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根据本发明主题的方面，晶体包括：刚玉结构的氧化物半导体作为主要组分，该刚玉结构的氧化物半导体包括镓和/或铟并掺杂有含锗的掺杂剂；主平面；1×10...该专利属于流慧株式会社;国立研究开发法人物质·材料研究机构;国立大学法人京都大学;国立大学法人佐贺大学所有，仅供学习研究参考，未经过流慧株式会社;国立研究开发法人物质·材料研究机构;国立大学法人京都大学;国立大学法人佐贺大学授权不得商用。