有机酸酯类液体的制造方法，及电子零件制作用阻剂溶剂或电子零件制作用清洗液的制造方法技术

课题为提供一种制作电子零件的方法，该方法精密地、减少不良品且产率良好地制作电子零件，尤其提供一种可在使用液体的制作电子零件的各步骤中，提供更优异的阻剂液及清洗液的方法。该课题的解决方法涉及一种有机酸酯类液体的制造方法，该制造方法是将属于电子零件制作用阻剂溶剂的有机酸酯类液体或属于电子零件制作用清洗液的有机酸酯类液体中含有的有机过氧化物去除的方法，且该制造方法通过使该有机酸酯类液体与铂族金属催化剂接触，而去除该有机酸酯类液体中的有机过氧化物；并且涉及一种电子零件制作用阻剂溶剂或电子零件制作用清洗液，其是使用该制造方法去除有机酸酯类液体中含有的有机过氧化物而成，且过氧化物值(POV)为2mmoL/kg以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】有机酸酯类液体的制造方法，及电子零件制作用阻剂溶剂或电子零件制作用清洗液的制造方法
本专利技术涉及去除有机酸酯类液体中的有机过氧化物的方法，更详言之，涉及一种有机酸酯类液体的制造方法，其通过进行特定的处理而将电子零件制作用阻剂溶剂的有机液体或电子零件制作用清洗剂的有机酸酯类液体中含有的有机过氧化物去除。
技术介绍
在制作摄像管、显示器、集成电路、印刷电路板、半导体晶片、定向膜等电子零件的过程中，必需微细加工，此时，进行通过各种阻剂的影像成形(图案化(patterning))。在通过阻剂的影像成形中，是在各种基板涂布阻剂液，并进行通过光及X射线等电磁波、电子束等粒子线等能量线的图案化照射，接着以显像液显像后，进行用清洗液清洗等处理之后，将残留在基板上的阻剂去除。上述阻剂液中的溶剂，通常是有机酸酯类液体(例如，专利文献1)，显像液通常是碱性水溶液。此外，上述清洗液，是有机酸酯类液体，或者已溶解各种水溶性化合物或有机液体的水溶液(例如，专利文献2、3)。此外，上述阻剂的去除，有灰化(ashing)等不使用液体的方法、使用已溶解碱性物质等的水溶液的方法、使用有机酸酯类液体的方法等，其中在使用液体时，在其后，有时使用由有机酸酯类液体、水溶液等形成的清洗液清洗(例如，专利文献4)。电子零件的制作过程中使用的水，已知主要作为清洗液使用的水中含有的过氧化氢等无机过氧化物，会对电子零件造成不良影响，例如专利文献5、6中，记载有所谓去除半导体制作上使用的水中的过氧化氢的技术概念与其去除方法。不过，如同前述，在制作电子零件的过程中，虽然配合其阶段而使用各种有机酸酯类液体，但以往几乎不知为了其目的而自该有机酸酯类液体中去除有机过氧化物，也几乎无将已特意去除有机过氧化物的有机酸酯类液体使用于电子零件的制作中的构想(概念)。另一方面，不仅是电子零件制作用，已知有从作为烯烃类化合物制品的有机液体或反应中使用的有机溶剂中，去除有机过氧化物的方法(例如，专利文献7至10)。专利文献7中记载自不宜使有机过氧化物混入的反应中使用的烯烃类烃中，去除有机过氧化物作成最终产品的方法。此外，专利文献8至10中记载将有机过氧化物作为氧化反应、聚合引发剂等使用之后，自残留未反应的有机过氧化物的有机溶剂中，去除该有机过氧化物的方法。不过，上述的自有机液体中去除有机过氧化物的程度，为了不妨碍通常的化学反应、或为了在用以将聚合后或反应后使用的溶剂再使用的蒸馏时不使有机过氧化物的浓缩物残渣爆发等，任一种有机过氧化物的去除程度均极不良(即使不良也足够)，而并未达到电子零件制作用所要求的程度。另一方面，已知有各种自水或有机液体中去除过氧化物的手段，关于自水中去除过氧化氢，专利文献5中记载使用钯催化剂去除水中的过氧化氢的方法，专利文献6中记载使用已在单块连续(monolith)状的阴离子交换体承载铂族金属的承载催化剂去除水中的过氧化氢的方法。此外，关于自有机液体中去除有机过氧化物，专利文献7中记载使用铂承载催化剂去除烯烃类烃中的有机过氧化物的方法，专利文献8、9中记载使用已承载酸或胺化合物的离子交换树脂去除有机过氧化物的方法，专利文献10中记载使用已承载在二氧化硅、活性碳等固体的铂或钯催化剂去除有机过氧化物的方法。