一种高精度真空规管制造技术

本发明专利技术涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种高精度真空规管。一种高精度真空规管，包括：外壳；薄膜片，所述薄膜片固定设置在外壳内部，并将外壳内部空间分为真空空间和被测空间；定电极，所述定电极固定设置在真空空间内，所述定电极与所述薄膜片相对的那一表面上设有主电极，所述定电极的另一表面上设有镀金层；第一电极柱，所述第一电极柱一端与外部电容测量电路相接，另一端与外壳相接；第二电极柱，所述第二电极柱一端与外部电容测量电路相连，另一端穿过外壳与所述镀金层相接，且与所述外壳绝缘；进气口，所述进气口设置在外壳上，并位于被测空间所在的一侧。本发明专利技术测量精确，热漂移系数小，能够适用于半导体工艺设备中真空测量。

A high precision vacuum gauge

【技术实现步骤摘要】
一种高精度真空规管
本专利技术涉及半导体制造
，具体涉及一种高精度真空规管。
技术介绍
在半导体制造领域许多工艺步骤需要在高真空度下进行。薄膜型全电容真空规管被广泛应用于半导体设备中测量真空度。薄膜型真空规管主要靠可动薄膜在两侧大气压差发生形变而产生电容的变化。由于测量精度受薄膜应力而变化，当温度发生变化时薄膜与外壳的膨胀系数不同会导致测量产生误差。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种高精度真空规管，所述真空规管测量精确，适用于半导体工艺设备中真空测量。为了达到上述目的，本专利技术采用的技术方案为：一种高精度真空规管，包括：外壳；薄膜片，所述薄膜片固定设置在所述外壳内部，并将所述外壳内部空间分为真空空间和被测空间；所述薄膜片的材质为与所述外壳采用相同的材料；定电极，所述定电极固定设置在所述真空空间内，所述定电极与所述薄膜片相对的那一表面上设有主电极，所述定电极的另一表面上设有镀金层；所述定电极上设有通孔，所述镀金层通过所述通孔与所述主电极电连接；第一电极柱，所述第一电极柱一端与外部电容测量电路相接，另一端与所述外壳相接；第二电极柱，所述第二电极柱一端与所述外部电容测量电路相本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高精度真空规管，其特征在于，包括：外壳；薄膜片，所述薄膜片固定设置在所述外壳内部，并将所述外壳内部空间分为真空空间和被测空间；所述薄膜片的材质为与所述外壳采用相同的材料；定电极，所述定电极固定设置在所述真空空间内，所述定电极与所述薄膜片相对的那一表面上设有主电极，所述定电极的另一表面上设有镀金层；所述定电极上设有通孔，所述镀金层通过所述通孔与所述主电极电连接；第一电极柱，所述第一电极柱一端与外部电容测量电路相接，另一端与所述外壳相接；第二电极柱，所述第二电极柱一端与所述外部电容测量电路相连，另一端穿过所述外壳与所述镀金层相接，且与所述外壳绝缘；进气口，所述进气口设置在所述外壳上，并位于所述...

【技术特征摘要】
1.一种高精度真空规管，其特征在于，包括：外壳；薄膜片，所述薄膜片固定设置在所述外壳内部，并将所述外壳内部空间分为真空空间和被测空间；所述薄膜片的材质为与所述外壳采用相同的材料；定电极，所述定电极固定设置在所述真空空间内，所述定电极与所述薄膜片相对的那一表面上设有主电极，所述定电极的另一表面上设有镀金层；所述定电极上设有通孔，所述镀金层通过所述通孔与所述主电极电连接；第一电极柱，所述第一电极柱一端与外部电容测量电路相接，另一端与所述外壳相接；第二电极柱，所述第二电极柱一端与所述外部电容测量电路相连，另一端穿过所述外壳与所述镀金层相接，且与所述外壳绝缘；进气口，所述进气口设置在所述外壳上，并位于所述被测空间所在的一侧。2.如权利要求1所述的真空规管，其特征在于：所述主电极周围设有一圈保护环，所述保护环位于所述定电极表面；所述镀金层通过所述通孔分别与所述主电极和所述保护环...

【专利技术属性】
技术研发人员：康恒，景玉鹏，黄洛俊，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：北京,11