一种饱和用管式PECVD石墨舟卡点半保护结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种饱和用管式PECVD石墨舟卡点半保护结构。包括石墨舟片若干、用于固定硅片的多个卡点、相邻石墨舟片对应位置处的卡点之间套半镂空陶瓷环。该饱和用管式PECVD石墨舟，能够有效保护卡槽不被沉积氮化硅，而卡点上表面饱和氮化硅，从而改善电池片镀膜均匀性和降低色差返工比例。

【技术实现步骤摘要】
一种饱和用管式PECVD石墨舟卡点半保护结构
本技术涉及一种饱和用管式PECVD石墨舟卡点半保护结构，属于太阳能光伏

技术介绍
随着抗PID技术的发展，臭氧技术、CO2/笑气技术以及PECVD无预清洗工艺都可以作为抗PID方式，因而提高氮化硅折射率不再是唯一的抗PID方式；然而，随着新型抗PID方式的发展，可以通过降低硅片折射率来增加短流和效率，但由于Si/N的比例降低又导致导电性变弱，氮化硅均匀性变差。另一方面，随着目前产业化对产能要求在不断提高，镀膜速度与日俱增，这也会导致氮化硅均匀性差，色差返工增加，A级品率下降。而石墨舟的导电性和饱和度对膜色均匀性有较大影响，研究石墨舟导电性和饱和度就显得尤为迫切。石墨舟卡点是用于固定硅片的，现有技术中有两种对卡点保护处理方式，一、石墨舟饱和过程中卡点不进行保护。在饱和工艺完成后，卡点的外表面会沉积氮化硅，导致石墨舟和硅片导电性变差，从而影响氮化硅的均匀性，造成色差片。二、石墨舟饱和过程中对卡点进行完全保护，饱和工艺完成后，卡点侧边和上表面没有沉积氮化硅，从而导致饱和度不足，导致硅片靠近卡点附近产生色差，造成色差返工片。以上两种方式本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种饱和用管式PECVD石墨舟卡点半保护结构，包括：石墨舟片、卡点、大圆柱、中圆柱、小圆柱、凹型卡槽、陶瓷环，其特征在于：若干个石墨舟片，每一个石墨舟片上均固定的设置有若干个卡点；所述的每一个卡点的一端均置于其所在的石墨舟片的一侧，上述的每一个卡点的另一端穿过其所在的石墨舟片，并置于上述的石墨舟片的另一侧；每两个相邻的石墨舟片上对应位置的两个卡点之间均通过一个陶瓷环相套接；所述的每一个卡点均由：一个大圆柱，两个直径相等的中圆柱，两个直径相等的小圆柱构成，上述的大圆柱的一端置于一个石墨舟片的一侧，上述的大圆柱的另一端穿过上述的石墨舟片，并置于上述的石墨舟片的另一侧；上述的大圆柱的左右两个圆形端面...

【技术特征摘要】
1.一种饱和用管式PECVD石墨舟卡点半保护结构，包括：石墨舟片、卡点、大圆柱、中圆柱、小圆柱、凹型卡槽、陶瓷环，其特征在于：若干个石墨舟片，每一个石墨舟片上均固定的设置有若干个卡点；所述的每一个卡点的一端均置于其所在的石墨舟片的一侧，上述的每一个卡点的另一端穿过其所在的石墨舟片，并置于上述的石墨舟片的另一侧；每两个相邻的石墨舟片上对应位置的两个卡点之间均通过一个陶瓷环相套接；所述的每一个卡点均由：一个大圆柱，两个直径相等的中圆柱，两个直径相等的小圆柱构成，上述的大圆柱的一端置于一个石墨舟片的一侧，上述的大圆柱的另一端穿过上述的石墨舟片，并置于上述的石墨舟...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈园，史伟伟，杨晓琴，付少剑，曹雪，刘庆平，陆祥，
申请(专利权)人：江西展宇新能源股份有限公司，
类型：新型
国别省市：江西,36