结晶性氧化物半导体膜、半导体装置及半导体系统制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种电特性优异的结晶性氧化物半导体膜。本发明专利技术提供一种结晶性氧化物半导体装置，以及结晶性氧化物半导膜的结晶性氧化物半导体系统。作为本发明专利技术的目的之一，提出一种结晶性氧化物半导体膜。结晶性氧化物半导体膜含有：结晶性氧化物半导体，具有刚玉结构，含有结晶性氧化物作为主成分；以及掺杂剂，结晶性氧化物半导体的电子迁移率为30cm

【技术实现步骤摘要】
结晶性氧化物半导体膜、半导体装置及半导体系统
本专利技术涉及对于半导体装置有用的结晶性氧化物半导体膜。本专利技术涉及具有结晶性氧化物半导体膜的结晶性氧化物半导体装置。本专利技术涉及具有结晶性氧化物半导体装置的结晶性氧化物半导体系统。
技术介绍
作为可实现下一代切换元件，使用了带隙大的氧化镓(Ga2O3)的半导体装置受到关注，期待着对于逆变器等功率用半导体装置的应用。专利文献1中，记载了在c面蓝宝石基板上形成掺杂有Sn的α-Ga2O3薄膜。虽然专利文献1中记载的薄膜是X射线衍射法的摇摆曲线半宽度约为60arcsec而为结晶性高的α-Ga2O3薄膜，但是无法维持充分的耐压性，另外，迁移率也为1cm2/Vs以下，半导体特性也未得到满足，仍难以应用于半导体装置。另外，专利文献2中，记载了在c面蓝宝石基板上掺杂有Ge的α-Ga2O3膜，可得到与专利文献1中记载的薄膜相比电特性优异的α-Ga2O3薄膜，但是迁移率为3.26cm2/Vs，应用于半导体装置还未得到满足。非专利文献1中，氧化镓通过分别混合铟或铝或者将它们组合形成混晶，从而能够进行带隙控制，作为InAlGaO系半导体构成极富魅力的材料系本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种结晶性氧化物半导体膜，其中，含有：结晶性氧化物半导体，具有刚玉结构，含有结晶性氧化物作为主成分；以及掺杂剂，所述结晶性氧化物半导体的电子迁移率为30cm

【技术特征摘要】
2016.08.31 JP 2016-170409;2016.11.07 JP 2016-217661.一种结晶性氧化物半导体膜，其中，含有：结晶性氧化物半导体，具有刚玉结构，含有结晶性氧化物作为主成分；以及掺杂剂，所述结晶性氧化物半导体的电子迁移率为30cm2/Vs以上。2.根据权利要求1所述的结晶性氧化物半导体膜，其中，载流子密度为1.0×1018/cm3以上。3.根据权利要求1所述的结晶性氧化物半导体膜，其中，电阻率为50mΩcm以下。4.根据权利要求1所述的结晶性氧化物半导体膜，其中，电阻率为5mΩcm以下。5.根据权利要求1所述的结晶性氧化物半导体膜，其中，所述刚玉结构包括主面，所述主面是a面或m面。6.根据权利要求1所述的结晶性氧化物半导体膜，其中，所述掺杂剂包含从锡、锗和硅中选择的至少一个。7.根据权利要求1所述的结晶性氧化物半导体膜，其中，所述掺杂剂为锡。8.根据权利要求1所述的结晶性氧化物半导体膜，其中，所述结晶性氧化物半导体包含从镓、铟和铝中选择的至少一个。9.根据权利要求1所述的结晶性氧化物半导体膜，其中，所述结晶性氧化物半导体含有镓。10.一种结晶性氧化物半导体装置，其中，包括：权利要求1所述的结晶性氧化物半导体膜；以及...

【专利技术属性】
技术研发人员：德田梨绘，织田真也，人罗俊实，
申请(专利权)人：流慧株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP