According to aspects of the subject matter of the present invention, the crystalline film includes crystalline metal oxide as the main component, and the crystalline film includes corundum structure and 9 micron.
【技术实现步骤摘要】
结晶膜、包括结晶膜的半导体装置以及制造结晶膜的方法相关申请的交叉引用本申请要求于2017年8月21日提交的第2017-158306号、于2018年3月19日提交的第2018-050516号和于2018年6月26日提交的第2018-120457号的日本专利申请的优先权权益，其公开内容通过引用以其整体并入本文。
本公开涉及结晶膜。而且，本公开涉及包括结晶膜的半导体装置。此外，本公开涉及用于制造结晶膜的方法。
技术介绍
作为背景，已知氧化镓(Ga2O3)具有五种不同的多晶型，包括α相、β相、γ相、δ相和相(参见NPL1：RustumRoy等，“PolymorphismofGa2O3andtheSystemGa2O3-H2O”)。在这五种多晶型中，β-Ga2O3被认为是热力学上最稳定的，并且α-Ga2O3被认为是亚稳定的。氧化镓(Ga2O3)表现出宽带隙并且作为半导体装置的潜在半导体材料吸引较多的关注。根据NPL2，建议氧化镓(Ga2O3)的带隙能够通过与铟和/或铝形成混合晶体来控制(参见NPL2：KentaroKANEKO，“Fabricationandphysical...
【技术保护点】
1.一种结晶膜，包括：作为主要组分的结晶金属氧化物；所述结晶膜包括刚玉结构、9μm2或更大的表面积和小于5×106cm‑2的位错密度。
【技术特征摘要】
2017.08.21 JP 2017-158306;2018.03.19 JP 2018-050511.一种结晶膜，包括：作为主要组分的结晶金属氧化物；所述结晶膜包括刚玉结构、9μm2或更大的表面积和小于5×106cm-2的位错密度。2.如权利要求1所述的结晶膜，其中：所述9μm2或更大的表面积包括所述结晶金属氧化物的外延横向过生长层。3.如权利要求1所述的结晶膜，其中：所述结晶膜包括在至少垂直于面的方向上生长的所述结晶金属氧化物的外延横向过生长。4.一种结晶膜，包括：作为主要组分的结晶金属氧化物；以及在至少垂直于面的方向上生长的所述结晶金属氧化物的外延横向过生长。5.如权利要求4所述的结晶膜，其中：所述结晶金属氧化物包括镓、9μm2或更大的表面积和小于5×106cm-2的位错密度。6.如权利要求5所述的结晶膜，其中：所述结晶金属氧化物进一步包括选自铝、铟、铁、铬、钒、钛、铑、镍、钴和铱中的至少一种金属。7.如权利要求1所述的结晶膜，其中：所述结晶膜包括掺杂剂。8.如权利要求5所述的结晶膜，其中：所述结晶膜包括掺杂剂。9.一种半导体装置，包括：如权利要求7所述的结晶膜；与所述结晶膜电连接的第一电极；以及与所述结晶膜电连接的第二电极。10.一种半导体装置，包括：如权利要求4所述的结晶膜。11.一种用于制造结晶膜的方法，包括：气化金属源以将所述金属源转化为含金属的原料气体；将所述含金属的原料气体和含氧的原料气体供应到反应室中到基板上，在该基板上布置包括至少一个掩膜和/或至少一个开口的不平坦部分；以及将反应气体供应到所述反应室中到所述基板上，以在所述反应气体的气流下在所述基板上的所述不平坦部分的所述至少一个开口处竖直、横向和/或径向地生长至少一个结晶金属氧化物岛，使得所述至少一个结晶金属氧化物岛形成结晶金属氧化物的外延横向过生长层。12.如权利要求11所述的方法，其中：所述反应气体是蚀刻气体。13.如权利要求11所述的方法，其中：所述反应气体包括选自卤化氢和包括卤素和氢的基团中的至少一种。14.如利要求11所述的方法，其中：所述不平坦部分的所述至少一个掩膜包括具有所述至少一个开口的片状掩膜，所述片状掩膜包括布置在所述基板的表面上的两个或更多个开口，并且所述基板上的所述片状掩膜的所述两个或更多个开口规则地布置在所述基板的所述表面上。15.如权利要求11所述的方法，其中：所述基板在400℃至700℃的范围内...
【专利技术属性】
技术研发人员：大岛佑一，藤田静雄，金子健太郎，嘉数诚，河原克明，四户孝，松田时宜，人罗俊实，
申请(专利权)人：流慧株式会社，国立研究开发法人物质·材料研究机构，国立大学法人京都大学，国立大学法人佐贺大学，
类型：发明
国别省市：日本,JP
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