半导体封装的制造方法技术

技术编号:17657854 阅读:71 留言:0更新日期:2018-04-08 10:12
提供半导体封装的制造方法,实现由密封树脂层进行了密封的半导体芯片的上表面和侧面上的屏蔽层的膜厚的均匀化。具有:接合工序(S1),将多个半导体芯片胶接在布线基板上的由交叉的间隔道划分的多个区域中;密封基板制作工序(S2),向胶接有该多个半导体芯片的该布线基板的正面侧提供密封剂而统一进行密封,制作密封基板;单片化工序(S3),沿着该密封基板上的与间隔道对应的区域进行切削而进行单片化,以使密封芯片具有上表面和比该上表面大的下表面并且具有从该上表面朝向该下表面倾斜的侧面;以及屏蔽层形成工序(S4),在该多个密封芯片的该上表面和该侧面上形成导电性屏蔽层。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装的制造方法
本专利技术涉及具有屏蔽功能的半导体封装的制造方法。
技术介绍
通常对于移动电话等便携式通信设备中所用的半导体装置而言,为了防止对通信特性的不良影响,要求抑制无用电磁波向外部泄漏。因此,需要使半导体封装具有屏蔽功能。作为具有屏蔽功能的半导体封装,公知有具有沿着对搭载在内插器基板上的半导体芯片进行密封的密封树脂层的外表面设置有屏蔽层的结构的半导体封装(例如,参照专利文献1)。设置在密封树脂层的外表面的屏蔽有时也由金属板屏蔽形成,但由于板厚变厚,会成为阻碍设备的小型化或薄型化的主要原因。因此,为了降低屏蔽层的厚度,开发了利用丝网印刷法、喷涂法、喷墨法、溅射法等形成屏蔽层的技术。专利文献1:日本特开2012-039104号公报但是,由密封树脂层密封的半导体芯片的侧面(侧壁)是大致垂直的,因此难以在上表面和侧面按照使上表面的膜厚和侧面的膜厚尽可能均等的方式形成对电磁波进行屏蔽的屏蔽层。另外,与半导体芯片的上表面相比,在侧面(侧壁)上更难形成屏蔽层,因此存在下述问题,为了在侧面上形成能够发挥充分的屏蔽效果的膜厚,成膜需要长时间。
技术实现思路
本专利技术是鉴于上述情况而完成的,本文档来自技高网...
半导体封装的制造方法

【技术保护点】
一种半导体封装的制造方法,制造由密封剂进行了密封的半导体封装,其中,该半导体封装的制造方法具有如下的工序:接合工序,将多个半导体芯片胶接在布线基板上的由交叉的多条分割预定线划分的多个区域中;密封基板制作工序,向胶接有该多个半导体芯片的该布线基板的正面侧提供密封剂而统一进行密封,制作密封基板;单片化工序,沿着与该布线基板上的该分割预定线对应的区域对该密封基板进行切削而进行单片化,以使该密封的半导体芯片具有上表面和比该上表面大的下表面,并且具有从该上表面朝向该下表面倾斜的侧壁;以及屏蔽层形成工序,在该多个密封的半导体芯片的该上表面和该侧壁上形成导电性屏蔽层。

【技术特征摘要】
2016.09.30 JP 2016-1942501.一种半导体封装的制造方法,制造由密封剂进行了密封的半导体封装,其中,该半导体封装的制造方法具有如下的工序:接合工序,将多个半导体芯片胶接在布线基板上的由交叉的多条分割预定线划分的多个区域中;密封基板制作工序,向胶接有该多个半导体芯片的该布线基板的正面侧提供密封剂而统一进行密封,制作密封基板;单片化工序,沿着与该布线基板上的该分割预定线对应的区域对该密封基板进行切削而进行单片化,以使该密封的半导体芯片具有上表面和比该上表面大的下表面,并且具有从该上表面朝向该下表面倾斜的侧壁;以及屏蔽层形成工序,在该多个密封的半导体芯片的该上表面和该侧壁上形成导电性屏蔽层。2.一种半导体封装的制造方法,制造由密封剂进行了密封的半导体封装,其中,该半导体封装的制造方法具有如下的工序:芯片配设工序,在支承基板上的由交叉的多条分割预定线划分的各器件配设区域中配设...

【专利技术属性】
技术研发人员:金永奭
申请(专利权)人:株式会社迪思科
类型:发明
国别省市:日本,JP

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