According to an aspect of the present invention, methods for manufacturing crystalline films include gasifying metal sources to convert metal sources into metal-containing feed gases; supplying metal-containing feed gases and oxygen-containing feed gases to reaction chambers and substrates; and supplying reaction gases to reaction chambers and substrates to form crystalline films under the flow of reaction gases.
【技术实现步骤摘要】
用于制造结晶膜的方法相关申请的交叉引用本申请要求2017年8月21日提交的日本专利申请第2017-158305号的优先权权益，其公开内容通过引用以其整体并入本文。
本公开涉及用于制造结晶膜的方法。
技术介绍
作为背景，已报道了氧化镓(Ga2O3)具有五种不同的多晶型物，包括α相、β相、γ相、δ相和ε相(参见NPL1：RustumRoy等，“PolymorphismofGa2O3andtheSystemGa2O3-H2O”。在这五种多晶型物中，β-Ga2O3被认为是热力学上最稳定的，并且α-Ga2O3和ε-Ga2O3被认为是亚稳定的。氧化镓(Ga2O3)表现出宽带隙并且作为半导体装置的潜在半导体材料吸引较多的关注。根据NPL2，建议氧化镓(Ga2O3)的带隙能够通过与铟和/或铝形成混合晶体来控制(参见NPL2：KentaroKANEKO，“Fabricationandphysicalpropertiesofcorundum-structuredalloysbasedongalliumoxide”，论文，京都大学，2013年3月，概述和内容于2014年1月31日对公众...
【技术保护点】
1.一种用于制造结晶膜的方法，包括：气化金属源以将所述金属源转化为含金属的原料气体；将所述含金属的原料气体和含氧的原料气体供应到反应室中到基板上；以及将反应气体供应到所述反应室中到所述基板上，以在所述反应气体的气流下形成结晶膜。
【技术特征摘要】
2017.08.21 JP 2017-1583051.一种用于制造结晶膜的方法，包括：气化金属源以将所述金属源转化为含金属的原料气体；将所述含金属的原料气体和含氧的原料气体供应到反应室中到基板上；以及将反应气体供应到所述反应室中到所述基板上，以在所述反应气体的气流下形成结晶膜。2.如权利要求1所述的方法，其中，所述反应气体是蚀刻气体。3.如权利要求1所述的方法，其中，所述反应气体包括选自卤化氢和包括卤素和氢的基团中的至少一种。4.如权利要求1所述的方法，其中，所述反应气体包括卤化氢。5.如权利要求1所述的方法，其中，所述基板包括布置在所述基板的表面上的不平坦部分。6.如权利要求1所述的方法，其中，所述不平坦部分包括至少一个掩模。7.如权利要求1所述的方法，其中，所述不平坦部分包括两个或更多个开口。8.如权利要求1所述的方法，其中，所述基板是图案化的蓝宝石基板。9.如权利要求1所述的方法，其中，在400℃至700℃的范围内的温度下加热所述基板。10.如权利要求1所述的方法，其中，所述金属源包括镓。11.如权利要求1所述的方法，其中，所述气化所述金属源通过卤化所述金属源来进行。12.如权利要求1所述的方法，其中，所述含氧的原料气体包括选自氧(O2)、水(H2O)和氧化亚氮(N2O)中的至少一种。13.如权利要求1所述的方法，其中，所述基板包括刚玉结构。14.如权利要求1所述的方法，其中，所述结晶膜具有刚玉结构。15.如权利要求1所述的方法，其中，所述基板进一步包括在所述基板的至少一个表面上的缓冲层。16.如权利要求1所述的方法，进一步包括：通过使用雾化化学气相沉积法在所述基板的至少一个表面上...
【专利技术属性】
技术研发人员：大岛佑一，河原克明，四户孝，松田时宜，人罗俊实，
申请(专利权)人：流慧株式会社，国立研究开发法人物质·材料研究机构，
类型：发明
国别省市：日本,JP
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