晶体、结晶膜、包括结晶膜的半导体装置和用于制造结晶膜的方法制造方法及图纸

根据本发明专利技术主题的方面，晶体包括：刚玉结构的氧化物半导体作为主要组分，该刚玉结构的氧化物半导体包括镓和/或铟并掺杂有含锗的掺杂剂；主平面；1×10

Crystals, crystalline films, semiconductor devices including crystalline films and methods for manufacturing crystalline films

According to aspects of the subject matter of the present invention, crystals include: oxide semiconductors with corundum structure as the main component, oxide semiconductors with corundum structure including gallium and/or indium doped with germanium-containing dopants; main plane; 1*10;

【技术实现步骤摘要】
晶体、结晶膜、包括结晶膜的半导体装置和用于制造结晶膜的方法相关申请的交叉引用本申请要求2017年8月21日提交的日本专利申请第2017-158308号和2018年3月19日提交的日本专利申请第2018-050517号的优先权权益，其公开内容通过引用以其整体并入本文。
本公开涉及晶体。而且，本公开涉及结晶膜。此外，本公开涉及包括结晶膜的半导体装置。此外，本公开涉及用于制造结晶膜的方法。
技术介绍
作为背景，已知氧化镓(Ga2O3)具有五种不同的多晶型，包括α相、β相、γ相、δ相和相(参见NPL1：RustumRoy等，“PolymorphismofGa2O3andtheSystemGa2O3-H2O”)。在这五种多晶型中，β-Ga2O3被认为是热力学上最稳定的，并且α-Ga2O3被认为是亚稳定的。氧化镓(Ga2O3)表现出宽带隙并且作为半导体装置的潜在半导体材料吸引较多的关注。根据NPL2，建议氧化镓(Ga2O3)的带隙能够通过与铟和/或铝形成混合晶体来控制(参见NPL2：KentaroKANEKO，“Fabricationandphysicalpropertiesofcorundum本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶体，包括：刚玉结构的氧化物半导体作为主要组分，所述刚玉结构的氧化物半导体包括镓和/或铟并掺杂有含锗的掺杂剂；主平面；1×1018/cm3或更高的载流子浓度；以及20cm2/Vs或更高的电子迁移率。

【技术特征摘要】
2017.08.21 JP 2017-158308;2018.03.19 JP 2018-050511.一种晶体，包括：刚玉结构的氧化物半导体作为主要组分，所述刚玉结构的氧化物半导体包括镓和/或铟并掺杂有含锗的掺杂剂；主平面；1×1018/cm3或更高的载流子浓度；以及20cm2/Vs或更高的电子迁移率。2.如权利要求1所述的晶体，其中，所述晶体的所述主平面是c面。3.如权利要求1所述的晶体，其中，所述晶体的所述主平面是m面。4.如权利要求1所述的晶体，其中，所述晶体的所述主平面包括偏角。5.如权利要求1所述的晶体，其中，所述刚玉结构的氧化物半导体包括混合晶体，所述混合晶体包括镓和一种或多种选自铝、铟、铁、铬、钒、钛、铑、镍、钴和铱的金属。6.如权利要求1所述的晶体，其中，所述晶体作为结晶膜具有膜形状。7.如权利要求5所述的晶体，其中包括在所述刚玉结构的氧化物半导体中的所述混合晶体包括1×1017/cm3或更多的铝。8.一种结晶膜，包括：氧化物半导体作为主要组分，所述氧化物半导体包括1×1017/cm3或更多的铝；1×1018/cm3或更高的载流子浓度；以及20cm2/Vs或更高的电子迁移率。9.如权利要求8所述的结晶膜，其中，所述氧化物半导体包括镓。10.如权利要求8所述的结晶膜，其中，所述氧化物半导体包括混合晶体。11.一种半导体装置，包括：如权利要求6所述的晶体；与所述晶体电...

【专利技术属性】
技术研发人员：大岛佑一，藤田静雄，金子健太郎，嘉数诚，河原克明，四户孝，松田时宜，人罗俊实，
申请(专利权)人：流慧株式会社，国立研究开发法人物质·材料研究机构，国立大学法人京都大学，国立大学法人佐贺大学，
类型：发明
国别省市：日本,JP