不过，上述专利文献5至10所述的技术是去除水中的过氧化氢，或者与自有机液体中去除有机过氧化物有关，就电子零件制作用而言为未达到充分去除的程度，就去除电子零件制作中使用的有机酸酯类液体中的有机过氧化物的技术而言并不足够，并非可适用(应用)于该技术。近年来，对电子零件虽然有越来越多精密度的要求，但前述已知技术并不充分，尚有更进一步改善的空间。另一方面，有机酸酯类液体，通过与大气中的氧气反应而生成有机过氧化物。尤其在夏季等气温高时，过氧化物值明显增加。如欲减低已增加的过氧化物值时，通常是通过再蒸馏的精制方法，但会导致产品收率的降低或制造成本的上升。此外，依同样的理由预料在运送中也会增加过氧化物值。尤其是因出口而必须长距离的运送时，会明显增加。因此，希望有减少出货前的过氧化物值的方法、抑制运送中的过氧化物值增加的方法、减少已增加的过氧化物值的方法。[现有技术文献][专利文献][专利文献1]日本特开2014–032407号公报[专利文献2]日本特开2014–071287号公报[专利文献3]日本特开2014–202807号公报[专利文献4]日本特开平09–213612号公报[专利文献5]日本特开昭62–035838号公报[专利文献6]日本特开2010–240641号公报[专利文献7]日本特开平01–013039号公报[专利文献8]日本特开平06–248249号公报[专利文献9]日本特开平06–248250号公报[专利文献10]日本特开平10–158198号公报
技术实现思路
[专利技术欲解决的课题]本专利技术是有鉴于上述先前技术而达成的专利技术，其课题是提供一种更优异的阻剂(液)及清洗液，其即使在需要比目前更微细的加工时，也可使用于使用液体的电子零件制作中的各别步骤中。[解决课题的手段]本专利技术人为了解决上述课题而深入探讨的结果发现，通过自制作电子零件的过程中使用的阻剂溶剂的有机酸酯类液体中，或自制作电子零件的过程中使用的清洗液的有机酸酯类液体中，更严密地去除其中含有的极微量的有机过氧化物，可得到作为电子零件用的优异材料，可解决上述课题而完成本专利技术。即，本专利技术提供制造有机酸酯类液体的方法，其是将属于电子零件制作用阻剂溶剂的有机酸酯类液体或属于电子零件制作用清洗液的有机酸酯类液体中含有的有机过氧化物去除的方法，该方法通过使该有机酸酯类液体与铂族金属催化剂接触，而去除该有机酸酯类液体中的有机过氧化物。此外，本专利技术提供制造上述有机酸酯类液体的方法，其是使含有有机过氧化物的有机酸酯类液体与承载有铂族金属催化剂的载体接触，该承载有铂族金属催化剂的载体是在具有单块连续(monolith)结构的有机多孔质阴离子交换体承载铂族金属催化剂而形成的。此外，本专利技术提供经去除有机过氧化物的有机酸酯类液体，其是自属于电子零件制作用阻剂溶剂的有机酸酯类液体或属于电子零件制作用清洗液的有机酸酯类液体中去除有机过氧化物，直至过氧化物值(POV)成为2mmoL/kg以下而制成的。此外，本专利技术提供经去除有机过氧化物的有机酸酯类液体，其是自过氧化物值(POV)为100mmoL/kg以下的有机酸酯类液体中去除，直至过氧化物值(POV)成为2mmoL/kg以下而制成的。此外，本专利技术提供制造电子零件制作用阻剂溶剂或电子零件制作用清洗液的方法，其包含：使用前述的制造有机酸酯类液体的方法，将属于电子零件制作用阻剂溶剂或电子零件制作用清洗液的有机酸酯类液体中含有的有机过氧化物去除的步骤。此外，本专利技术提供电子零件制作用阻剂溶剂或电子零件制作用清洗液，其含有前述经去除有机过氧化物的有机酸酯类液体，并作为电子零件制作用阻剂溶剂或电子零件制作用清洗液而使用，且过氧化物值(POV)为2mmoL/kg以下。此外，本专利技术提供经去除有机过氧化物的有机酸酯类液体，其是自过氧化物值(POV)的经时所致的增加量为100mmoL/(kg·月)以下的有机酸酯类液体中去除，直至过氧化物值(POV)成为2mmoL/(kg·月)以下而制成的。此外，本专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造有机酸酯类液体的方法，其是将属于电子零件制作用阻剂溶剂的有机酸酯类液体或属于电子零件制作用清洗液的有机酸酯类液体中含有的有机过氧化物去除的方法，该方法通过使该有机酸酯类液体与铂族金属催化剂接触，而去除该有机酸酯类液体中的有机过氧化物。