According to aspects of the subject matter of the present invention, methods for manufacturing crystalline films include: gasifying metal-containing metal sources to convert metal sources into metal-containing feed gases; supplying metal-containing feed gases and oxygen-containing feed gases to a reaction chamber to a substrate including a buffer layer; and supplying reaction gases to a reaction chamber to a substrate to be based on the gas flow of the reaction gas. A crystalline film is formed on the plate.
【技术实现步骤摘要】
用于制造结晶膜的方法相关申请的交叉引用本申请要求2017年8月21日提交的日本专利申请第2017-158307号的优先权权益，其公开内容通过引用以其整体并入本文。
本公开涉及用于制造结晶膜的方法。
技术介绍
作为背景，已知氧化镓(Ga2O3)具有五种不同的多晶型物，包括α相、β相、γ相、δ相和ε相(参见NPL1：RustumRoy等，“PolymorphismofGa2O3andtheSystemGa2O3-H2O”)。在这五种多晶型物中，β-Ga2O3被认为是热力学上最稳定的，并且α-Ga2O3被认为是亚稳定的。氧化镓(Ga2O3)表现出宽带隙并且作为半导体装置的潜在半导体材料吸引较多的关注。根据NPL2，建议氧化镓(Ga2O3)的带隙能够通过与铟和/或铝形成混合晶体来控制(参见NPL2：KentaroKANEKO，“Fabricationandphysicalpropertiesofcorundum-structuredalloysbasedongalliumoxide”，论文，京都大学，2013年3月，概述和内容于2014年1月31日对公众开放)。其中，由I...
【技术保护点】
1.一种用于制造结晶膜的方法，包括：气化包括金属的金属源以将所述金属源转化为含金属的原料气体；将所述含金属的原料气体和含氧的原料气体供应到反应室中到包括缓冲层的基板上；以及将反应气体供应到所述反应室中到所述基板上，以在所述反应气体的气流下在所述基板上形成结晶膜。
【技术特征摘要】
2017.08.21 JP 2017-1583071.一种用于制造结晶膜的方法，包括：气化包括金属的金属源以将所述金属源转化为含金属的原料气体；将所述含金属的原料气体和含氧的原料气体供应到反应室中到包括缓冲层的基板上；以及将反应气体供应到所述反应室中到所述基板上，以在所述反应气体的气流下在所述基板上形成结晶膜。2.如权利要求1所述的方法，其中，通过使用雾化化学气相沉积方法形成包括在所述基板中的所述缓冲层。3.如权利要求1所述的方法，其中，通过使用卤化物气相外延方法形成所述结晶膜。4.如权利要求1所述的方法，其中，所述结晶膜是包括所述基板的层状膜。5.如权利要求1所述的方法，进一步包括：通过至少去除所述基板来分离所述结晶膜。6.一种用于制造结晶膜的方法，包括：在基板上形成缓冲层；气化包括金属的金属源以将所述金属源转化为含金属的原料气体；将所述含金属的原料气体和含氧的原料气体供应到反应室中到所述基板上的所述缓冲层上；以及将反应气体供应到所述反应室中到所述基板上的所述缓冲层上，以在所述反应气体的气流下在所述基板的所述缓冲层上形成结晶膜。7.如权利要求6所述的方法，其中，在所述基板上形成所述缓冲层通过使用雾化化学气相沉积方法进行。8.如权利要求6所述的方法，其中，所述缓冲层包括所述金属源中所...
【专利技术属性】
技术研发人员：大岛佑一，藤田静雄，金子健太郎，嘉数诚，河原克明，四户孝，松田时宜，人罗俊实，
申请(专利权)人：流慧株式会社，国立研究开发法人物质·材料研究机构，国立大学法人京都大学，国立大学法人佐贺大学，
类型：发明
国别省市：日本,JP
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。