。5.根据权利要求1所述的串联封装的碳化硅衬底半导体装置，其特征在于，所述第二岛远离所述第二引脚一端向外延伸出所述绝缘保护外层外形成外露部，所述电压检测点设于所述外露部上。...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈文彬，罗小春，
申请(专利权)人：深圳市矽莱克半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44