一种低热阻扁平插件式塑封单相整流桥制造技术

一种低热阻扁平插件式塑封单相整流桥，包括塑封体（16），铜引线框架（8），内引线（3）和外引线（4），铝基板（11），绝缘层（12），铜箔焊接层（13），低温焊料层（14），基岛，温焊料层，二极管芯片。二极管芯片上设一层芯片上面高温焊料层（72），芯片上面高温焊料层（72）上设有内引线片（9）和浅槽（15），内引线片（9）在焊接位置间设有弧形过渡桥（10）。本实用新型专利技术通过加大铜框架的面积、加大内引线片的面积、加大绝缘铝基板的厚度，并且使绝缘铝基板和铜引线框架直接焊接在一起，减小热阻、加大二极管芯片的面积，从而加大了产品的通流量，改善了产品的散热特性，提高了新产品的可靠性。

A flat single phase rectifier bridge with low thermal resistance and flat plug

A low thermal resistance of flat plug in single phase rectifier bridge, including the package body (16), copper lead frame (8), lead (3) and lead (4), aluminum substrate (11), an insulating layer (12), copper welding layer (13), low temperature solder layer (14). Island, the temperature of solder layer, diode chip. A high temperature solder layer (72) is installed on the chip on the chip of the diode chip, and the inner lead wire (9) and the shallow groove (15) are arranged on the high temperature solder layer (72) on the chip, and the inner lead strip (9) is provided with an arc transition bridge (10) between the welding positions. The utility model by increasing the copper frame area, increase in leaf area, increase the lead insulation aluminum substrate thickness, and the insulating aluminum plate and copper lead frame directly welded together, reduce resistance, increase the diode chip area, thereby increasing the product flow volume, improve the heat dissipation characteristics of products, improve the reliability of new products.

【技术实现步骤摘要】
一种低热阻扁平插件式塑封单相整流桥
本技术涉及硅二极管组装的扁平插件式塑封单相整流桥，尤其涉及一种低热阻扁平插件式塑封单相整流桥。
技术介绍
目前市场上销售的扁平插件式塑封单相整流桥，其结构形式为铝散热片用粘合剂粘到硅酮塑封料上，硅酮塑封料包封铜引线框架，在铜引线框架的四个独立基岛上分别焊接四只二极管芯片的阴极，在四只二极管芯片的阳极和相关的独立基岛上，分别焊有四个内引线片。这种传统产品四只二极管芯片的阴极焊接在四只独立的铜引线框架的独立基岛上,造成四只独立基岛的平面积由于失去了它们之间缝隙以及内引线片焊接在基岛区域的面积而比连成一起的底板面积小很多。基岛的面积小就产生了两个问题，一个问题热容量小，对产品工作中的发热和散热都没有好处，发热会相对严重，工作中向外传热的热阻相对也会增大；另一个问题是基岛表面上所能容纳的二极管芯片的面积也受到限制，所以该传统产品的二极管芯片最大只能用到5.6mm×5.6mm，这就大大地限制了产品的通流量，仅为45A。传统产品的铝散热片是用粘合剂粘到硅酮塑封料上的，且使用的铝材是0.5-0.6mm厚的铝板，这样的结构，使得二极管在工作时发出的热量要通过铜框架本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低热阻扁平插件式塑封单相整流桥，包括塑封体（16），铜引线框架（8），内引线（3）和外引线（4）；所述铜引线框架（8）上设有铝基板（11），铝基板（11）上设有绝缘层（12），绝缘层（12）上设有铜箔焊接层（13），铜箔焊接层（13）上设有低温焊料层（14），低温焊料层（14）上设有上基岛（1）和下基岛（2），上基岛（1）由基岛一（101）和基岛二（102）相连组成，下基岛（2）由基岛三（201）和基岛四（202）相连组成；所述上基岛（1）和下基岛（2）上设有芯片底面高温焊料层（71），芯片底面高温焊料层（71）上设有阳极二极管芯片（5）和阴极二极管芯片（6），二极管芯片上再设一层芯片上面...

【技术特征摘要】
1.一种低热阻扁平插件式塑封单相整流桥，包括塑封体（16），铜引线框架（8），内引线（3）和外引线（4）；所述铜引线框架（8）上设有铝基板（11），铝基板（11）上设有绝缘层（12），绝缘层（12）上设有铜箔焊接层（13），铜箔焊接层（13）上设有低温焊料层（14），低温焊料层（14）上设有上基岛（1）和下基岛（2），上基岛（1）由基岛一（101）和基岛二（102）相连组成，下基岛（2）由基岛三（201）和基岛四（202）相连组成；所述上基岛（1）和下基岛（2）上设有芯片底面高温焊料层（71），芯片底面高温焊料层（71）上设有阳极二极管芯片（5）和阴极二极管芯片（6），二极管芯片上再设一层芯片上面高温焊料层（72），芯片上面高温焊料层（72）上设有内引线片（9）和浅槽（15...

【专利技术属性】
技术研发人员：李成军，王成森，王琳，薛治祥，姚霜霜，
申请(专利权)人：捷捷半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32