半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种能够抑制面积的增大并使针对ESD的放电能力比以往更强的半导体装置。半导体装置包括第一导电部以及第二导电部，上述第一导电部具有多个部分，上述多个部分分别具有第一导电型且在第一方向上延伸，上述多个部分在与上述第一方向交叉的第二方向上彼此分离地并列设置，上述第二导电部具有岛部，上述岛部设置于上述第一导电部的上述多个部分彼此之间，上述岛部具有与上述第一导电型不同的第二导电型且在上述第一方向上延伸。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置
本专利技术涉及半导体装置。
技术介绍
半导体设备因静电放电(ESD:Electro-StaticDischarge)而受到损伤或者产生误动作等影响。作为对保护对象电路进行防止ESD的保护的保护元件使用二极管。作为二极管的构造的一个例子，在例如专利文献1中记载有将空穴型阱区域的外周围成空穴型接触区域，并进一步将空穴型接触区域围成电子型接触区域的肖特基势垒二极管。专利文献1：日本特表2013-535823号公报近年来，随着半导体集成电路的高密度化，对保护元件的面积的缩小提出了要求。另一方面，也要求通过提高针对ESD的保护元件的放电能力来提高由保护元件进行的保护功能。然而，在保护元件中，面积的缩小与放电能力的提高处于此消彼长的关系而难以兼得。
技术实现思路
本专利技术是鉴于上述的点完成的，其目的在于提供一种能够抑制面积的增大并使针对ESD的放电能力比以往更强的半导体装置。本专利技术所涉及的半导体装置包括：第一导电部，具有多个部分，上述多个部分分别具有第一导电型且在第一方向上延伸，上述多个部分在与上述第一方向交叉的第二方向上彼此分离地并列设置；以及第二导电部，具有岛部，上述岛部设置于本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于，包括：第一导电部，具有多个部分，所述多个部分分别具有第一导电型且在第一方向上延伸，所述多个部分在与所述第一方向交叉的第二方向上彼此分离地并列设置；以及第二导电部，具有岛部，所述岛部设置于所述第一导电部的所述多个部分彼此之间，所述岛部具有与所述第一导电型不同的第二导电型且在所述第一方向上延伸。

【技术特征摘要】
2016.08.31 JP 2016-1699111.一种半导体装置，其特征在于，包括：第一导电部，具有多个部分，所述多个部分分别具有第一导电型且在第一方向上延伸，所述多个部分在与所述第一方向交叉的第二方向上彼此分离地并列设置；以及第二导电部，具有岛部，所述岛部设置于所述第一导电部的所述多个部分彼此之间，所述岛部具有与所述第一导电型不同的第二导电型且在所述第一方向上延伸。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一导电部具有：分别具有所述第一导电型且在所述第一方向上延伸且在所述第二方向上彼此分离地并列设置的至少三个部分，所述第二导电部具有多个岛部，所述多个岛部分别设置于所述第一导电部的所述至少三个部分彼此之间，所述多个岛部具有所述第二导电型且在所述第一方向上延伸。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，所述第二导电部还包括环状部，该环状部具有所述第二导电型且具有包围所述第一导电部的环状图案。4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，所述环状部具有矩形环状图案，该矩形环状图案具有在所述第一方向上延伸的部分以及在所述第二方向上延伸的部分。5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，所述第一导电部还包括：具有所述第一导电型且在所述环状部的内侧与所述环状部的...

【专利技术属性】
技术研发人员：东真砂彦，
申请(专利权)人：拉碧斯半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP