等离子体处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种对被加工物的离子能量的控制性优异的等离子体处理装置。一实施方式的等离子体处理装置包括：腔室主体；等离子体捕获机构；载置台；等离子体源；和电势调节部。腔室主体提供其内部空间作为腔室。等离子体捕获机构设置成将腔室分为第一空间和第二空间。载置台设置在第二空间。等离子体源构成为使供给到第一空间的气体激发。电势调节部具有电极。该电极设置在腔室主体的外侧，与在第一空间生成的等离子体电容耦合。电势调节部构成为调节在第一空间生成的等离子体的电势。

Plasma treatment device

The present invention provides a kind of plasma treatment device with excellent controllability of the ion energy of the processed material. A plasma treatment device for the implementation includes the chamber body, the plasma capture mechanism, the loading table, the plasma source, and the electric potential adjustment unit. The body of the chamber provides its inner space as a chamber. The plasma capture mechanism is set up to divide the chamber into the first space and the second space. The mounting table is set in the second space. The plasma source is made up of the gas that is supplied to the first space. The electric potential regulator has an electrode. The electrode is arranged on the outside of the chamber body and coupled to the plasma capacitance generated in the first space. The electric potential regulation unit is formed to regulate the electric potential of the plasma generated in the first space.

【技术实现步骤摘要】
等离子体处理装置
本专利技术的实施方式涉及等离子体处理装置。
技术介绍
在半导体器件之类的电子器件的制造中使用等离子体处理装置。等离子体处理装置一般包括腔室主体、载置台和等离子体源。腔室主体将其内部空间提供为腔室。载置台构成为保持载置在其上的被加工物。等离子体源将用于使供给到腔室的气体激发的能量供给到腔室内。在等离子体处理装置中，利用在腔室内生成的等离子体产生的离子和/或自由基之类的活性种处理被加工物。在等离子体处理中，为了抑制离子所导致的被加工物的损伤或者为了将被加工物形成为期望的形状，有时抑制对离子的被加工物的照射。为了这种等离子体处理，一般在腔室内设置等离子体捕获机构。例如专利文献1和专利文献2记载了具有等离子体捕获机构的等离子体处理装置。现有技术文献专利文献专利文献1：国际公开第2006/129643号专利文献2：日本特开2014-209622号公报
技术实现思路
专利技术想要解决的技术问题在具有等离子体捕获机构的等离子体处理装置中，实质上由能够通过等离子体捕获机构的自由基处理被加工物。但是，需要在一个等离子体处理装置中不仅要实现仅由自由基处理被加工物，而且还要实现由具有各种能量本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：腔室主体；设置在由所述腔室主体提供的腔室内，将该腔室分为第一空间和第二空间的等离子体捕获机构；设置在所述第二空间的载置台；使供给到所述第一空间的气体激发的等离子体源；和电势调节部，其具有与在所述第一空间生成的等离子体电容耦合的电极，对该等离子体的电势进行调节。

【技术特征摘要】
2016.08.31 JP 2016-1695031.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：腔室主体；设置在由所述腔室主体提供的腔室内，将该腔室分为第一空间和第二空间的等离子体捕获机构；设置在所述第二空间的载置台；使供给到所述第一空间的气体激发的等离子体源；和电势调节部，其具有与在所述第一空间生成的等离子体电容耦合的电极，对该等离子体的电势进行调节。2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述等离子体处理装置为电感耦合型的等离子体处理装置，所述等离子体源具有与高频电源连接的天线，所述等离子体处理装置还包括设置在所述天线和所述第一空间之间的电介质窗，所述电极为设置在所述天线与所述电介质窗之间的法拉第屏障，所述电势调节部还包括连接在所述电极与大地之间的包括可变电抗元件的阻抗调节电路。3.如权利要求2所述的等离子体处理装置，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：舆水地盐，松土龙夫，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP