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本实用新型涉及一种串联封装的碳化硅衬底及氮化镓衬底半导体装置，所述引线框架包括用于设置芯片的芯片岛，所述芯片岛包括第一岛和与第一岛隔离的第二岛，所述第一岛和第二岛各用于设置一碳化硅/氮化镓衬底的芯片，所述第二岛包括引线连接区，用于通过引线连...
该专利属于深圳市矽莱克半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市矽莱克半导体有限公司授权不得商用。

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