电源电压降低检测电路制造技术

技术编号:2628022 阅读:271 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术提供一种其电路规模小的电源电压降低检测电路,其中,NMOS晶体管(12)基于电源电压而输出基于从电源电压减去了阈值电压的绝对值及过驱动电压后的电压的源极电压。NMOS晶体管(17)基于该源极电压而导通、截止。PMOS晶体管(15)基于接地电压而输出基于接地电压加上阈值电压的绝对值及过驱动电压后的电压的源极电压。PMOS晶体管(19)基于该源极电压而导通、截止。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及检测电源电压降低的电源电压降低检测电路
技术介绍
一般,半导体装置中装有检测电源电压降低的电源电压降低检测 电路。在该电源电压降低检测电路检测到电源电压小于最低工作电压 时,半导体装置就通过关闭误动作的电路或电源电压降低检测电路以 外的其余电路来消除误动作。下面就半导体装置的最低工作电压进行说明。图5是表示一例半导体装置的单元电路的电路图。图5的电路为 由NMOS晶体管31 ~ 34构成的NMOS级联型电流镜像电路。该电路 的最低工作电压,为NMOS晶体管31的阈值电压的绝对值与过驱动 电压之和与NMOS晶体管32的阈值电压的绝对值及过驱动电压之和 这两者相加的总电压。图6是表示另一例半导体装置的单元电路的电路图。图6所示的 电路为由NMOS晶体管41 ~ 44构成的PMOS级联型电流镜像电路。 该电路的最低工作电压,为PMOS晶体管41的阈值电压的绝对值以 及过驱动电压之和与PMOS晶体管42的阈值电压的绝对值以及过驱 动电压之和这两者相加的总电压。图7是表示又一例半导体装置的单元电路的电路图,图7所示的 电路为由PMOS晶体管51、 PMOS晶体管55 ~ 5本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种检测电源电压降低的电源电压降低检测电路,其特征在于包括: 第一导电型的第一晶体管,该晶体管基于所述电源电压而输出基于从所述电源电压减去了阈值电压的绝对值及过驱动电压后的电压的源极电压; 所述第一导电型的第二晶体管,该晶体管基于所述第一晶体管的源极电压而导通、截止; 第二导电型的第三晶体管,该晶体管基于接地电压而输出基于所述接地电压加上了阈值电压的绝对值及过驱动电压后的电压的源极电压; 所述第二导电型的第四晶体管,该晶体管基于所述第三晶体管的源极电压而导通、截止; 第一恒流电路,该电路提供电流给所述第一晶体管; 第二恒流电路,该电路提供电流给所述第二晶体管及所述第三晶体管;以及 第三恒流电路...

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员:宇都宫文靖
申请(专利权)人:精工电子有限公司
类型:发明
国别省市:JP[日本]

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