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.07.10 JP 2015-1389771.一种制造有机酸酯类液体的方法，其是将属于电子零件制作用阻剂溶剂的有机酸酯类液体或属于电子零件制作用清洗液的有机酸酯类液体中含有的有机过氧化物去除的方法，该方法通过使该有机酸酯类液体与铂族金属催化剂接触，而去除该有机酸酯类液体中的有机过氧化物。2.根据权利要求1所述的制造有机酸酯类液体的方法，其是使含有有机过氧化物的有机酸酯类液体与承载有铂族金属催化剂的载体接触，该承载有铂族金属催化剂的载体是在具有单块连续结构的有机多孔质阴离子交换体承载铂族金属催化剂而形成的。3.根据权利要求1或2所述的制造有机酸酯类液体的方法，其中，所述铂族金属催化剂为钯催化剂。4.根据权利要求1至3任一项所述的制造有机酸酯类液体的方法，其中，所述铂族金属催化剂是在具有单块连续结构的有机多孔质阴离子交换体承载有平均粒径1至100nm的铂族金属的纳米粒子的铂族金属承载催化剂，该具有单块连续结构的有机多孔质阴离子交换体由连续骨架相和连续孔隙相构成，连续骨架的厚度为1至100μm，连续孔隙的平均直径为1至1,000μm，全细孔容积为0.5至50mL/g，干燥状态中的每单位重量的离子交换容量为0.5至6mg当量/g，离子交换基均匀地分布在该具有单块连续结构的有机多孔质阴离子交换体中。5.根据权利要求2至4任一项所述的制造有机酸酯类液体的方法，其中，所述具有单块连续结构的有机多孔质阴离子交换体具有连续气泡结构，该连续气泡结构具有相互连接的巨孔、及巨孔壁内的平均直径为1至1,000μm的共通开口(中孔)，全细孔容积为1至50mL/g，干燥状态中的每单位重量的离子交换容量为0.5至6mg当量/g，离子交换基均匀地分布在该具有单块连续结构的有机多孔质阴离子交换体中。6.根据权利要求2至4任一项所述的制造有机酸酯类液体的方法，其中，所述具有单块连续结构的有机多孔质阴离子交换体，是平均粒径1至50μm的有机聚合物粒子凝聚而形成三维连续的骨架部份，在该骨架间具有平均直径为20至100μm的三维连续的孔隙，全细孔容积为1至10mL/g，干燥状态中的每单位重量的离子交换容量为0.5至6mg当量/g，离子交换基均匀地分布在该具有单块连续结构的有机多孔质阴离子交换体中。7.根据权利要求2至4任一项所述的制造有机酸酯类液体的方法，其中，所述具有单块连续结构的有机多孔质阴离子交换体为包括骨架与孔隙的共连续结构体，该骨架为由已导入离子交换基的全构成单元中含有0.3至5.0摩尔％的交联结构单元的芳香族乙烯聚合物所构成的平均粗细度为1至60μm的三维连续的骨架，该孔隙为在该骨架间平均直径为10至200μm的三维连续的孔隙，全细孔容积为0.5至10mL/g，干燥状态中的每单位重量的离子交换容量为0.5至6mg当量/g，离子交换基均匀地分布在该具有单块连续结构的有机多孔质阴离子交换体中。8.根据权利要求2至4任一项所述的制造有机酸酯类液体的方法，其中，所述具有单块连续结构的有机多孔质阴离子交换体，是气泡状的巨孔彼此相互重叠且此重叠部份成为平均直径30至300μm的开口的连续巨孔结构体，全细孔容积为0.5至10mL/g，干燥状态中的每单位重量的离子交换容量为0.5至6mg当量/g，离子交换基均匀地分布在该具有单块连续结构的有机多孔质阴离子交换体中，且该连续巨孔结构体(干燥体)的切断面的SEM影像中，于截面显现的骨架部面积为影像区域中的25至50％。9.根据权利要求2至4任一项所述的制造有机酸酯类液体的方法，其中，所述具有单块连续结构的有机多孔质阴离子交换体由连续骨架相与连续孔隙相所构成，该骨架具有固定在表面的直径4至40μm的多数个粒子体或在该有机多孔质体的骨架表面上形成的大小为4至40μm的多数个突起体，连续孔隙的平均直径为10至150μm...

【专利技术属性】
技术研发人员：槻田正和，高田仁，
申请(专利权)人：株式会社武藏野化学研究所，奥加诺株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP