The invention provides a photoresist developer composition and a photoresist pattern formation method. The photoresist developer composition comprises the following chemical I compounds, non-ionic surfactants, alkaline compounds and water. The photoinduced developer composition of the present invention has excellent time stability and developing force, and has excellent defoaming function. The chemical formula of I, R1 and R2 independently for OM, the number of carbon atoms of 1~18 alkyl or alkoxy, phenol, the number of carbon atoms of 5~8 cyclic alkyl or O [CH2 CH2 O]n R3, R1 and R2 in at least one for OM, R3 for hydrogen the number of carbon atoms, 1~18 alkyl or alkoxy, by the number of carbon atoms of 1~18 alkyl substituted phenyl or carbon atoms of 5~8 cyclic alkyl, M is hydrogen, ammonium, alkali metal or alkaline earth metal, n is an integer of 1~20. Chemical I
【技术实现步骤摘要】
光致抗蚀剂显影液组合物及光致抗蚀剂图案形成方法
本专利技术涉及一种光致抗蚀剂显影液组合物，更详细而言，涉及显影力和经时稳定性优异的光致抗蚀剂显影液组合物及利用上述显影液组合物形成光致抗蚀剂图案的方法。
技术介绍
一般而言，形成集成电路、印刷电路基板以及液晶显示器等的微细图案的方法如下。首先，在基板上所形成的绝缘膜或导电性金属膜的上部以一定的厚度涂布包含粘合剂树脂和光聚合性单体、光聚合引发剂、有机溶剂等的光致抗蚀剂组合物，然后进行烘烤(bake)而形成光致抗蚀剂膜。接着，在所形成的光致抗蚀剂膜的上部放置具有预定图案的掩模后，照射UV、E-线束、X-射线等电子线束，在照射了光的曝光部分和未照射光的非曝光部分之间产生对于显影液的溶解度差异，然后使用显影液将曝光或非曝光部分显影，从而能够形成目标形状的光致抗蚀剂图案，且根据所形成的光致抗蚀剂图案将曝光的绝缘膜或导电性金属膜蚀刻而获得期望的图案。其中，利用显影液的光致抗蚀剂显影工序作为用于精密地形成期望的图案的重要的步骤，根据所使用的显影液的种类、碱度、所包含的表面活性剂的种类及含量等，光致抗蚀剂的图案、线宽、溶解性能等也会...
【技术保护点】
一种光致抗蚀剂显影液组合物，其包含下述化学式I的化合物、非离子性表面活性剂、碱性化合物和水，化学式I
【技术特征摘要】
2016.09.27 KR 10-2016-01242841.一种光致抗蚀剂显影液组合物，其包含下述化学式I的化合物、非离子性表面活性剂、碱性化合物和水，化学式I所述化学式I中，R1和R2各自独立地为-OM、碳原子数1～18的烷基或烷氧基、酚基、碳原子数5～8的环状烷基或-O-[CH2-CH2-O]n-R3，R1和R2中至少一个为-OM，R3为氢、碳原子数1～18的烷基或烷氧基、被碳原子数1～18的烷基取代的苯基或碳原子数5～8的环状烷基，M为氢、铵、碱金属或碱土金属，n为1～20的整数。2.根据权利要求1所述的光致抗蚀剂显影液组合物，其包含1～20重量％的化学式I的化合物、1～20重量％的非离子性表面活性剂、1～20重量％的碱性化合物和余量的水。3.根据权利要求1所述的光致抗蚀剂显影液组合物，所述非离子性表面活性剂包含下述化学式II的化合物，化学式II所述化学式II中，A为亚乙基，B为亚丙基，m为1～3的整数，p和q各自独立地为0～30的整数，p+q为1～30的整数。4.根据权利要求3所...
【专利技术属性】
技术研发人员：李喻珍，鲁京奎，
申请(专利权)人：东友精细化工有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR
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