一种适用于宽电源电压范围的参考电压产生电路制造技术
【技术实现步骤摘要】
一种适用于宽电源电压范围的参考电压产生电路
本专利技术涉及一种参考电压产生电路，特别是涉及一种适用于宽电源电压范围的参考电压产生电路。
技术介绍
低功耗设计在银行卡、MCU等领域受到青睐，其中一种降低功耗的方法是通过降低电源电压来降低系统功耗，低电压慢速读取和高电压快速读取的灵活使用能有效降低系统对功耗的要求。工作在低电压的嵌入式闪存IP能降低外围电路的设计难度，同时使得整个系统能工作在低功耗模式。低功耗设计对电源电压的要求：当LVE＝0时工作在VDD＝1.5V+/-10％当LVE＝1时工作在VDD＝1.2V+/-10％图1为传统的参考电压产生电路的电路示意图。如图1所示，传统的参考电压产生电路(1.35-1.65V)由初始参考电压产生电路1和电容分压电路2以及第一开关S1、第二开关S2、第三开关S3组成。其中，初始参考电压产生电路1由电阻R1、二极管D1和NMOS管M1组成，用于产生初始参考电压Vref；电容分压电路2由第一电容C1和第二电容C2组成，用于产生电容基准电压Vcap；第一开关S1用于在上电时或复位操作后给初始参考电压产生电路1和电容分压电路2供电；...
【技术保护点】
一种适用于宽电源电压范围的参考电压产生电路，包括：初始参考电压产生电路，用于产生初始参考电压Vref；电容分压电路，用于产生电容基准电压Vcap；第一开关，用于在上电时或复位操作后给所述初始参考电压产生电路和电容分压电路供电；复位电路，用于当检测到电源电压许可信号LVE频繁切换时将所述初始参考电压产生电路和电容分压电路复位；复位电路延时控制电路，用于在电源电压在低电压和高电压间频繁切换导致电源电压许可信号LVE频繁切换时产生切换检测信号LVEd以控制所述复位电路动作；第二开关，用于在所述初始参考电压Vref建立后需要刷新参考电压时将所述初始参考电压产生电路的分压输出即初始参...
【技术特征摘要】
1.一种适用于宽电源电压范围的参考电压产生电路，包括：初始参考电压产生电路，用于产生初始参考电压Vref；电容分压电路，用于产生电容基准电压Vcap；第一开关，用于在上电时或复位操作后给所述初始参考电压产生电路和电容分压电路供电；复位电路，用于当检测到电源电压许可信号LVE频繁切换时将所述初始参考电压产生电路和电容分压电路复位；复位电路延时控制电路，用于在电源电压在低电压和高电压间频繁切换导致电源电压许可信号LVE频繁切换时产生切换检测信号LVEd以控制所述复位电路动作；第二开关，用于在所述初始参考电压Vref建立后需要刷新参考电压时将所述初始参考电压产生电路的分压输出即初始参考电压Vref；第三开关，用于刷新参考电压前打开初始参考电压产生电路产生Vref，并在刷新操作完成后关断。2.如权利要求1所述的一种适用于宽电源电压范围的参考电压产生电路，其特征在于：所述初始参考电压产生电路包括第一电阻R1、第二电阻R2、二极管D1、第三NMOS管N3和第一PMOS管P1。3.如权利要求2所述的一种适用于宽电源电压范围的参考电压产生电路，其特征在于：电源电压通过所述第一开关连接至由所述第一电阻R1的一端、电容分压电路输入端、第一PMOS管P1的源极、复位电路输入端相连组成的第一参考电压VF节点，所述第一电阻R1的另一端与第一PMOS管P1的漏极和第二电阻R2的一端相连，第二电阻R2的另一端与所述第三NMOS管N3的栅极、二极管D1的阳极、第二开关S2的一端以及复位电路的输出端相连组成所述初始参考电压Vref节点，所述二极管D1的阴极连接至所述第三NMOS管N3的漏极，第三NMOS管N3的源极通过第三开关S3接地，第一PMOS管P1的栅极连接至互补电源电压许可信号LVEb。4.如权利要求3所述的一种适用于宽电源电压范围的参考电压产生电路，其特征在于：所述电容分压电路包括第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3和第二PMOS管，所述第一电容C1的一端、第三电容C3的一端组成电容分压电路的输入端连接至所述第一参考电压V...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐依然，黄明永，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31
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