一种高压隔离电路制造技术

本发明专利技术提供一种高压隔离电容，其中所述高压隔离电容包括：N个串联的子隔离电容，每个所述子隔离电容包括正极和负极，每个所述子隔离电容通过其正极和负极中的一极设置在所述衬底上，而所述正极和负极中的另一极远离所述衬底，其中，N为大于1的自然数。本发明专利技术提供的隔离电容能够显著地降低隔离电容的厚度，并且能够通过采用现有的成熟工艺来实现较高的隔离电压。

【技术实现步骤摘要】
一种高压隔离电路
本专利技术涉及电子领域，更具体地，涉及半导体芯片中高压隔离电路的设置。
技术介绍
在隔离芯片中，增加隔离电压一般的方法是增加隔离介质(例如隔离电容)的厚度，比如德州仪器公司(TI)的ISO7720。为了达到一定的隔离电压，隔离层介质的厚度是常规集成电路工艺的几倍。而介质厚度的增加会带来几个问题：1、集成电路工艺难度增加，变成了非常规集成电路工艺，集成电路工艺的开发周期增加，研发成本增加；2、介质的应力会增加造成介质中缺陷增加，降低了介质的寿命，也就是芯片的寿命，也降低了芯片的可靠性。而如果电容的厚度太薄，则在高压情况下，电路容易被击穿，从而影响电路的寿命和安全。由此，需要一种能够以成熟工艺来解决上述问题的方法。
技术实现思路
本专利技术的目的是解决现有技术中隔离电容厚度较厚而无法以现有成熟工艺来进行制造的缺陷。根据本专利技术的第一方面，提供一种高压隔离电容，包括：N个串联的子隔离电容，每个所述子隔离电容包括正极和负极，每个所述子隔离电容通过其正极和负极中的一极设置在所述衬底上，而所述正极和负极中的另一极远离所述衬底，其中，N为大于1的自然数。根据本专利技术的一个实施方式本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高压隔离电容，包括：N个串联的子隔离电容，每个所述子隔离电容包括正极和负极，每个所述子隔离电容通过其正极和负极中的一极设置在所述衬底上，而所述正极和负极中的另一极远离所述衬底，其中，N为大于1的自然数。

【技术特征摘要】
1.一种高压隔离电容，包括：N个串联的子隔离电容，每个所述子隔离电容包括正极和负极，每个所述子隔离电容通过其正极和负极中的一极设置在所述衬底上，而所述正极和负极中的另一极远离所述衬底，其中，N为大于1的自然数。2.根据权利要求1所述的高压隔离电容，其中，每个相邻子隔离电容之间具有特定距离，以避免相邻子隔离电容之间发生击穿。3.根据权利要求1所述的高压隔离电容，其中，相邻子隔离电容的正极和负极极性交替地设置在所述衬底上。4.根据权利要求1所述的高压隔离电容，其中，相邻子隔离电容的正极和负极极性相同地设置在所述衬底上。5.根据权利要求1所述的高压隔离电容，其中，N为奇数。6.根据权利要求1所述的高压隔离电容，其中，N为偶数。7.根据权利要求1所述的高压隔离电容，其中，N为2-6个。8.根据权利要求1所述的高压隔离电容，其中，所述N个子隔离电容的电压相等。9.根据权利要求1所述的高压隔离电容，其中，所述衬底为SiO2，或者是生长在半导体衬底上的SiO2。10.一种高压隔离变压器，包括：N个串联的子变压器，每个子变压器包括初级电感线圈和次级电感线圈，每个所述子变压器通过其初级电感线圈和次级电感线圈...

【专利技术属性】
技术研发人员：董志伟，
申请(专利权)人：荣湃半导体上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31