天线、包括天线的微波等离子体源、和等离子体处理装置制造方法及图纸

发明专利技术构思的实施方式提供一种天线、包括天线的微波等离子体源、包括天线的等离子体处理装置以及半导体器件的制造方法。天线包括具有多个输出狭缝的下环以及设置在下环上的上环。上环具有从上环外部传送微波功率到下环上的输入狭缝。上环配置为关于下环旋转。

Microwave plasma sources, including antennas, and antennas, and plasma processing devices

The embodiment of the invention provides an antenna, a microwave plasma source including an antenna, a plasma processing device including an antenna, and a manufacturing method for semiconductor devices. The antenna consists of a lower ring with a plurality of output slit and an upper ring set on the lower ring. The upper ring has an input slit that transfers microwave power from the outer ring to the lower ring. The upper ring is configured for the lower loop rotation.

【技术实现步骤摘要】
天线、包括天线的微波等离子体源、和等离子体处理装置
本公开涉及用于制造半导体器件的装置，例如涉及传送微波功率的天线、包括天线的微波等离子体源、等离子体处理装置、处理基板的方法以及半导体器件的制造方法。
技术介绍
通常，半导体器件可以通过多个单元工艺而制造。单元工艺可以包括沉积工艺、扩散工艺、热工艺、光刻工艺、抛光工艺、蚀刻工艺、离子注入工艺以及清洁工艺。这些单元工艺当中的蚀刻工艺可以包括干蚀刻工艺和湿蚀刻工艺。沉积工艺和干蚀刻工艺可以使用等离子体反应执行。
技术实现思路
专利技术构思的实施方式可以提供能够调谐天线中的微波功率的谐振频率的微波等离子体源。专利技术构思的实施方式可以提供能够增加或者最大化微波功率的能量传递效率的微波等离子体源。根据一实施方式，天线包括具有多个输出狭缝的下环以及设置在下环上的上环。上环具有输入狭缝以及空腔形成在下环和上环之间，其中输入狭缝配置为从上环的外部传送微波功率到下环上。多个输出狭缝配置为从空腔传送微波功率到下环的外部。根据一实施方式，微波等离子体源包括天线、配置为提供微波功率到天线的微波发生器以及将微波发生器连接到天线的波导。天线包括具有多个第一狭缝的下本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种天线，包括：具有多个输出狭缝的下环；设置在所述下环上的上环，所述上环具有输入狭缝；以及形成在所述下环和所述上环之间的空腔，其中所述输入狭缝配置为从所述上环的外部传送微波功率到所述下环上，其中所述多个输出狭缝配置为从所述空腔传送微波功率到所述下环的外部。

【技术特征摘要】
2016.05.16 KR 10-2016-00597031.一种天线，包括：具有多个输出狭缝的下环；设置在所述下环上的上环，所述上环具有输入狭缝；以及形成在所述下环和所述上环之间的空腔，其中所述输入狭缝配置为从所述上环的外部传送微波功率到所述下环上，其中所述多个输出狭缝配置为从所述空腔传送微波功率到所述下环的外部。2.如权利要求1所述的天线，其中所述输出狭缝彼此间隔开并且在所述下环中布置在方位角方向上，其中所述下环配置为沿着所述上环旋转，并且其中所述输出狭缝配置为关于所述上环在所述方位角方向上移动，其中所述方位角方向在平行于所述下环的表面的基准面上，并且所述方位角方向具有位于所述下环的中心处的起点。3.如权利要求1所述的天线，其中所述输出狭缝沿着所述下环的方位角方向以在22度和31度之间的第一方位角的间隔布置，并且其中所述输入狭缝设置在与彼此相邻的所述输出狭缝之一形成在5度和8度之间的第二方位角并且与所述相邻的输出狭缝中的另一个形成在17度和23度之间的第三方位角的位置，其中所述方位角方向在平行于所述下环的表面的基准面上，并且所述方位角方向具有位于所述下环的中心处的起点。4.如权利要求1所述的天线，其中所述上环包括：设置在所述下环上的盖环；以及设置在所述盖环的侧壁的一部分处的狭缝板，所述狭缝板具有所述输入狭缝。5.如权利要求4所述的天线，其中所述盖环具有接收所述狭缝板的一部分的孔。6.如权利要求1所述的天线，其中所述输入狭缝和所述空腔之间的第一边界面在不同于所述空腔和所述输出狭缝之间的第二边界面延伸的方向的方向上延伸。7.如权利要求1所述的天线，其中每个所述输出狭缝具有与所述输入狭缝相同的尺寸。8.如权利要求1所述的天线，其中所述下环的宽度等于所述上环的宽度。9.如权利要求1所述的天线，其中所述输入狭缝设置在所述上环的外侧壁处。10.如权利要求1所述的天线，其中所述天线包括环形天线。11.一种微波等离子体源，包括：天线；微波发生器，配置为提供微波功率到所述天线；以及波导，将所述微波发生器连接到所述天线，其中所述天线包括：具有多个第一狭缝的下环；以及设置在所述下环上的上环，所述上环具有配置为从所述波导传送所述微波功率到所述下环上的第二狭缝。12.如权利要求11所述的微波等离子体源，其中所述下环和所述上环限定空腔，并且其中所述下环配置为沿着所述上环旋转以调谐所述空腔中的所述微波功率的谐振频率。13.如权利要求11所述的微波等离子体源，其中所述第二狭缝的宽度小于所述波导的内径或者宽度。14.如权利要求11所述的微波等离子体源，其中所述上环包括：盖环，设置在所述下环上并且连接到所述波导；以及狭缝板，设置在所述盖环和所述波导之间，所述狭缝板具有所述第二狭缝。15.如权利要求14所述的微波等离子体源，其中所述盖环具有接收所述狭缝板的一部分的...

【专利技术属性】
技术研发人员：李永光，朴龙均，李东洙，李尚宪，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR